| 低温阳极键合技术研究 |
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| 引用本文： | 王多笑,邬玉亭,褚家如.低温阳极键合技术研究[J].传感器与微系统,2005,24(9):37-39. |
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| 作者姓名： | 王多笑 邬玉亭 褚家如 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学,精密机械及精密仪器系,安徽,合肥,230027 |
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| 摘 要： | 通过键合温度220~250℃、键合电压400~600 V的硅玻璃低温阳极键合实验,分析了温度和电场分别对键合强度和键合效率的影响,并讨论了键合机理。
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| 关 键 词： | 低温 阳极键合 键合机理 |
| 文章编号： | 1000-9787(2005)09-0037-03 |
| 收稿时间： | 04 8 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005年4月8日 |
Research on low temperature anodic bonding technique |
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| WANG Duo-xiao,WU Yu-ting,CHU Jia-ru.Research on low temperature anodic bonding technique[J].Transducer and Microsystem Technology,2005,24(9):37-39. |
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| Authors: | WANG Duo-xiao WU Yu-ting CHU Jia-ru |
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| Abstract: | With the bonding temperature ranging from 220~250℃ and the bonding voltage ranging from 400~600V,the effects of temperature and the applied voltage on the bonding strength and the bonding efficiency are analysed by low temperature silicon-glass anodic bonding experiments.The bonding mechanism is discussed. |
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| Keywords: | low temperature anodic bonding bonding mechanism |
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