我的影院:我的理想影院组合

将玩的乐趣与内心的快乐与满足感觉表达出来。与影音爱好者分享是一件非常有意义的事。伟文先生的影音组合是与众不同的。但正如他所说的：“各人对声音及画质的要求都是很主观的。我认为这样组合能满足我的要求。对应我的品味。比其他贵数倍的器材还要好。那就算别人说什么。又有什么关系呢。”这就是一种个性。一种自信。如果我们每一个人都多一点个性。多一点自信．多一点思考。影音的乐趣同样也在我们身边。     

KEF Q1的搭配问题

您好。我是入门的。经济实力也有限。听音面积20平米。喜欢蔡琴、王菲、许冠杰。不喜欢劲歌热舞。对爆棚低音也不是很感冒。个人比较欣赏KEFQ1。因为水平低，对摆位什么的没研究。据评论．KEFQ1的皇帝位很宽。摆位容易，整体音响异常和谐融汇。音乐是整体性的，很有一种浑然天成的音乐气氛。气度温顺。所以我想选Q1，那我想问问。2000元以内的功放哪款推Q1最适合我的要求?2000元左右的CD机选那款呢?马兰士4000怎么样?另外还有平价的线材请推荐。     

飞利浦榨汁机 轻松享受原汁原味

原汁原味的果汁。越来越受都市人欢迎。但是，普通榨汁机清洗不便。使得它离走入普通百姓家还有一段距离。飞利浦HRI869／00 Avanee榨汁机。一次可制作多达25升果汁。具有超大加料管。水果和蔬菜无需切块：700瓦强劲马达，坚硬果蔬一样轻松榨。创新的倒置式滤网果汁榨取系统，使出汁率大幅提高。     

尊宝AVR690家庭影院放大器

来自丹麦的尊宝(Jamo)。一向以外观造型美观。系列齐全的音箱产品而著称。并率先在业界提出”声音指南”的全新概念。推出为家庭用户提供全套组建家庭音响系统的声音解决方案。利用专门编撰的“声音指南手册”。以直观明了的手法。为不同需求的用户解决在音响搭配过程中遇到的问题。事实上。音响的搭配是一个复杂的系统过程。     

GE高新材料提高生产效率

IR发布了专用于AC-DC功率因数矫正电路的瓜1150系列产品。由于采用S0．8封装。在75W～4kW功率范围内。为计算机、消费电子产品和家电提供了简便、灵活、高密度的解决方案。瓜1150内采用了单周期控制技术。不仅简便可靠。而且所需元件少，     

MYRYAD Z140特别版

近日。MYRYAD已经推出了Z140SE特别版本。在元器件和线路方面做了改良。改良后的Z140SE在保留原来细节丰富、驱动力强优点的基础上，声音更加甜美湿润，风格更加贴近甲类机。传统英国功放的韵味吏加浓郁。这样。Z140SE不仅在搭配上的适应面进一步拓展。而且重播效果也更有音乐感染力。     

PHILIPS DVDR 615刻录机

功能强大的DVD刻录机过去由于价格高。使用不方便，给人以浓厚的专业色彩。回头看一下中国的碟机市场，LD还未在中国普及．一场VCD风暴却已前所未见地掀起。DVD机的登场也是走出了一波步步高升的行情。但DVD刻录机的的市场命运却大不一样．从推出至今已经多年了。却仍然只有有限的消费群体。除了多年的格式之争外，相信最大的障碍就是价格了。当然还有就是便利性了。随着DVD刻录机的多年发展。现在已经到了广泛进入中国家庭的时候。使用多年的传统磁带录像机也该是淘汰的时候了。原因很简单。格式之争已经基本集中在DVD-R／RW及DVD+R／RW上。经PHILIPS DVD刻录机刻录的DVD+R／RW碟片都可以在任何DVD机或个人电脑中播放。绝无播放兼容性问题。价格下调相信是最大的驱动力了。整机价格由去年的9000元左右。下降到现时的3000多元。作为消耗品的刻录碟也有所下调。其价格下降之快着实令人吃惊。价格的金字塔效应是非常明显的。价格越低。消费者自然就越多。至于使用的便利性。同传统磁带录像机相比。已经有过之而无不及了。作为DVD刻录机的消费者。他们购买DVD刻录机的目的就是要用上他的刻录功能。那么现在市场上是否有一款易用．实用、简单．便宜、性能有保证的DVD刻录机呢?回答是有。它就是PHILIPS的DVDR 615。     

