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Si/Ag/Si和Si/Au/Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用透射电镜(TEM)和X射线能谱(EDS)对a-Si:H/Ag/a-Si:H和a-Si:H/Au/a-Si:H薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件,分形的形成可用随机逐次触发形核和生长(RSNG)来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散,Si分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在a-Si:H/Ag/a:Si:H膜中存在部分较大的Ag晶粒凸出膜面。 相似文献
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采用PECVD技术在P型硅衬底上制备了a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜,利用AES和TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为,结果表明:a-SiOxL:H/a-SiOy:H多层薄膜经退火处理形成nc-Si/SiO2多层量子点复合膜,膜层具有清晰完整的结构界面,纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构,颗粒大小随退火温度升高而增大小随退火温度升高而增大,在一定的实验条件下,样品在650℃下退火可形成尺寸大 相似文献
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氩离子轰击对射频溅射法制备的a—SiC:H膜退火形成6H—SiC的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本对射频溅射法沉积的a-SiC:H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究。我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程。在较高的射频功率下沉积的a-SiC:H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC:H形成6H-SiC(1000℃)。高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击 相似文献
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氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
本文对射频溅射法淀积的a-SiC∶H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究.我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程.在较高的射频功率下淀积的a-SiC∶H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC∶H形成6H-SiC的温度(1000℃).高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相.通过改变射频功率,本文研究了氩离子轰击对a-SiC∶H膜及形成6H-Si 相似文献
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本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
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a-SiGe:H材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件,选择适当的氢稀释率、气体压强,掺锗率和辉光功率,获得了光带隙为1.45eV,光暗电导比为1.6×10^5的高质量a-SiGe:H材料。 相似文献
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本文选用了Co/Si/GaAs结构作为研究对象,经600℃恒温退火及800℃快速退火处理后,分别在GaAs衬底上形成Cosi2/GaAsSchottky接触.采用多种薄膜和界面的测试技术,对CoSi2:/GaAs的薄膜及界面特性进行了细致的研究.结果表明:热退大处理后,Co/Si经化学反应形成了较均匀的CoSi2单相,其薄膜电阻率约为30μΩcm.即使经900℃的快速返火处理后,GaAs界面仍保持相当的完整性,同时薄膜形貌也很理想.此外,采用I-V电学测试法对经750℃恒温退火处理后形成的CoSi2/Ga 相似文献
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研究了a-SiN:H的退火行为及其作为栅介质使用时,退火对a-Si:HTFT工作特性和可靠性的影响,实验事实表明,在380℃以下的退火处理a-SiN:H介电常数的变化呈单调上升趋势,对a-SiN:H TFT的工作特性和可靠性有明显的改善,温度进一步升高时,介电常数减小,a-Si:HTFT的特性变坏。 相似文献
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本文将Ge-SiO2光纤中秀导色心的密度性能与在相同光纤中写入的光纤布喇格光栅(FBG)相关联的折射率调制性能进行了比较。发现,光诱导出的GeE色心与注量的关系、它的热退火性能以及它与H2的相互作用都与填H2和未填H2Ge-SiO2光纤中形成的折射率调制性能相类似。填H2Ge-SiO2光纤具有更强的光敏性,这是由于填H2Ge-SiO2光纤中GeE’色心形成效率更高的缘故,GeH具有附加的贡献。此外 相似文献
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以WSi复合材料作为靶源,采用直流磁控溅射工艺成膜,在不同氩气(载能粒子)压力条件下,800℃、17min退火前后WSi/GaAs系统的性能。包括用显微显像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化;SEM分析系统断面、AES分析膜层与GaAs衬底的界面情况;并通过肖特基二极管I-V特性的测量研究其整流特性。实验结果表明,在1.3--1.6pa氩气压力下淀积的WSi膜层与GaAs衬底所构成的系统具有 相似文献
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研究了Si^+和Si^+/As^+注入到Horizontal Bridgman(HB)和Liquid Encapsulated Czochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现:在相同条件下(注入与退火),不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同,通常电激活HB〉LEC,HB SI--GaAs(Cr)(100)A面〉(100)B面,Si^+/As^+双离子 相似文献
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本文介绍了用于测量a-Si:H隙态密度的空间电荷限制电流(SCLC)法,并报道了采用此方法对PECVD方法制备的a—Si:H材料隙态密度的测量结果。对n+a—Si:H/a—Si1H/n+a—Si:H结构的样品,测量得到费米能级上0.16eV间的欧态密度分布为1015~1018(cm-3eV-1)。 相似文献
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本文从a-Si:H的材料特性出发,采用更为精确的a-Si:H带隙态分布模型计算了a-Si:HCCD的转移特性,得出了a-Si:H材料参数对a-Si:HCCD的动态性影响的数值分析结果,理论结果表明,a-Si:H材料带隙中局域态分布对a-Si:HCCD的转移特性有非常大的影响,而且在高频下,a-Si:H中的带尾态对a-Si:HCCD转移特性的影响比深局域态要大。 相似文献