多晶硅衬底上的RF MEMS开关

在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关     

多晶硅衬底上的RF MEMS开关

在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RF MEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RF MEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RF MEMS微机械开关的下拉电压.用TE2819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0.32pF、6pF和25V.用HP8753C网络分析仪对RF MEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RF MEMS微机械开关在频率1.5GHz下关态的隔离度为35dB,开态的插入损耗为2dB,用示波器测得该开关的开关速度为3μs.     

多晶硅微机械开关

利用LPCVD SiO2和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与IC工艺兼容技术问题,获得了淀积弱张应力的多晶硅膜的最佳工艺条件,研制出多晶硅微机械开关.初步测试出其开关的开启电压为89V,开关速度为5μs,这为研制用于雷达和通讯的全单片集成的RF MEMS开关系统打下了基础.     

射频微机械CPW开关的研究

本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关.初步测试结果如下:开态电容为0.21pF,关态电容为6.1pF,致动电压为22V,关态下的隔离度为35dB,开态下插入损耗为3dB.该工艺完全与硅基IC工艺兼容,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化,降低体积提高可靠性打下了基础.     

多晶硅微机械开关

利用LPCVD SiO2和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与IC工艺兼容技术问题,获得了淀积弱张应力的多晶硅膜的最佳工艺条件,研制出多晶硅微机械开关.初步测试出其开关的开启电压为89V,开关速度为5μs,这为研制用于雷达和通讯的全单片集成的RF MEMS开关系统打下了基础.     

十二位SOI/CMOS数模转换器的研制

介绍一种SOI／CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI（Silicon On Insulator)材料代替常规的体硅，使电路具有高速、抗辐照的特点；同时，电路采用独特分段结构和3－7温度编码电路，降低了对R－2R电阻网络的精度要求，提高了转换精度。     

硅片直接键合过程中的界面控制

本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。