青春写得江山绿 夕阳犹映晚霞红——记我国电力电子与电力传动自动化领域奠基人、上海大学教授陈伯时先生

玉楼春·变频英雄谱 一尊醉江月,七弦翻吴楚。 六玺折尽将兵骨。 蜀志笑谈戎策、觅敌手。 沧浪拍岩崖,旌旗卷龙虎。 庙堂良才傲封侯。 谁是英雄豪杰、一纸书。 中国变频器产业发展的历史是英雄的奋斗史。 让英雄名留青史是传媒的责任。 特开设“变频英雄谱”。 是以为序。     

蓉城九月车展，顶级豪车惊艳

12万。85个。400家。2500万。502320人次。7825辆。483辆。 一组看似毫无关联的数字,揭示出第十四届成都国际汽车博览会的盛况。2011年9月16至25日,第十四届成都国际汽车博览会在成都世纪城新国际会展中心成功举办。本届车展启用了世纪城新会展中心全部9个展馆和室外场地共计12万平方米,共有包括多个顶级品牌在内的85个品牌参展,参展厂商达到400家,展出车辆762辆,吸引观众502320人次,可谓盛况空前。     

专利,3G盛会前的鸿沟

潜藏的3G价值。让国内厂商垂涎欲滴。然而。3G知识产权基本费用问题却横在中国3G产业与庞大价值之间。各种势力混乱纠缠。相关计算没完没了。作为息息相关的国内厂商该何去何从     

PZT薄膜的制备及其与MEMS工艺的兼容性

用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀.分别用SEM,XRD,EDX对电极和PZT薄膜的相貌、相结构以及化学组分进行了分析.结果表明:所制备的PZT薄膜具有完全的钙钛矿型结构;这种图形化的工艺方法大大改善了电极和PZT的图形化条件,在不影响电极和PZT性能的同时,提高了电极和PZT的图形质量;底电极和PZT的图形化过程,避免了强酸长时间的腐蚀,大大提高了PZT薄膜的制备与MEMS工艺的兼容性.     

PbZr0.52Ti0.48O3薄膜红外椭圆偏振光谱研究

用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5～ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 .     

硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究

用溶胶-凝胶（Sol-Gel）方法制备了硅基Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜。分析了PZT铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质。基于上述分析结果提出并实现了低温退火处理制备有PT过渡层的PZT铁电薄膜的工艺流程。测试了低温制备的PZT铁电薄膜的C-V、漏电等电性能,发现在Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜的工艺中加入PT过渡层,有助于提高PZT薄膜的品质。     

化学溶液法制备PbZr0.5Ti0.5O3／La0.5Sr0.5CoO3铁电多层薄膜的结构和光学性质研究

采用金属有机化学液相沉积法在Si衬底上制备了La0.Sr0.5CoO3(LSCO)导电金属氧化物薄膜，采用溶胶－凝胶法在LSCO导电金属氧化物薄膜上沉积了PbZr0.5Ti0.5O3（PZT）铁电薄膜，X－射线测量结果表明在700℃的退火温度下制备的PZT／LSCO铁电多层薄膜呈（110）取向的钙钛矿结构，谢乐公式估算铁电薄膜的晶粒尺寸为50－80nm，原子力显微镜观察结果显示：薄膜表面平整，均方根粗糙度（RMS）小于5nm，用拉曼光谱测量表明PZT薄膜呈拉曼活性，椭圆偏振光谱仪用来表征薄膜在400－1700nm波长范围的光学性质，用洛仑兹模型来描述PZT和LSCO薄膜的光学性质，获得PZT和LSCO薄膜的折射率，消光系数等光学常数谱。     

