正交双频光栅CCD系统剪切干涉测量二维温度场

以半导体激光器为光源，利用正交双频光栅（ＯＤＦＧ）ＣＣＤ系统剪切干涉对带平板边界的半圆柱体热源的二维温度场进行实时诊断，分析剪切干涉图时，用柱函数系作为拟合基底，给出二维自然对流温度场的定量分布。     

判断油气藏非均质性的新方法

非均质性是油气藏的基本特性,也是影响油气面采收率的重要因素.它是反映油气藏的渗透率、孔隙度、有效厚度及其连通性的综合特征参数.不同油气藏在投入开发后,其产量随时间变化的分布曲线与油气藏自身的非质均性有密切关系.利用伽马分布描述油气藏产量随时间的变化,研制了典型曲线的理论图版,通过拟会求解,可判断油气藏的非均质程度.     

新型无灰分散剂的结构分析研究

通过薄膜渗析、红外光谱、凝胶渗透色谱、皂化反应等一系列手段建立了一套对无灰分散剂的系统分析方法，并利用该方法得到了一种新型无灰分散剂及其衍生物的平均结构、相对分子质量分布、分散度等重要结构信息，得出该新型无灰分散剂的结构与传统无灰分散剂的结构不同。     

单分散六边形扁平溴碘化银微晶的结构与性能的研究

应用可控双注仪制备了一系列碘含量相同而碘在微晶中分布不同的单分散六边形扁平溴碘化银乳剂。用扫描电镜（ＳＴＥＭ）与Ｘ－射线能谱仪（ＥＤＳ）对单个微晶进行了微区分析，并用介电损耗，微波光导等方法研究了此类乳剂微晶的结构与性能的关系。结果表明：严格控制微晶成核、成熟、生长三个阶段的条件，可制得含六边形颗粒９２％以上的扁平溴碘化银乳剂，颗粒大小变化系数小于１２％。此外碘在微晶中的分布明显影响微晶的电性质和     

概率空间中的一个不等式

设｛Ｚ，（Ｗ）｝是定义在概率空间上的独立的随机变量序列，Ｚ（Ｗ）具有方差为期望Ｅ（Ｚｎ）＝０．本文证明了对任意算数序列｛ｂｎ｝及任意的存在充分大的整数Ｎ＞０使当Ｎ＇＞Ｎ″＞Ｎ时．有此不等式在随机级数研究中有重要作用．     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

划分IC缺陷团的聚类算法

大量实验表明了在集成电路（IC）制造过程中形成中的缺陷团之间具有很强的相关性，然而现用于划分缺陷团的方法均忽略了缺陷之间的相关性。因此，得到了缺陷分布规律不能有效地反映缺陷在圆片上的分布，为了提高IC成品率和可靠性仿真和设计的精度，提高缺陷分布模型的准确性，该文提出了划分缺陷团的聚类算法，该方法依据缺陷形成的动力学基础，充分考虑了缺陷团之间的相关性，实验证明该算法用于划分IC的缺陷团是十分有效的。     

齐家—泰康地区油气田规模及分布预测

本文根据灰色系统理论及齐家—泰康地区的油气地质特征和油气田分布特点,建立了距离序列的GM(1,1)油气田规模预测模型,并根据该模型预测了研究区西部的构造油气总储量及其分布,利用油田规模序列法预测了油气田单体储量及其序列。     

脉冲化学沉积非晶态Ni—P合金原子分布函数研究

采用Ｘ射线衍射分析技术，研究了脉冲化学镀非晶态Ｎｉ－Ｐ合金的原子分布和函数，得出其短程有序原子集团的尺度为０．７５４ｎｍ，约为熔体激冷法获得的非晶态Ｎｉ－Ｐ合金短程有序畴的１／２。并利用脉冲化学沉积非晶态合金的微机制择这一结果进行了解释。     

SO_4~(2-)-Fe_2O_3/Hβ增强酸催化剂上合成乙酸丁酯

将超强酸中心引入Ｈβ沸石表面，制备出具有增强酸性的ＳＯ２－４－Ｆｅ２Ｏ３／Ｈβ催化剂，并用于乙酸与正丁醇的酯化反应。采用数学模拟方法定量表征该催化剂的酸强度分布。建立了合成乙酸丁酯反应动力学模型。讨论不同类型沸石、氧化物改性对酯化反应性能的影响及表面酸性与酯化性能的关系。