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采用射频磁控溅射法在玻璃基底上沉积生长Ga掺杂Zn O薄膜(GZO)。研究了第二阶段不同溅射气压对薄膜晶体结构,光电性能的影响,且分别在气压为1 Pa/0.4 Pa、1 Pa/0.7 Pa、1 Pa/1 Pa、1 Pa/1.3 Pa条件下制备薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外光谱仪(UV-VIS),偏振稳态荧光光谱仪和四探针测试仪等表征手段对样品进行表征。结果表明:第二阶段不同溅射气压下GZO薄膜都具有(002)方向的择优取向,且均呈Zn O的六角纤锌矿晶体结构;在透过率方面,分析波长在300~800 nm可见光范围时,GZO薄膜样品的平均透过率均可达到90%以上,而样品的最小电阻率为1.752×10~(-4)Ω·cm;光致发光光谱中,1#出现了深蓝色发光峰,其余样品则出现近带边紫外发光峰。 相似文献
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采用微波ECRCVD系统制备了a-Si:H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析。a-Si:H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响,它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键,降低薄膜的缺陷密度,从而显著提高薄膜稳定性。通过对沉积速率的研究发现,在有热丝辅助的情况下沉积速率明显提高,可达3nm/s。实验证明,高温的热丝提高了工作气体的分解率,从而提高了薄膜的沉积速率。此外,在有热丝辅助的条件下制备出薄膜样品比没有热丝辅助条件下制备出的薄膜样品的氢含量低而且稳定性有了较大的改进。 相似文献
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为了定量地得到磁场梯度对a-Si∶H薄膜沉积速率的影响,对单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究.通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度.结果表明,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为137.7A时其衬底附近磁场梯度值最大,样品台下面无钐钴永磁时,磁场线圈电流分别为137.7A和115.2A的磁场梯度值依次为次之和最小.制备a-Si∶H薄膜时,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率.通过红外吸收谱技术分析,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为137.7A下能得到最大的沉积速率,但是沿样品台半径方向沉积速率呈现很明显的不均匀分布. 相似文献
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In medical applications, physicians are highly in-terested in computer assisted devices that help to detectand outline specific organs or other medical features ofinterest. Many applications require the extraction of im-age features such as edges, lines, and subjective differ-ences in gray-level. The contour information is alwaysconsidered an important feature of medical images,be-cause the edge contour characterizes the objective tissueand organ. But some defects of the medical images da-ta, … 相似文献
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表面重建是计算机立体视觉中的一个重要研究领域,SFS(shape from shading)是单帧图像立体感增强的有效方法之一。为了更好地利用SFS对图像进行增强,在对朗伯体表面反射模型进行详细分析和对影响3维重建结果的关键因素进行讨论的基础上,提出了一种改进的SFS算法,并给出了具体的步骤和计算方法。实验表明,该算法的确改善了立体显示的效果。 相似文献
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在石英玻璃衬底上,通过溶胶-凝胶旋涂法制备得到钠铝(Na-Al)共掺氧化锌(ZnO)薄膜(NAZO)。研究不同NaAl共掺杂浓度对ZnO薄膜的结晶性、微观结构、光电性能的影响。结果表明:所有NAZO薄膜样品都沿c轴择优取向生长;适当的Na-Al共掺浓度,可以提高ZnO薄膜结晶性,提高薄膜的载流子迁移率;同时还可以观察到NAZO薄膜表面生长出六角柱状结构晶粒。随着Na-Al元素掺杂浓度的改变,所获薄膜的最高平均光学透过率达到95%。由于元素间固溶比的不同,适当的浓度可以提高Na-Al元素的掺杂效率和薄膜内部的载流子浓度,降低薄膜电阻率,NAZO薄膜最低电阻率为4.7×10-2Ω·cm。 相似文献
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为了设计大尺寸的红外触摸屏,解决大尺寸情况下触摸信号弱的问题,本文提出了一种适用于该触摸屏的驱动电路设计方案,并对方案进行了系统的测试与分析。在电路设计中,采用普通的中小功率管:三极管、达林顿管、MOSFET管等,调整电路参数充分发挥管子的性能,使电路的瞬态发射功率从传统的几百毫瓦提升到几千毫瓦。最后,基于PIC32MX440F256H对实验方案进行了测试,并与传统的驱动方法进行对比分析。实验结果表明,红外发射传感器驱动电路的最高瞬态电流达到500mA,功率达到2 500mW,远远大于普通驱动电路125mA的电流;接收传感器驱动电路能够准确无误的接收每个发射传感器的光信号并完整输出相应的电信号。该方案能够有效的驱动大尺寸红外触摸屏,提高了瞬态发射功率,降低了整体功耗,提升了系统信噪比。 相似文献