MEMSE类放大器

对采用 MEMS开关的 E类放大器进行了原型仿真 ,并且通过工艺流片制作 MEMS开关 ,搭建 E类放大器电路进行测试 .测试结果显示 ,这种机械式的放大器同样能实现有源放大器的功能 .测试得到的放大器实际效率与原型模拟结果一致 ,而放大器的功率增益高达 2 0 0 0 .     

多晶硅衬底上的RF MEMS开关

在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RF MEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RF MEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RF MEMS微机械开关的下拉电压.用TE2819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0.32pF、6pF和25V.用HP8753C网络分析仪对RF MEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RF MEMS微机械开关在频率1.5GHz下关态的隔离度为35dB,开态的插入损耗为2dB,用示波器测得该开关的开关速度为3μs.     

E类高频功率放大电路的分析

本文对 E 类高频功率放大电路进行了较详细的理论分析,并得到了对电路设计和调整有用的资料。1.引言 E类放大器是开关式放大器的一种,它的优点是:(1)集电极电流的上升与电压的下降不同时出现;(2)电容器与晶体管并联连接。这种电路有利于实现大功率中波广播     

用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计

给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理.采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂.采用HHNEC 0.35 μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声.     

高效率E类放大器(续)

(接上期第44页) 3 E类放大器设计与特性分析 1977年F.H.Raab[1,2]提出分析E类放大器的最佳工作条件的方法,其后也不断有分析、设计E类放大器的新方法.但这些方法也存在种种缺点[14,23],诸如未考虑最佳工作条件、优化算法耗时费力、算法的不收敛性以及对输出功率等电路参数不可控制等. 1994年,C.H.Li与Y.O.Yam[26]提出了简便易行的基于分析的电路参数设计方法以及一种新的分析方法,文献[40]又加以改进,并取得了理论值与实验值相吻合的结果,说明这种设计分析方法是合理的.这种方法的优点是在给定频率、输出功率、电源电压等参数后,用电路参数设计方法可设计出最佳工作条件下的放大器的电路元件值,并可计算此时的主要工作波形诸如输出电压、开关管(电路中的晶体管工作时处于开关工作状态,以下称为开关管)电压、电流,以及放大器效率、输入功率、输出功率、损耗功率等结果.     

高线性度低功耗的4阶开关电容低通滤波器

介绍了一种应用于传感器的高线性度低功耗全差分4阶贝塞尔开关电容滤波器.该滤波器的运算放大器为输出AB类运算放大器,通过AB类运算放大器以及开关电容共模反馈的设计,降低了功耗.在运算放大器中设计了线性跨导环,并通过对电路的拓扑结构进行优化,提高了滤波器的线性度.测试结果表明,在采样频率为1 MHz下,该滤波器的截止频率为10.05 kHz.在输入信号频率为1 kHz,输出信号的总谐波失真(THD)为-89 dB(摆幅为2 V),功耗为5.54 mW,达到了高线性度、低功耗的设计要求.     

基于MEMS的光开关技术研究

介绍了光开关、MEMS和MEMS光开关的基本概念.基于功能实现,重点分析了二维和三维MEMS光开关的实现机理与特性.针对两者不足,研究了一维MEMS光开关.分析了MEMS光开关的驱动方式,并针对静电驱动、二维MEMS光开关,研究了MEMS光开关控制系统.     

MEMS开关辐照实验研究

进行了MEMS开关的辐照试验,并对结果进行了分析。所述的MEMS开关采用单晶硅悬臂梁结构实现金属电极接触,工作电压小于50V,最大工作频率大于10kHz。进行了中子辐照和γ辐照实验,其中中子注量为2.73×1013cm-2,γ总剂量为50krad(Si)。并通过对MEMS开关辐照前后性能的测试,获得了辐照对MEMS开关性能影响的实验数据。结果表明,在辐照剂量大于10krad(Si)时MEMS开关性能有明显变化。借鉴国外的相关研究成果,对MEMS器件的辐照失效机理进行了初步分析。     

射频E类功率放大器并联电容技术研究

为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值.分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法.指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了E类功率放大器中并联电容对电路性能的影响,同时给出了考虑并联电容的E类功率放大器的设计方法.     

兼具VOA功能的1×2 MEMS光开关

光开关和可变光衰减器(VOA)是光通信系统中的关键器件,而微电子机械系统(MEMS)技术是一种具有发展前景的光开关技术.文章提出一种兼具VOA功能的1×2 MEMS光开关,详细介绍了其原理,并且利用矩阵光学推导了插入损耗的计算公式.在设计了透镜的各项参数的基础上制作出了光开关样品,并且将样品的测试结果与计算的结果进行对比分析,指出这种光开关是具有实用价值的.