Al、Au溅射薄膜的剥离技术研究

本文采用氯苯浸泡法对(0.2～2.0)μm的Al、Au溅射薄膜进行剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究,并在2.0μm厚的Al和Au溅射薄膜上剥离出8.0 μm的缝隙.     

AZ5214E反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用

研究了AZ5214E反转光刻胶的性能并选择适当的工艺可制得利于剥离的倒台面,并将其应用于射频MEMS开关的制作中剥离厚 2μm的金薄膜。用扫描电镜(SEM)测出胶的侧壁为倒台面。     

PDMS微流控芯片中真空氧等离子体键合方法

聚二甲基硅氧烷(PDMS)由于具有良好的力学性质和光学性质以及生物相容性等特点，是极具前景的μTAS应用材料。由于固化后的PDMS表面具有一定的粘附力，一对成型后的PDMS基片不加任何处理，即可借助分子间的引力自然粘合，但这种粘合强度有限，容易发生漏液。Duffy等人采用高真空氧等离子体对PDMS进行处理，实现了PDMS芯片的永久性键合。但这种键合技术需要昂贵的高真空等离子体发生设备。孟斐等人报道了利用紫外光照射对PDMS芯片表面进行改性后键合的方法。     

悬臂梁接触式RF MEMS开关的关键工艺研究

采用厚度为2μm的Au制作成共平面波导（CPW）、聚酰亚胺作为牺牲层、PECVD法淀积Si3N4薄膜作为悬臂梁,制作成悬臂梁接触式RF MEMS开关。着重对开关的关键工艺-CPV的Au剥离工艺和悬臂梁制作工艺进行研究,讨论了工艺中存在的问题及其解决方法。通过实验获得较佳的工艺参数,并制作出驱动电压为12-20V的悬臂梁接触式RF MEMS开关。     

PDMS微流控芯片中真空氧等离子体键合方法

聚二甲基硅氧烷(PDMS)由于具有良好的力学性质和光学性质以及生物相容性等特点,是极具前景的μTAS应用材料[1].由于固化后的PDMS表面具有一定的粘附力,一对成型后的PDMS基片不加任何处理,即可借助分子间的引力自然粘合,但这种粘合强度有限,容易发生漏液.Duffy[2]等人采用高真空氧等离子体对PDMS进行处理,实现了PDMS芯片的永久性键合.但这种键合技术需要昂贵的高真空等离子体发生设备.孟斐[3]等人报道了利用紫外光照射对PDMS芯片表面进行改性后键合的方法.     

PDMS微流控芯片中真空氧等离子体键合方法

聚二甲基硅氧烷 (PDMS)由于具有良好的力学性质和光学性质以及生物相容性等特点 ,是极具前景的 μTAS应用材料[1] 。由于固化后的PDMS表面具有一定的粘附力 ,一对成型后的PDMS基片不加任何处理 ,即可借助分子间的引力自然粘合 ,但这种粘合强度有限 ,容易发生漏液。Duffy[2 ] 等人采用高真空氧等离子体对PDMS进行处理 ,实现了PDMS芯片的永久性键合。但这种键合技术需要昂贵的高真空等离子体发生设备。孟斐[3] 等人报道了利用紫外光照射对PDMS芯片表面进行改性后键合的方法     

硅/玻璃键合技术在RF-MEMS开关制作中的应用

介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,得出铝台阶厚度低于100nm时键合效果较好;对有无铝台阶时的静电键合电流特性进行比较,分析了硅/玻璃界面电荷分布及其运动情况,为RF-MEMS开关的设计与制作提供了有意义的参考。     

悬空纳米间隔电极对的制备并应用于单分子电学性质测量

将普通光刻技术和电化学技术相结合,在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法(MCBJ)所需的悬空纳米间隔金属电极对,并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺(PI)作为牺牲层使得电极对悬空,明显提高了可控断裂的实验成功率,并延长了微芯片使用寿命.利用分子自组装和MCBJ方法成功构筑了金属/分子/金属结,并实施了对巯基苯胺(BDT)单分子的电学性质测量,得到了BDF的电导值和I-V特性曲线.     

射频MEMS开关的研究

概述射频MEMS开关的研究背景及意义，介绍国内外射频MEMS开关的研究现状，列举出两种主要的射频MEMS开关：电容耦合并联式开关和金属．金属接触串联式开关的结构、工作原理、性能比较。     

PECVD法生长氮化硅工艺的研究

采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.