MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si∶H薄膜沉积速率的影响

为了定量地得到磁场梯度对a-Si∶H薄膜沉积速率的影响,对单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究.通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度.结果表明,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为137.7A时其衬底附近磁场梯度值最大,样品台下面无钐钴永磁时,磁场线圈电流分别为137.7A和115.2A的磁场梯度值依次为次之和最小.制备a-Si∶H薄膜时,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率.通过红外吸收谱技术分析,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为137.7A下能得到最大的沉积速率,但是沿样品台半径方向沉积速率呈现很明显的不均匀分布.     

光栅式立体显示器重影问题的研究

光栅式自由立体显示设备由于存在重影问题而限制了它们在商业上的应用,文章从潘弄区和可视区域两个角度分析了光栅式自由立体显示设备产生重影问题的理论原因,并建立一个光学结构模型,推导出人眼所看到的实际像素强度公式。给出一种定义重影度的方法,经软件仿真得到重影度与人眼到显示屏幕距离的关系曲线,基于上述模型和定义对重影问题的改善进行了探讨。软件仿真结果显示通过改善边缘光栅结构能在一定程度上增大可视区域,减小人眼看到重影的几率。     

立体显示的双目模型算法及实现

三维立体显示技术是虚拟现实的关键技术,也是虚拟现实系统必不可少的基本条件,而深度感的正确形成又是立体显示技术的关键。介绍了采用体视原理进行自由立体显示的两种投影系统,并对照了各自的特征。分析了汇聚式双目系统的误差,给出了平行双目投影系统的算法推导和OpenGL的实现。最终以实验印证了算法的可靠性和准确性。     

基于离散剪切波变换的傅里叶叠层成像算法研究

本文为了提高傅里叶叠层成像的图像重建质量,提出基于离散剪切波变换的傅里叶叠层成像,将离散剪切波作为稀疏基,利用其多尺度和各向异性的特点对图像进行稀疏重构。实验证明:该算法能够显著提升图像重建质量,并且具有良好的稳定性和鲁棒性。     

材料结合能反演对势的M(o)bius变换方法中构造逆作用算符T-11的公式和证明

本文提出并证明了一个在结合能反演对势的Moebius变换时，构造逆作用算符T1^-1的一般公式，从晶体中原子的结合能出发，利用这一公式可以很方便地构造出了一维离子晶体、二维方形晶格在进行反演对势的Moebius变换时的逆作用算符T1^-1;作为算例，计算了二维NaCl离子晶体的对势。     

一种用于固态体积式真三维显示的片源编码的改进方法

随着固态体积式真三维显示技术的快速发展,人们对该技术显示片源的要求不断提高,本文提出了一种用于固态体积式真三维显示的片源编码的改进方法。该方法对具有景深的虚拟场景提供3种处理模式:模式一,直接对RGB值和深度值进行编码、传输、解码;模式二,将RGB值转换成YUV值,再对YUV值和深度值进行编码、传输、解码;模式三,将RGB值转换成YUV值,对YUV值和深度值进行编码,再将编码后的YUV值转换成RGB值,对RGB值传输、解码。分别对这3种处理模式在工程样机上进行立体显示效果测试和编码效率的对比测试。实验证明:3种模式都能够达到立体显示要求,模式二和模式三生成的立体图像更逼真细致,模式二和模式三的编码效率比模式一的提高了至少3倍。该改进方法使生成的片源更具有灵活性和普适性,对YUV信号进行编码能够更贴合人眼对亮度的敏感度、使立体显示中的颜色信号更加充裕。     

一种基于数字灰度的微显OLEDos的片上电路设计

介绍了高分辨率硅基微显OLED的特性和时间子场的数字灰度技术,基于单晶硅CMOS成熟技术,给出了一种片上电路设计方案,方案采用2管的数字像素电路,集成了行扫描电路及列数据驱动电路,经模拟仿真满足设计要求.     

多参量的骨骼肌等长收缩初步研究

骨骼肌的力学特性总是和它的结构形态相关的,表面肌电信号是骨骼肌的电生理学特性的表现,但它不能表征骨骼肌的结构形态特征。把超声扫描骨骼肌得到的有关骨骼肌结构的空间形态变化信息定义为“声肌图(sono-myography)”,简写成SMG。文章研究了肱二头肌等长收缩活动时的肌肉厚度变化率SMG信号和表面肌电信号、力矩之间的关系,根据实验结果归纳给出了经验公式,它对于了解骨骼肌功能、对骨骼肌建模以及对康复设备的研发等有着直接的作用和意义。     

用生长/氢等离子体交替处理堆积层表面技术制备微晶硅薄膜

利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si:H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以下时,样品具有较为典型的非晶硅特征,光电导衰退率很大;当薄膜厚度为0.60～0.70μm之间时,样品兼备非晶和微晶的特点,在这一厚度范围内,光电导随薄膜厚度变化非常敏感,光电导衰退率较小;当薄膜厚度为0.80μm以上时,薄膜表现为明显的微晶硅性质,其光电导衰退率很小,通过模拟光照53.5h,其光电导几乎不变化.     

基于Stratix Ⅲ的DDR3 SDRAM控制器设计

本文介绍了DDR3 SDRAM的基本特点和主要操作时序,给出了一种基于ALTMEMPHY宏功能的DDR3 SDRAM控制器的设计方法.详述了控制器基本结构和设计思想,分析了各模块功能与设计注意事项,并给出了仿真结果.该控制器已经通过功能仿真,并在Altera公司的StratixⅢ器件EP3SL150F1152-C2上完成了实现和验证.