Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响

在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽；两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件的敏感响应和稳定特性．理论结果与实验观测结果相符，为进一步探索提高ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器敏感特性的方法提供理论依据．     

pH－ISFET传感器及其测量方法研究

在对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器参数及其输出特性分析的基础上，讨论了四种测量ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的模式和适用条件，以及实现差分测量的简单方法。在ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ差分对结构测量中，以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考电极仍得到较好的线性响应。     

ISFET的设计制造和封装技术

本文介绍了ＩＳＦＥＴ（离子敏场效应管）的结构原理、设计考虑、制造工艺和封装技术，提出了背接触封装结构，提高了ＩＳＦＥＴ型ＰＨ传感器的可靠性和使用寿命。     

电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究

本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。     

pH—ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法

本文提出了用ＳＰＩＣＥ软件模拟ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件及其电路的方法。通过ＳＰＩＣＥ内部的ＭＯＳＦＥＴ参数和引入一些信号源来实现对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器及其电路的ｐＨ灵敏度关系，瞬态响应以及温度特性的模拟，所得结果与实验观测结果基本相符。     

微型固态库仑滴定传感器的研制

本文介绍了一种离子敏场效应管（ＩＳＦＥＴ）与库仑滴定分析技术相结合而形成的固态库仑滴定传感器．采用ＭＯＳＩＣ工艺和硅微机械加工技术制成了尺寸为６×７ｍｍ２上面含有ＩＳ－ＦＥＴ敏感元件及执行元件的工作管芯，可对有效滴定体积约为０．２μＬ的酸碱溶液在３０秒内完成库仑滴定分析，其分析结果与常规的容量分析相一致．     

采用汇编语言的快速傅里叶变换

快速傅里叶变换（ＦＦＴ）用于某些科学和信号处理应用中计算离散傅里叶变换。此变换历来用Ｃ语言执行。然而，假若速度是一个极端关键问题，则也可考虑用汇编语言执行此变换。下面就是这样的例子：分解为实数和虚数部分（ＢＵＦＦＥＲ－ＲＥＡＬＡＮＤＢＵＦＦＥＲ＿ＩＭＡＧＥ）的一系列离散点是程序的自变量，用来计算ＦＦＴ并把结果存储在它们对应的实数和虚数部分中（ＲＥＳＵＬＴ＿ＲＥＡＬａｎｄＲＥＳＵＬＴ＿ＩＭ＿ＡＧＥ）。程序工作首先计算所需要的幂，然后通过内和外循环的一组嵌套来计算变换。此外，已知ＦＦＴ具有倒数性质，…     

HF缓冲溶液处理Si（111）表面的化学稳定性椭偏谱研究

首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ１临界点峰值却随之上升；在ｐＨ＝５．３的ＢＨＦ中腐蚀，再经去离子水漂洗后，可得到较稳定的Ｓｉ（１１１）表面，在空气中一小时之内基本不氧化．     

离子敏PH传感器的研究

本文介绍了一种采用硅键合ＳＯＩ材料作衬底的离子敏场效应管（ＩＳＦＥＴ）型ＰＨ传感器。这种结构减小了衬底泄漏电流，改善了ＰＨ传感器的温漂特性和时漂特性。本文提出的结构为ＰＨ传感器的实用化开发了新的途径。     

一种全新的高性能n－JFET和n－p－n兼容工艺

本文提出了一种全新的ｎ－ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ兼容工艺，采用二次外延实现了ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ的隔离。介绍了工艺流程，并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及隔离的温度和时间对ｎ－ＪＦＥＴ的Ｖ＿ｐ和ｎ－ｐ－ｎ管的性能的影响进行了讨论。采用这种工艺研制出了Ｖ＿ｐ达３．５～４．５Ｖ，Ｉ＿（ＤＳＳ）＝１５ｍＡ的ＪＦＥＴ和ｆ＿Ｔ＝８００ＭＨｚ，β＝１００，ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥２５Ｖ的ｎ－ｐ－ｎ管，并成功运用于调制解调开关侧音放大器中。     

自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。     

具有隐埋电镀热沉结构用于高性能MMIC的大功率GaAs FET

报道了一种称作“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的ＦＥＴ结构（先进的源区通孔ＦＥＴ）。“ＳＩＶＦＥＴ”（源区通孔ＦＥＴ）￣［１］是一种新型的ＦＥＴ，其每个源电极都通过通孔与４０μｍ厚的背面电镀热沉金属相连接地，以达到减小源寄生电感的目的。为了获得低的热阻，芯片厚度要小达３０μｍ。“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的改进结构包含了一种选择隐埋ＰＨＳ（电镀热沉）用以代替背面的厚金层。在这种ＦＥＴ中，由于有源层在器件工作时会产生热量，所以有源层下面的基片厚度设定为３０μｍ，并且在其下面埋入了７０μｍ厚的电镀热沉金属金以改善热阻。为了获得微带线的低损耗和足够的机械强度，芯片其它部分的厚度设定为１００μｍ。该结构提供了更高的功率输出及功率附加效率，并且使芯片的操作更加方便。实验结果显示，当这种１３５０μｍ栅宽的ＦＥＴ处在最大沟道温度（４２．１℃）时，具有极低的热阻（１６℃／Ｗ）。其射频特性为，在Ｖ＿（ｄｓ）＝７Ｖ时，对应于１ｄＢ功率压缩点下的功率输出高达２７．９ｄＢｍ，功率附加效率为３２％；当频率为１８ＧＨｚ时，线性增益为８．３ｄＢ。该器件同时也具有很优异的功率密度，当Ｖ＿（ｄｓ）＝８Ｖ时，其值为０．５４Ｗ／ｍｍ。在机械可靠性方面这种结构也?     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。     

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。     

pH—SIFET传感器及其测量方法研究

在对ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器参数及其输出特性分析的基础上，讨论了四种测量ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的模式和适用条件，以及实现差分测量的简单方法。在ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ差分对结构测量中，以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考电有仍得到较好的线性响应。     

pH－ISFET 输出时漂特性的研究

本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压上ΔＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成ΔＶＴ（ｔ）的正向时漂．提出了器件阈值电压时漂的初步物理解释．     

具有隐埋电镀热沉结构用于高性能MMIC的大功率GaAs FET

报道了一种称作“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的ＦＥＴ结构（先进的源区通孔ＦＥＴ）。“ＳＩＶＦＥＴ”（源区通孔ＦＥＴ）是一种新型的ＦＥＴ，其每个源电极都通过通孔与４０μｍ厚的背面电镀热沉金属相连接地，以达到减小源寄生电感的目的。为了获得低的热阻，芯片厚度要小达３０μｍ。“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的改进结构包含了一种选择隐埋ＰＨＳ（电镀热沉）用以代替背面的厚金层。在这种ＦＥＴ中，由于有源层在器件工作时会产生热量，     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

150kHz IGBT将代替功率MOSFET

１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...