Sol—Gel方法制备掺Y PZT铁电薄膜材料的研究

介绍用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备掺ＹＰＺＴ（ＰＹＺＴ）铁电薄膜的工艺，并比较了ＰＺＴ和ＰＹＺＴ薄膜的性能参数。实验结果表明，掺Ｙ后使ＰＺＴ铁电薄膜的性能得到改善     

PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Si衬底上制备了PbTiO3 (PT)薄膜和Pb (Zrx,Ti1-x)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度以及PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,制备的PZT薄膜为纯钙钛矿结构的多晶薄膜,有PT种子层的PZT薄膜晶粒尺寸更大,(110)面取向度更高,结晶性能更好;原子力显微镜(AFM)结果表明,制备的薄膜表面形貌比较平整、均匀、无裂纹;压电力显微镜(PFM)结果表明,压电力显微镜(PFM)结果表明,有PT种子层时,PZT薄膜的平均压电系数d33为128～237 pm/V,无PT种子层时平均压电系数d33为21～29 pm/V。在升温速率为10 ℃/s的退火条件下保温10 min时,随着退火温度的升高,PZT薄膜晶粒尺寸增大,粗糙度增大,(110)面取向度升高,平均压电系数d33增大。PT种子层能够有效的改善PZT薄膜的结晶性能和压电性能。     

水热—溶胶凝胶法制备PZT薄膜

采用水热—溶胶凝肢法制备了锆钛酸铅( PZT)压电陶瓷薄膜.首先利用水热法处理Si基板,使之生成SiO2/Si层,然后采用旋涂法在处理好的Si基板上涂覆摩尔比r(Zr:Ti)为52:48的PZT前驱体溶胶.研究了基板处理方式、退火温度以及涂胶层数对PZT薄膜结晶性能、表面形貌及厚度的影响.结果表明:水热处理Si基板对P...     

高取向PZT厚膜的0-3复合法制备

采用 0 3复合法 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上成功制备了单层厚度 0 .9μm ,总厚度 10 μm ,并且无裂纹的Pb(Zr0 .53,Ti0 .4 7)O3铁电薄膜。溶液中粉体的存在减小了加热时的体积收缩 ,降低了制备过程中膜内部产生的应力 ,从而使得单层厚度可达 0 .9μm ,防止了薄膜开裂。X射线衍射分析表明薄膜为单一钙钛矿相结构且结晶状态良好 ,采用已烧结的粉末时 ,薄膜呈〈110〉取向 ;扫描电子显微镜分析表明 ,薄膜表面无裂纹 ;介电性能测试结果显示 ,其相对介电常数可高达 115 0。为了研究粉末的状态和薄膜取向之间的关系 ,将未经烧结的未结晶的PZT粉末加入前驱溶液中 ,在相同的制备条件下 ,可得沿〈10 0〉晶向强烈取向的PZT薄膜     

PZT铁电薄膜刻蚀的研究进展

PZT铁电薄膜器件在微电子领域有着广泛的应用，可用于制备微机械系统(MEMS)、DRAM、红外探测器等，而薄膜的微图形化刻蚀技术是制备工艺中重要的环节。该文主要介绍了PZT铁电薄膜刻蚀技术的研究进展和应用，并对各种刻蚀法进行分析和对比。     

PZT,PT干凝胶的制备及应用

采用减压抽滤的方法成功制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3,PbTiO3干凝胶,并用STA449C差热分析仪表征了干凝胶的性能。干凝胶溶解后得到了性能优良的PZT薄膜和PZT/PT复合膜。采用X射线衍射技术表征了两种薄膜的微观结构及成相特征。薄膜的介电性能及漏电流性能由HP4284ALCR及Keithley6517A来确定。试验结果表明:用减压抽滤得到的干凝胶的方法,可以彻底解决溶胶凝胶中先体存放的问题,得到的铁电薄膜有优良的介电与铁电性能。PZT的相对介电常数与介质损耗分别为424,0.033,PT作为中间层的复合膜的相对介电常数和介质损耗分别为261,0.014;PT薄膜可以调整和改进PZT薄膜的性能,使之达到应用于热释电探测器的要求。