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凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术。目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考。对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议。 相似文献
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文中介绍了驱动电流、驱动功耗的计算方法;分析了MOSFET开关过程中电流电压的变化规律;最后对常用的驱动电路解决方案及其优缺点、设计中需要注意的问题等进行了分析总结。根据MOSFET门级驱动电路的特点及设计过程中需要考虑的影响因素,为可靠、高性能的MOSFET应用设计提供参考。 相似文献
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浅析MOSFET高速驱动器电路设计 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对MOSFET转换过程的分析,得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项,得出了在设计高速驱动MOSFET电路过程中的要点。这对用开关电源设计MOSFET的高速驱动电路有参考价值。 相似文献
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为了使BUCK变换器中MOSFET能够浮地工作,采用脉冲变压器构成其栅极驱动电路.分析驱动电路的结构和工作原理,对脉冲变压器进行设计,并给出增大磁化电感和减小漏感的方法,从而有效传输驱动波形,有利于降低MOSFET的损耗,提高BUCK变换器的效率.通过软件和实验对脉冲变压器驱动电路进行电路仿真和实验验证. 相似文献
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功率MOSFET的研究与进展 总被引:1,自引:1,他引:0
器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。 相似文献
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基于半桥拓扑结构的特点,得出了MOS管驱动电路的基本要求,重点分析了MOS管驱动电路各分电路的设计参数,实验验证了驱动电路的合理性. 相似文献
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《Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on》2009,17(8):997-1007
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In this paper, we have analyzed the design parameters of Cylindrical Surrounding Double-Gate (CSDG) MOSFETs as an RF switch for the advanced wireless telecommunication systems. The proposed CSDG RF MOSFET is operated at the microwave regime of the spectrum. We emphasize on the basics of the circuit elements such as drain current, threshold voltage, resonant frequency, resistances at switch ON condition, capacitances, energy stored, cross talk and switching speed required for the integrated circuit of the radio frequency sub-system of the CSDG RF CMOS device and the physical significance of these basic circuit elements is also discussed. We observed that the total capacitance between the source to drain for the proposed CSDG MOSFET is more compared to the Cylindrical Surrounding Single-Gate (CSSG) MOSFET due to the greater drain current passing area of the CSDG MOSFET, which reveals that the isolation is better in the CSDG MOSFET compared to that of the simple double-gate MOSFET and single-gate MOSFET. We analyzed that the CSDG MOSFET stores more energy (1.4 times) as compared to the CSSG MOSFET. Therefore, the CSDG MOSFET has more stored energy. The ON-resistance of CSDG MOSFET is half than that of the double-gate MOSFET and single-gate MOSFET, which reveals that the current flow from source to drain in CSDG MOSFET is better than the double-gate MOSFET and single-gate MOSFET. 相似文献
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针对实际应用中Power MOSFET开关工作状况与现有文献的描述有很大不同,使用不当易造成器件的损坏和设备的崩溃这一现象,在应用条件下对Power MOSFET开关特性进行了研究,深入分析了Power MOSFET的开关过程,提出了关于开关过程四阶段的新观点,并采用对开关过程的等效输入电容进行分段线性化的新方法对不同阶段的开关参数进行了计算,搭建了开关特性实验电路,实验结果表明,提出的Power MOSFET开关过程四阶段的新观点是正确的,等效输入电容分段线性化的新方法是合理的。 相似文献