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利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了非晶氮化镓(a-GaN)5 nm超薄膜及300 nm普通薄膜并研究了其场发射性能.实验表明:较之于普通非晶GaN薄膜,a-GaN纳米超薄膜具有更为优异的场发射特性,在设定阈值电流密度为1μA/cm~2时,其阈值电场仅为0.78 V/μm(为目前报道的GaN薄膜场发射最好结果);而当所加的电场为3.72 V/μm时,发射电流密度高达42 mA/cm~2.研究结果从实验上验证了基于宽带隙半导体超薄膜场发射的理论机制(Binh等.Phys Rev Lett,2000,85(4):864 867),即由于超薄膜导致的阴极表面势垒显著降低,从而极大地增强了场发射性能. 相似文献
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碳纳米管的结构以及微电极的物性参数是微纳器件制备过程中影响介电泳效率与精度的重要因素.微电极形状和电极间距与碳纳米管长度之比(λ)是两个与器件制造成本紧密相关的可控介电泳参数.本文根据有限元方法,研究了这两个参数对于介电泳力的影响规律.通过对3种电极下的碳纳米管介电泳速度进行归一化处理,结果表明碳纳米管在分散液中的介电泳速度受电极形状影响较小.而相比于电极形状,λ对介电泳力的影响更加显著.虽然电极间距越小越有利于碳纳米管的组装,但是考虑微电极加工难度与成本,认为λ在0.5~1.0为碳纳米管组装的优化区间.根据介电泳组装实验需要,给出了溶液阈值浓度修正表达式.本研究对于提高介电泳组装效率和实验精度具有一定的理论指导意义. 相似文献
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摩擦和粘附问题已经成为影响微机电系统(MEMS)工艺性能和可靠性的主要因素.针对MEMS/NEMS中微构件表面改性问题,采用反应离子刻蚀(RIE)在硅片表面沉积氟化物薄膜,以达到降低硅片的表面能,减少其摩擦和粘附的目的.实验还将RIE沉积法制得的薄膜与自组装(SAMs)薄膜在浸润角、表面能、表面粗糙度等方面进行了对比. 相似文献
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应用于MEMS的芯片倒装技术 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对芯片倒装技术尤其是凸点加工工艺在MEMS设计中的作用进行实例分析,指出倒装芯片不仅是一种高性能的封装模式,还能为MEMS器件提供立体通道或是力热载体,并形成许多特殊的结构.在MEMS的加工过程中,可以充分考虑芯片倒装技术所带来的加工便利. 相似文献
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MEMS发展应用现状 总被引:14,自引:0,他引:14
微机电系统(MEMS)技术有小尺寸、多样化、微电子等特点,它将信息系统的微型化、多功能化、智能化和可靠性水平提高到了新的高度。MEMS做成的惯性器件(微加速度计和微型陀螺)以及MEMS在小型卫星、海陆空作战平台及信息传递、航空航天、生物医疗和医学等方面有广泛应用。 相似文献
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