服务于高速光纤网络的新型硅锗技术

飞利浦电子集团推出了全新的半导体处理技术—ＱＵＢｉＣ４‘Ｇ’。该技术完美结合了超高速硅锗技术、无源元器件集成及ＱＵＢｉＣ４ＢｉＣＭＯＳ处理技术的衬底隔离和密集的ＣＭＯＳ逻辑功能。ＱＵＢｉＣ４‘Ｇ’为高速集成电路设计人员提供了独特的高／低击穿电压晶体管组合 ,可进行ｆｔ、ｆｍａｘ和噪音值的优化选择。该组合一方面包括有ｆｔ 为７５ＧＨｚ和ｆｍａｘ为１００ＧＨｚ的低压晶体管 ,从而确保设计高线性放大器和传输门所需的增益和相位边缘。另一方面也包括了高压（ＢＶＣＥ＞３．８Ｖ）高频晶体管 ,因而可部署ＶＣＯ等电路…     

掺杂硅酸铋晶体的生长及吸收光谱的研究

用提拉法生长了质量较高的Ａｌ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（简称Ａｌ∶ＢＳＯ和Ｃｒ∶ＢＳＯ）晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ∶ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透过率（７０％）；Ｃｒ∶ＢＳＯ晶体中除Ｃｒ３＋外，还存在少量Ｃｒ４＋     

607激光扫描速度对WC－B＿4C－SiC－Co熔覆层组织和性能的影响

６０７激光扫描速度对ＷＣ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ－Ｃｏ熔覆层组织和性能的影响潘锦芳（山西师范大学物理系，太原０４１００４）王开富，张思玉（兰州大学物理系，兰州７３０００１）本文介绍了我们用一台大功率ＣＯ＿２激光器在４５钢表面进行ＷＣ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ－Ｃｏ...     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

SiC肖特基势垒二极管

本文简要地介绍了半导体ＳｉＣ材料的特性，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ，ＧａＰ等材料作了比较，同时介绍了ＳｉＣ９肖特基势垒及ＳｉＣ肖特基势垒二极管的伏－安特性。     

SiCp/6061Al复合材料激光表面熔化及合金化显微组织与耐蚀性

为提高颗粒增强铝基复合材料耐蚀性，对ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光表面熔化和激光表面合金化。结果表明：激光表面熔化后，因熔化层中形成大量耐蚀性低的针状Ａｌ_４Ｃ_３相及Ａｌ_４ＳｉＣ相而使激光表面熔化层耐蚀性降低，以Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ粉末为原料对ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光表面合金化后，合金层耐蚀性明显提高。     

蓝光半导体碳化硅──材料、器件和工艺

碳化硅（ＳｉＣ）是目前主要的蓝光半导体材料之一，国际上已初步实现了ＳｉＣ蓝光发光二极管的产业化。目前商品器件工作电压３．０Ｖ，工作电流２０ｍＡ时，发射波长４７０ｎｍ，功率１８μＷ，工作电流５０ｍＡ时，辐射功率可达３６μＷ。最近的实验研究发现，采用ＳｉＣ和氮化镓的合金制成的ＬＥＤ可大幅度提高发光效率，其发射功率的实验室水平已达８５０ｍＷ。文中从ＳｉＣ材料特性、ＳｉＣ发光器件及ＳｉＣ材料、器件工艺等几方面入手，综述了ＳｉＣ作为蓝光半导体材料及其器件和工艺的研究进展。     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

基于神经网络BP算法PECVD Si3N4钝化工艺的模拟

由于ＩＣ制造过程的高度复杂非线性，利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果，现描述一种新的途径－－神经网络反向传播算法，并介绍了神经网络ＢＰ算法ＰＥＣＶＤ Ｓｉ３Ｎ４钝化工艺中的应用。通过建立ＰＥＣＶＤ淀积工艺的神经网络模型，对ＰＥＣＶＤ Ｓｉ３Ｎ４钝化工艺进行了计算机模拟，讨论了相关工艺条件对Ｓｉ３Ｎ４介质膜特性的影响，所编写的神经网络应用程序已用Ｃ语言在计算机上得到了实现。     

