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41.
LD2铝合金加速腐蚀蚀坑演化的ARIMA模型研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
依据加速腐蚀环境谱进行飞机LD2结构试件的加速腐蚀试验,并将LD2材料的加速腐蚀产生及发展过程视为随机过程,提出基于时间序列理论进行腐蚀损伤预测研究的方法,建立描述LD2材料在加速腐蚀环境下蚀坑深度演化规律的时间序列ARIMA(3,1,1)模型,并利用模型进行腐蚀深度预测研究。结果表明,所建的ARIMA(autoregressive integrated moving average,求和自回归移动平均)模型能以较高的精度预测未来一段周期内LD2材料蚀坑深度的发展趋势,说明采用基于时间序列理论的ARIMA模型方法进行飞机LD2结构材料腐蚀损伤预测研究有效可行。  相似文献   
42.
刘治国  朱新华 《钢结构》2012,27(5):53-56
简要介绍波纹钢腹板预应力混凝土(简称PC)组合结构桥梁的发展应用状况,针对波纹钢腹板的制作过程进行详细论述,分析波纹钢腹板制作过程的特点和难点。着重阐述波纹钢腹板压型模具设计、压型过程控制、节段组焊及桥位组装焊接的生产过程及质量控制措施,并对实际工程应用效果进行分析,解决了波纹钢腹板制作过程中冷弯成型等技术难题。  相似文献   
43.
采用热分析仪、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、极限氧指数仪和综合垂直燃烧测定仪研究了反应型磷/氮阻燃剂聚N-(2,3,5,6-四溴对二亚甲基苯基)-N-乙基胺(BNFR)阻燃环氧树脂的热性能、阻燃性能、成烟性能等。结果表明,BNFR分子通过参与固化反应而以化学键键合于固化树脂的立体网络结构之中,无迁移,通过改变固化树脂的热降解过程提高树脂的热稳定性能以及阻燃性能;BNFR分子结构中含有Br和N两种阻燃元素,气相和固相阻燃机理同时起作用,因此阻燃效率较高,环氧树脂中添加12%的BNFR可以使极限氧指数达到30%,600℃成炭量高于10%。  相似文献   
44.
对于图的同构判定问题、Ramsey理论、计算Folkman数等图论的研究方向,研究人员通常需要用计算机程序生成并处理大量的简单无向图.为了节省内存和外存空间、提高程序运行速度,应该对图进行压缩存储.文中对目前研究中广泛采用的简单无向图graph6存储格式进行了介绍,并给出了将图的邻接表存储格式转换为graph6存储格式的程序片段.  相似文献   
45.
通过人为的向原料乳中添加一定量的蔗糖进行测试,检测结果表明,该方法可以快速的测定出掺假乳,同时操作简单,结果便于观察,适用于养殖、收购、乳制品企业等进行原料乳质量验收的检验.  相似文献   
46.
纳米SiO2与RDP协同阻燃PC/ABS的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用间苯二酚双(二苯基磷酸酯)(RDP)及其与纳米SiO2复配制备双酚A聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(PC/ABS)阻燃材料,测定了阻燃PC/ABS的极限氧指数、UL94V阻燃性能及热稳定性,采用扫描电子显微镜(SEM)观察了阻燃PC/ABS于600 ℃热分解残余物的形态,采用锥形量热仪测定了阻燃PC/ABS的释热速率峰值(p-HRR)、释热速率平均值(av-HRR)、总释热量(THR)、平均有效燃烧热(av-EHC)和平均质量损失速度(av-MLR)。结果表明,纳米SiO2与RDP添加量分别为5 %和9 %时,PC/ABS的阻燃性能达UL94V-0级,极限氧指数为29.0 %,且阻燃PC/ABS的p-HRR、av-HRR、THR、av-EHC以及av-MLR分别下降了16.12 %、58.82 %、40.83 %、17.91 %和36.90 %,同时也证明了纳米SiO2与RDP具有非常好的协同阻燃效应。  相似文献   
47.
棉织物阻燃剂PN的合成工艺改进   总被引:3,自引:0,他引:3  
房晓敏  王彦林  刘治国  徐元清  丁涛 《精细化工》2001,18(6):337-338,347
棉织物阻燃剂PN(N 羟甲基 3 二甲氧磷酰基丙酰胺 )合成工艺的改进如下 :(1)Michael加成反应中 ,采用无溶剂法合成 3 二甲氧磷酰基丙酰胺中间体 ,加入防自聚剂DMP ,避免了丙烯酰胺的聚合 ,增加了反应的定向性 ,产率可达 98.5 % ;(2 )羟甲基化反应中 ,用弱碱多次调pH值 ,使产品的羟甲基值达 13.0 % ,游离甲醛的质量分数小于 1.2 % ,并且探讨了减压蒸馏温度、压力、时间等条件对产品羟甲基值、游离甲醛含量的影响  相似文献   
48.
湿法烟气脱硫后烟温变化对烟囱运行的影响   总被引:6,自引:1,他引:5  
以某发电厂125MW机组为例,通过对湿法脱硫装置安装前后烟囱内的温度及压力分布状况的计算,分析了其对烟囱运行和安全性的影响。  相似文献   
49.
ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽  相似文献   
50.
汉代错银铜牛灯从使用功能、设计形式、以及制作工艺等众多领域上都凸显了它在中国灯具发展史上不可替代的重要位置,也正因如此,这件青铜器自1980年在江苏扬州邗江县甘泉2号东汉墓出土以来,从其丰富的研究成果足以反映出,它受到了我国以及世界众多领域学者的高度关注。然而,在查阅中我们可以发现针对汉代错银铜牛灯制作技术的研究还比较匮乏,甚至对于一些已有观点的论述也不够充分。因此本研究试图从汉代错银铜牛灯的错金银制作技术入手,分阶段针对不同制作工艺进行深入挖掘,并试析汉代错银铜牛灯制作技术研究的重要性。  相似文献   
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