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GaN基功率LED高低温特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
首次对自制的GaN基大功率白光和蓝光发光二极管在-30~100°C的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对比分析了参数变化的原因,以及这些变化对实际应用的影响。结果表明,温度对大功率LED的光电特性有很大影响,通过对比发现白光LED的部分光参数随温度的变化不仅与GaN芯片有关,同时受到荧光粉的影响。低温环境下,要考虑LED的正向电压升高和峰值波长蓝移对应用的影响;而高温条件下要考虑光功率降低和峰值波长红移对应用的影响。 相似文献
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根据色度学原理计算,通过选择匹配的基色波长和功率,制备了GaN/GaAs基ITO键合白光发光二极管(LED),得到了等能白光。通过测试发现,在20mA下,电压为5.3V,此方法是制备固态照明用白光LED的有效方法之一。 相似文献
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热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上.测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350 mA工作电流下正向电压为3.0 V.将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连. 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2018,(2)
研究了低能电子束辐照对GaN基白光LED发光性能的影响。利用电子束模拟空间电子辐射,对白光LED灯板进行电子束辐照,并与辐照前的灯板比较,研究其光学性能,尤其是色度学性能的变化。试验结果表明,在电子束辐照后,LED的光效退化,色温增强,蓝光峰值波长蓝移,荧光粉激发作用增强。最后总结了辐照前后的平均蓝光峰值波长、黄光相对峰强以及色温的变化值与辐照剂量的对应关系。同时对实验结果进行机理分析和讨论。本实验对照明用白光GaN基LED的辐照研究以及改性实验有指导作用。 相似文献
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本文综述了最近几年国内外聚合物发光二极管和激光器的研究进展状况和前景。对几种典型结构发光二极管和激光器做了简要介绍。并指出,这个领域虽然取得了很大成功,但仍有一些棘手的问题急待解决。 相似文献
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介绍一种新封装半导体器件的研发。通过对产品开发过程中各技术难点及相应解决方案的介绍,展现该产品的主要研发过程和所涉及到的关键技术难点。关键技术难点包括引线框架设计、设备改造、工艺控制等。引线框架(一种正向串联的二极管框架结构)设计产品的总体结构问题,是该过程的第一技术关键点。设备改造和工艺控制解决了生产实现和质量控制问题。 相似文献
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J. P. Henning K. J. Schoen M. R. Melloch J. M. Woodall J. A. Cooper Jr. 《Journal of Electronic Materials》1998,27(4):296-299
This paper presents a study of the rectifying properties of heavily doped polycrystalline silicon (polysilicon) on 4H silicon
carbide (4H-SiC). Current properties and barrier heights were found using analysis of the heterojunction. This revealed that
Schottky analysis would be valid for the large barrier height devices. Isotype and an-isotype devices were fabricated on both
p-type and n-type SiC and the electrical characteristics were investigated using capacitance vs voltage measurements, current
vs voltage measurements (I-V), and temperature I-V measurements. Extraction of the barrier height, built-in potential, and
Richardson constant were made and then compared to theoretical values for the heterojunction. Temperature I-V measurements
demonstrated that the current transport mechanism is thermionic emission, confirming the validity of the Schottky diode model.
The I-V characteristics show near ideal diode rectifying behavior and the capacitance-voltage characteristics show ideal junction
space charge modulation for all polysilicon/SiC combinations. These experimental results match well with heterojunction band-offset
estimated barrier heights and demonstrate that the barrier height of the polysilicon/4H SiC interface may be controlled by
varying the polysilicon doping type. 相似文献
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当集成电路工艺进步到鳍式场效应晶体管(FinFET)技术节点时,二极管仍广泛用于输入/输出端口(I/O)的静电放电(ESD)防护工程,但二极管单位宽度鲁棒性比平面工艺有所降低。文章基于14 nm FinFET工艺,对栅隔离型二极管的失效电流(It2)、失效电压(Vt2)、单位宽度失效电流(It2/Width)以及单位面积失效电流(It2/Area)进行了详细研究,并给出了ESD器件特性随尺寸参数的变化趋势。实测数据表明,It2/Width随着Fin数目(nfin)、沿Fin方向的倍乘因子(Fn)、垂直于Fin方向的倍乘因子(Yarray)等的增加均会有所降低,但It2/Area却有所提高,且开启电阻几乎不受nfin和Fn的影响。 相似文献
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D. Donetsky J. Chen L. Shterengas G. Kipshidze D. Westerfeld 《Journal of Electronic Materials》2008,37(12):1770-1773
Arrays of 100-μm-wide GaInAsSb/AlGaAsSb laser diode emitters with a fill factor of 30% have been fabricated. Suppression of lateral lasing
was achieved by the incorporation of grooves between the emitters. A quasi-continuous wave (CW) (30 μs, 300 Hz) output power of 16.7 W from a 4-mm-long laser bar has been demonstrated. 相似文献
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600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%。另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性。 相似文献
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正The polysilicon p-i-n diode displays noticeable process compatibility and portability in advanced technologies as an electrostatic-discharge(ESD) protection device.This paper presents the reverse breakdown,current leakage and capacitance characteristics of fabricated polysilicon p-i-n diodes.To evaluate the ESD robustness,the forward and reverse TLPⅠ-Ⅴcharacteristics were measured.The polysilicon p-i-n diode string was also investigated to further reduce capacitance and fulfill the requirements of tunable cut-in or reverse breakdown voltage. Finally,to explain the effects of the device parameters,we analyze and discuss the inherent properties of polysilicon p-i-n diodes. 相似文献
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提出了一种简易的超宽带亚周期微波脉冲电路设计方案,该方案利用阶跃恢复二极管的阶跃特性和肖特基二极管正向压降小且恢复时间短的特性,产生单极性、亚周期的微波脉冲,其电路结构简单、体积小巧、设计制造成本低廉、调试方便。实验结果表明,采用该方案设计的微波脉冲发生器可以产生半高宽为150 ps 的超宽带亚周期微波脉冲,且脉冲拖尾现象很小。在脉冲的重复率为85 MHz 时,产生的脉冲幅值最大,约为3.7 V,且波形拖尾现象最小。提出的设计适用于各类超宽带系统中的窄脉冲发生电路。 相似文献