1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用

本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进行高选择比的，各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸（ＣＤ）总损失＜０．０８ｕｍ的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀     

Si／SiGe HBT高频特性的模拟与分析

给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的高频特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善，而基区及集电结ＳＣＲ区的电荷输运时间将成为提高Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。     

准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管

本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．     

Bi_(1.7)Pb_(0.4)Sr_(2－x)La_xCuO_(6－δ)体系的调制结构

Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ体系的调制结构陆斌＊毛志强＊张裕恒＊李方华＊＃（＊中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６＃中国科学院物理研究所）本文报道了名义组份为Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ（ｘ＝０...     

合并互补BiCMOS集成电路的研究

分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对合并互补（ＭＣ）ＢｉＣＭＯＳ集成电路的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明，ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单，芯片面积小，工作速度高，负载能力强和低压工作特性好等优点。     

激光制备多层薄膜及铁电性能的研究

利用脉冲准分子激光淀积（ＰＬＤ）方法，在Ｓｉ基片上制备了ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕、ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕铁电薄膜。用ＸＲＤ分析了多层铁电薄膜的晶相结构；用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路研究了这些单层和多层铁电薄膜的铁电性能。结果表明，单层ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为４ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度为３．４μＣ／ｃｍ２；ＰＺＴ／ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为８２ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为３６μＣ／ｃｍ２；ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ夹层铁电薄膜的矫顽场Ｅｃ为５７ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为２９μＣ／ｃｍ２。最后讨论了薄膜的铁电性能与多层结构的关系     

Fe或Ni元素对Zr4Co4Si7晶体结构的影响

利用高分辨电子显微术结合计算机像模拟技术研究了Ｚｒ４Ｃｏ４Ｓｉ７的晶体结构。结果表明，Ｚｒ４Ｃｏ４Ｓｉ７（Ｚｒ４Ｃｏ４Ｇｅ７型）结构为体心四方点阵，点阵常数ａ＝１．２９３５ｎｍ，ｃ＝０．５０９０ｎｍ，空间群为Ｉ４／ｍｍｍ，用Ｆｅ或Ｎｉ元素置换Ｚｒ４Ｃｏ４Ｓｉ７结构中的部分Ｃｏ原子后，并不改变结构点阵类型及点阵中原子的配位关系，点阵常数变为：Ｚｒ４Ｃｏ４Ｓｉ７结构中的部分Ｃｏ原子后，并不改变结构点阵     

SiC颗粒增强Al—Si复事材料中的SiC及其界面

以常规ＴＥＭ为工具，对ＳｉＣｐ／ＺＬ１０９复合材料中ＳｉＣ颗粒及其界面进行了研究，除观察到大量α型六方６Ｈ ＳｉＣ外，还观察到少量α型六方４Ｈ和菱形１５Ｒ ＳｉＣ。观察到的都是单一的ＳｉＣ／Ａｌ及ＳｉＣ界面，无论是ＳｉＣ／Ａｌ或ＳｉＣ／Ｓｉ界面，界面清洁，结合紧密，无孔洞，无反应过渡层。     

SiC 半导体材料与器件（1）

本文介绍了半导体ＳｉＣ材料的结构和特性、材料制备及器件研制的进展，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调指出ＳｉＣ做为一种接近实用的高温、高频、高功率和抗辐射器件材料的优越性，同时亦指出ＳｉＣ器件进一步实用化所需解决的问题及应用前景。     

迅速发展的SiC半导体技术

ＳｉＣ半导体技术在近几年得到了迅速发展，与其它半导体材料相比，ＳｉＣ独特的热特性和电特性，在功率和频率性能方面具有最高的品质因数，ＳｉＣ还适应于高温和辐射环境，从结构上看，ＳｉＣ具有多种不同质异型体。本文概括介绍了ＳｉＣ材料特性，晶体生长和器件研制的进展情况，以及ＳｉＣ的应用前景。     

具有优良性能的MCBiCMOS IC结构

本文分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对ＭＣＢｉＣＭＯＳ集成电路结构的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明：ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单；芯片面积小；工作速度高，负载能力强和低压工作性能好等优点。