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| HF缓冲溶液处理Si（111）表面的化学稳定性椭偏谱研究 | |
| 引用本文： | 苏毅,张秀珠,陈良尧,包宗明,钱佑华,薛自,盛伯苓.HF缓冲溶液处理Si（111）表面的化学稳定性椭偏谱研究[J].半导体学报,1996,17(3):207-211. |
| 作者姓名： | 苏毅 张秀珠 陈良尧 包宗明 钱佑华 薛自 盛伯苓 |
| 作者单位： | [1]复旦大学物理系李政道综合物理实验室 [2]上海轻工业高等专科学校 |
| 摘 要： | 首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ１临界点峰值却随之上升；在ｐＨ＝５．３的ＢＨＦ中腐蚀，再经去离子水漂洗后，可得到较稳定的Ｓｉ（１１１）表面，在空气中一小时之内基本不氧化． |
| 关 键 词： | HF缓冲溶液 硅（111）表面 化学稳定性 椭偏谱 |
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