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浅析MOSFET高速驱动器电路设计 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对MOSFET转换过程的分析,得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项,得出了在设计高速驱动MOSFET电路过程中的要点。这对用开关电源设计MOSFET的高速驱动电路有参考价值。 相似文献
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凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术。目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考。对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议。 相似文献
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由于MOSFET栅源极和栅漏极间存在着寄生电容,也即Cgs和Crss(统称为输入电容Ciss),而且呈现非线性特性,它的存在在高频时会影响到功率放大器的驱动电路的性能。因此,文中构建了包含输入电容的功率放大器的电路模型,并以ARF461A射频功率MOSFET为例,分析了输入电容Ciss对射频功率放大电路的驱动电路设计的影响。实验结果和理论分析保持了很好的一致性。理论分析和实验均表明,在射频MOSFET功率放大器的设计中,充分考虑输入电容Ciss的影响,可以提高驱动电路的驱动能力和放大器的性能。 相似文献
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为了使BUCK变换器中MOSFET能够浮地工作,采用脉冲变压器构成其栅极驱动电路.分析驱动电路的结构和工作原理,对脉冲变压器进行设计,并给出增大磁化电感和减小漏感的方法,从而有效传输驱动波形,有利于降低MOSFET的损耗,提高BUCK变换器的效率.通过软件和实验对脉冲变压器驱动电路进行电路仿真和实验验证. 相似文献
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《电子技术与软件工程》2016,(24)
提出了一种功率MOSFET驱动电路。首先介绍了MOSFET的驱动要求及驱动不足产生的影响,然后介绍了一种外置式转换驱动电压的驱动电路,最后通过仿真验证了外置式转换驱动电压的驱动电路。 相似文献
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介绍IR2130功率MOSFET驱动器的特点,设计基于功率MOSFET和栅极驱动芯片IR2130的无刷直流电动机功率驱动电路,通过对驱动电路自举元件的合理选择以及寄生效应的正确分析和处理,实现无刷直流电机的电子换向和高效驱动,具有结构简单,工作稳定,保护可靠等优点.另外IR2130驱动芯片内置死区电路,以及过流保护和欠压保护等功能,大大降低了电路设计的复杂度,提高了系统的可靠性. 相似文献
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微型化大电流脉冲激光器驱动电路研究 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案,计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响,分析了MOSFET场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式,通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对驱动电路波形的影响;理论和仿真结果表明,通过驱动电路与激光器芯片的一体化集成,提高了脉冲激光器性能,设计并制作了尺寸为14mm的微型化驱动电路;经测试,27V直流电压源驱动下,驱动信号上升时间小于15ns,脉宽25~150ns,最大占空比0.5%,输出幅值大于22V。 相似文献
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针对MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET能在高速应用场合的可靠运行.该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点.经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性. 相似文献
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针对激光驱动电路纳秒脉冲宽度无法调节的问题,设计了一种新型的脉宽可调的窄脉冲激光驱动电路。利用FPGA和激光二极管的工作原理,设计并搭建半导体激光器驱动电路。电路采用高速MOSFET作为开关器件驱动激光二极管SPLPL90-3,并利用LTspice仿真软件分析激光驱动电路中电源电压、储能电容和阻尼电阻对驱动脉冲的影响,最终选择最佳的电路参数。当电源电压为150 V,储能电容为1 nF,阻尼电阻为2Ω时,最终输出激光二极管的电流为39.7 A,脉冲宽度6 ns,上升沿3 ns,满足了大电流纳秒脉冲半导体激光器驱动电路的设计要求。 相似文献
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<正> 目前国内生产的荧光灯电子镇流器绝大多数采用驱动变压器式的半桥拓扑结构来驱动功率MOSFET,两只功率MOS-FET管在驱动变压器的作用下交替导通给灯管提供电流,开关频率由LC共振频率决定。这种电路存在着以下缺点:(1)电路本身不能自启动,通常要在低侧功率MOSFET管栅极加上双向触发二极管才能在电路接通瞬间触发低侧功率MOSFET管;(2)驱动变压器限制了电子镇流器的小型化;(3)驱动变压器的生产成本高。 采用IR215×系列控制集成电路取代传统的变压器驱动方式可克服上述缺点。IR215×系列芯片为高压、高速功率MOSFET或IGBT驱动集成电路,可驱动高侧和低侧MOSFET或IGBT,能够提供高达600V的直流偏置电压,具有自振荡或 相似文献