部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性

分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制.在此基础上,提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法.     

全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型

提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.     

LCoS微显示驱动芯片表面形貌研究与改进

介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.     

LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响

利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系.计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小.而LDD掺杂能量对K1NK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小.     

SOI LDMOSFET的背栅特性

在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性.背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和关态击穿特性均有明显影响.相比于源体紧密接触结构,低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小,这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启.还介绍了一种绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管的电路模型,其包含前栅沟道,背栅沟道和背栅偏置决定的串联电阻.     

隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响

在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数值模拟软件MEDICI吻合较好.     

核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真

利用MC工具Geant4研究核反应对于半导体器件单粒子翻转效应(SEU)的影响,构建了研究的一般方法。辐照过程中电学与核反应物理过程的作用决定器件中敏感单元产生的淀积电荷量的分布,核反应的物理过程对于沉积较高电荷量的贡献很大。此外,利用Geant4分析静态随机存储器(SRAM)敏感单元上的后段互连材料钨对于单粒子翻转的反应截面的影响,并进行了模拟仿真。模拟结果表明,钨层的存在会加重存储器件的单粒子翻转效应。     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关     

MOSFET模型＆参数提取

器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口，对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型，并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。     

高性能42nm栅长CMOS器件

研究了20～50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压VDD为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱动电流Ion分别为745μA/μm和-530μA/μm,相应的关态漏电流Ioff分别为3.5nA/μm和-15nA/μm.NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV/Dec和34mV/V,PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mV/Dec和57mV/V.栅长为48nm的CMOS 57级环形振荡器,在1.5V电源电压下每级延迟为19.9ps.