静电封接中的热应力研究

通过对静电封接结构的受力分析，建立了静电封接后弹性膜片的热失配应力数学模型。并分析了改善微压传感器性能的技术途径。     

微系统技术（连载四）──封装技术

简要介绍了微系统的封装技术：静电封接、粘接、共熔接合、倒装接合及高温条件下，用于混合集成的厚膜技术。     

硅压力传感器的静电封接技术

<正> 一、前言 我所在研制压力传感器过程中,静压膜合的气密封接经过了较长时间的工艺实践,先后采用过不同形式的熔接方式,如金硅共熔,低温玻璃封接等。较好的解决这一技术问题还是静电封接。静电封接原理目前引起了人们广泛的兴趣,两种不同的材料处在固态情况下,借助电场力的作用,将封接件牢固地结合在一起。其优点     

硅压力传感器的新技术

在研制压阻式扩散硅压力传感器中，除了采用常规的平面工艺以外，还需要几项特殊的、重要的新技术、新工艺，简要地论述真空静电封接技术、异向蚀刻技术以及减少层错的三氯乙烯氧化工艺等．     

压阻式绝对压力传感器的研制

<正> 压阻式绝对压力传感器是利用单晶硅的压阻效应,在周边固支的圆型膜片上采用半导体平面工艺,在晶片特定的方向和位置上制成电阻并组成全桥电路,最后通过静电封接技术形成真空腔制成。     

发明与专利

一种利用压电石英晶体传感器检测微生物的方法及装置;光学头,光信息媒体驱动装置及传感器;垂直地震剖面测井仪器的运动状态传感器;传感器小间隙非粘连静电封接工艺;多功能模拟传感器;具有多个压电元件的压电传感器;     

一种新型单晶硅SO I 高温压力传感器

单晶硅 SOI高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度 ,与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的 SOI结构。本文给出了这种压力传感器的工艺生产过程 ,并相对深入地讨论了各向异性腐蚀硅杯和静电封接这两道工序。介绍了此种压力传感器的工作原理。最后给出了测试结果及结论。     

二甲醚装车鹤位静电接地监测系统

采用SL-038A接地监测报警仪,在二甲醚装车过程中对其静电接地是否符合要求进行全程监测,一旦出现接地不良时,自动切断二甲醚液相切断阀.达到静电接地不符合要求不允许启动液相切断阀的目的.     

ADSL掉线八宗罪 处理方法招招应对

1．接地线质量问题 PC接地性能一定要好。否则静电会影响ADSL的传输速率甚至会引起掉线。一般PC接地电阻应小于10Ω。另外，由于施工时电源布放不规范，有的没有接地线，或地线质量不合格，也会影响网络设备的正常使用，甚至出现掉线问题，应及时整改。     

静电电压表的微机控制系统

一、前言静电电压表是用于测量交流和直流高电压的仪表,其测量范围可以从几百伏到几千伏,几十千伏,甚至几百千伏。这种电压表的基本原理如图1所示。被测电压接至平板电极1,平板电极2接地。在1和     

阳极键合工艺进展及其在微传感器中的应用

分析了阳极键合技术的原理和当前阳极键合技术的研究进展，综述了微传感器对阳极键合的新需求，展望了阳极键合技术在传感器领域的应用前景。     

静电键合在高温压力传感器中的应用

分析了硅－玻璃静电键合界面受热循环作用,或者受反向电压作用后,在高温时,键合力的特点,实验验证了高温（４５０℃）时键合面牢固、稳定。研究结果表明高温压力传感器可以采用静电键合技术进行封装。     

采用线阴极的快速阳极键合方法

在平板阴极和点阴极方式做阳极键合时,时间-电流特性、键合速度、结合界面质量等都有所不同。通过建立力学和电学模型,分析了不同阴极形状对阳极键合的时间、强度以及结合界面特性的影响。根据模型分析,采取了线阴极工作方式做阳极键合,样品的键合区扩散时间只需要84s。结合界面无空洞,键合强度为16.7MPa。     

两电极多层阳极键合实验研究

介绍了用2个电极通过一次电极反接的方式实现多层样片之间阳极键合的操作工艺和键合机理,并以玻璃-硅-玻璃三层结构为例对其进行了实验研究。结果显示：多余的玻璃对第一次键合过程的电流特性影响不大,而第一次键合的玻璃对第二次键合电流产生显著的影响,电流出现不规则的突变。而且,在第二次键合过程中,第一次键合的玻璃在键合面上会出现由于钠元素积聚而产生的黄褐色斑点。拉伸强度实验的结果表明：第二次键合过程中在第一次键合面形成的反向电压会减弱键合的强度;通过合理选择键合参数可以得到满足MEMS封装要求的键合强度。     

复合量程加速度计阳极键合残余应力研究

复合量程加速度计阳极键合过程中产生的残余热应力会引起加速度计的零位失调,也是导致加速度计失效的原因之一。对键合过程中产生的残余热应力进行了研究,仿真并分析了残余热应力与键合温度、玻璃基底厚度和框架键合宽度的影响,确定了适合复合量程加速度计的最佳键合宽度和玻璃基底厚度。     

低温阳极键合技术研究

通过键合温度220~250℃、键合电压400~600 V的硅玻璃低温阳极键合实验,分析了温度和电场分别对键合强度和键合效率的影响,并讨论了键合机理。     

A new method for fast anodic bonding in microsystem technology

Other than temperature and voltage, load plays a key role in anodic bonding process. In this paper we present a new design of top electrode (cathode) for anodic bonding machine by which the bonding time has been reduced up to 30 % in case of bare silicon wafer at ?400 V and approximate 52 % in case of oxidized silicon wafer with Pyrex glass bonding at ?800 V. Experimentally it has been observed there was no bonding in oxidized silicon wafer with Pyrex glass up to ?600 V by using standard design while it has been successfully bonded at same voltage (?600 V) by using new design.     

半导体高温压力传感器的静电键合技术

本文论述了多晶硅高温压力传感器中的硅 玻璃静电键合技术 ,包括硅 玻璃静电键合机理 ,键合强度及键合后残余应力的改善措施 .通过大批量键合封接实验 ,键合的成品率达到 95 %以上     

A test structure for characterization of the interface energy of anodically bonded silicon-glass wafers

In this paper a test structure is introduced, which allows the evaluation of the quality of an anodic bond interface in terms of surface energy. It is based on the creation of small non-bonded areas in the vicinity of small steps in the bond interface. Using finite element analysis simulations it was possible to calculate the surface energy of the monitored bonding processes. The test structure was used to investigate the influence of anodic bonding parameters (temperature and voltage) on the surface energy.