| 电沉积法制备ZnO纳米棒/管阵列及其机理研究 |
| |
| 引用本文： | 胡飞,胡跃辉,陈镜昌.电沉积法制备ZnO纳米棒/管阵列及其机理研究[J].材料导报,2010,24(8). |
| |
| 作者姓名： | 胡飞 胡跃辉 陈镜昌 |
| |
| 作者单位： | 景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,景德镇,333001;香港理工大学工业系统工程系,香港 |
| |
| 基金项目： | 江西省科技支撑项目，江西省教育厅项目，景德镇市科技局项目，景德镇陶瓷学院博士启动经费资助 |
| |
| 摘 要： | 采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构.通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响.结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用.在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜.
|
| 关 键 词： | 电化学沉积 ZnO纳米棒阵列 ZnO纳米管阵列 机理 |
Study on Preparation and Mechanism of ZnO Nanorod/Nanotube Arrays by Electrodeposition |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
