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大功率CO2激光熔凝稳定ZrO2 总被引:4,自引:0,他引:4
利用大功率CO2激光熔凝稳定ZrO2高温快离子导体获得成功.报导了激光熔凝的原理、工艺过程及熔凝后样品的微观分析等研究结果.激光熔凝的CSZ和MSZ快离子导体样品在温度为1000℃时的电导率达到2×10-2Ω-1cm-1量级. 相似文献
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采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2~20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;在150~220mJ/Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,GaN薄膜表面结构得到改善.研究发现,在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ/Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能. 相似文献
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CO_2激光合成陶瓷的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
本文介绍了用CO_2激光合成Al_2O_3、Al_2O_3-5%mol Cr_2O_3固熔体,Al_2O_3-20%wtZrO_2(+3%molY_2O_3)混合体和Al_2(WO_4)_3陶瓷材料的方法。激光合成的Al_2(WO_4)_3为Al_2O_3-WO_3二元平衡相图中不存在的新化合物。对激光合成的陶瓷材料进行了组织形貌分析,并测量了其显微硬度,发现用激光合成的陶瓷较用昔通工艺制备的同种陶瓷有更高的硬度。 相似文献
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