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AlN/GaAs界面的AES和XPS研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了AlN薄膜.用AES方法和XPS方法分析了AlN膜和AlN/GaAs界面.在AlN/GaAs界面发现了O—Al键,没有发现O—Ga键或O—As键.本文通过实验证明,AlN/GaAs界面的O元素在AlN淀积过程中从GaAs表面转移到AlN膜中.这与通过PECVD方法淀积AlN薄膜形成的AlN/GaAs界面完全不同.由于AlN/GaAs界面的O元素是与Al结合的,因此有较好的界面特性.这是直流磁控反应溅射方法制备的AlN薄膜适用于GaAs器件钝化的主要原因 相似文献
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反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝(AlN)薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Al和N发生完全反应制备高质量符合化学计量比的AlN薄膜。讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响。实验结果表明,当DE=1.0J·cm-2,PN2=13.333kPa,Tsub=200℃,V=650V,f=5Hz,dS-T=4cm时,高质量的AlN薄膜被成功地沉积于Si(100)基片上。分析表明薄膜是具有高取向性的AlN(100)多晶膜,薄膜的能带间隙约为6.2eV,其电阻率和击穿电场分别为2×1013Ω·cm和3×106V·cm-1。 相似文献
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报道了转换效率为14.6%~15.8%的多晶薄膜CdS/CdTe太阳电池的研制。用MOCVD法,在玻璃衬底上制备SnO_2和SnO_2:F薄膜,水溶液化学淀积法获得80~100nm厚的CdS薄膜和密堆积升华法制备5μm厚CdTe薄膜,CdS/CdTe太阳电池的短路电流密度高达24~25mA/cm ̄2。同时,对各层薄膜晶形和微观结构进行了分析研究。 相似文献
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用射频溅射方法,在不同工作气体(纯Ar和Ar+10%O_2)和不同基片偏压(-30V到-180V,间隔-30V)下,由烧结Al_2O_3靶材制备Al_2O_3薄膜。测试了样品的介电强度和沉积速率,对部分样品的结构和成份分别用XPS和X射线进行了分析。结果表明:薄膜均呈非晶态;在两种工作气体中,随着基片负偏压的升高,沉积速率和介电强度均下降,但在-60V偏压时,介电强度具有最大值。含氧的工作气体导致沉积速率下降,但提高了介电强度。在含氧和-60V偏压下,Al_2O_3薄膜的平均介电强度为3.46MV/cm。纯氩气氛中制备的Al_2O_3薄膜是缺氧的,而含氧的工作气体可使薄膜中的氧含量提高。 相似文献
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利用各种分析电镜观察了掺杂助烧剂和未掺杂助烧剂的AlN陶瓷的微观结构特征,鉴别了AlN中的第二相,研究了AlN基板上薄膜(Au-Pt-Ti)和厚膜(Mo-Mn)金属化界面的结构。 相似文献
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用于LCD的氧化铝阻挡层的射频反应溅射沉积及其特性 总被引:6,自引:0,他引:6
用金属铝靶射频反应溅射制备了Al2O3薄膜,用作LCD基片玻璃的钠离子阻挡层。报道了射频溅射参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。测试结果表明,所沉积的Al2O3薄膜满足LCD器件阻挡层的要求。 相似文献
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T. L. Hu S. W. Mao C. P. Chao M. F. Wu H. L. Huang D. Gan 《Journal of Electronic Materials》2007,36(1):81-87
In this experiment, a radio frequency dual ion beam sputtering (DIBS) system was used to prepare aluminum nitride (AlN) films
with a bottom Al electrode on a Si (100) substrate. After systematic testing of the processing variables, a high-quality film
with preferred c-axis orientation was grown successfully on the Si (100) substrate with an Al target under 700 eV energy flux, N2/(N2 + Ar) ratio of 55%, and 4 × 10−4 torr in vacuum. The characteristics of the deposited AlN thin films were studied by x-ray diffraction (XRD), scanning electron
microscope (SEM), transmission electron microscope (TEM), secondary ion mass spectrometry (SIMS), and electronic spectroscopy
for chemical analysis (ESCA). The surface roughness was also measured. It was found that AlN films prepared by DIBS at room
temperature are better than those prepared at 300°C, and those prepared with an Al target are better than those prepared with
an AlN target. The inferiority of AlN films prepared with AlN targets is due to the AlN bond being broken down by the ion
beam source. 相似文献
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Aluminum nitride films were prepared by mid-frequency magnetron sputtering on Si (111) substrate. The grown films were characterized by X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) to obtain the structural and the chemical information. The polycrystalline thin films were in a hexagonal wurtzite structure having a (002) preferred orientation, along which the columnar grain structure was found. XPS study revealed the presence of oxygen and carbon contaminations, as well as the Al-rich nature of the film. Anomalous C-V characteristics of Al/AlN/n-Si capacitors were studied. The measured C-V curves show rolloffs in the accumulation region and voltage stresses cause both horizontal and vertical shifts of the C-V curves. These anomalous behaviors are mainly due to the large current conduction and the charge trapping in the Al-rich AlN layer. 相似文献
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氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。 相似文献
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LIAOHua LINLi-bin LIUZu-ming CHENTing-jin 《半导体光子学与技术》2003,9(2):89-94
The preparation,current status and trends are investigated for silicon thin film solar cells.The advantages and disadvantages of amorphous silicon thin film,polycrystalline silicon thin film and mono-crystalline silicon thin film cells are compared.The future development trends are pointed out.It is found that polycrystalline silicon thin film solar cells will be more promising for application with great potential. 相似文献
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《Microwave and Wireless Components Letters, IEEE》2009,19(3):140-142
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薄膜体声波滤波器(FBAR)传感器的性能受结构和材料特性的影响很大。该文利用COMSOL Multiphysics有限元仿真软件,建立了FBAR传感器的二维、三维有限元结构模型。用氮化铝和氧化锌材料作为压电薄膜对建立的模型做了固体力学和静电学仿真分析,得到了FBAR传感器的谐振频率、导纳特性曲线和谐振频率处的位移分布情况。通过分析发现氮化铝压电薄膜阻抗特性曲线更平滑,而氧化锌压电薄膜存在明显的寄生谐振峰的问题。针对氧化锌压电薄膜存在的寄生谐振峰进行了优化,仿真分析了电极边长尺寸和电极厚度对寄生谐振的影响,实现了对寄生谐振峰的有效抑制。 相似文献
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激光熔蚀反应淀积AlN薄膜残余应力及热稳定性的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
激光熔蚀反应淀积于 Si(10 0 ) ,Si(111)基底上的 Al N薄膜是高质量高取向性的 Al N多晶膜 ,薄膜与基底的取向关系为 Al N(10 0 )∥ Si(10 0 ) ,Al N(110 )∥ Si(111)。薄膜具有较低的残余应力和较好的热稳定性。实验结果表明 ,当氮气压强和放电电压分别为 10 0× 133.33Pa和 6 50 V时 ,薄膜的残余应力低于 3GPa。此样品在纯氧环境 50 0℃时 ,经过 3h的退火 ,红外吸收谱检测未发现有Al2 O3 特征峰出现。对 Al N/Cu双层膜的研究表明所制备的 Al N薄膜在金属薄膜的防护上也有潜在的应用价值。 相似文献
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采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,AlN薄膜表现出了良好的(002)生长取向。实验结果表明,适当的RF偏置能够提高Al原子和N原子反应时的活性,促进AlN薄膜的(002)择优生长。该溅射方案应用于薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振器工艺加工,成功制作了Q值为300,机电耦合系数为5%的FBAR样品。 相似文献