| ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长 |
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| 引用本文： | 毕朝霞,张荣,李卫平,殷江,沈波,周玉刚,陈鹏,陈志忠,顾书林,施毅,刘治国,郑有炓.ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长[J].半导体学报,2001,22(8):1025-1029. |
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| 作者姓名： | 毕朝霞 张荣 李卫平 殷江 沈波 周玉刚 陈鹏 陈志忠 顾书林 施毅 刘治国 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000683; |
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| 摘 要： | 研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽
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| 关 键 词： | GaN ZnAl2O4 MOCVD X射线衍射(XRD) 扫描电子显微镜(SEM) |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）08-1025-05 |
| 修稿时间： | 2000年8月27日 |
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