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| AlN/GaAs界面的AES和XPS研究 | |
| 引用本文： | 曹昕,罗晋生,陈堂胜,陈克金.AlN/GaAs界面的AES和XPS研究[J].半导体学报,1999,20(7):539-542. |
| 作者姓名： | 曹昕 罗晋生 陈堂胜 陈克金 |
| 作者单位： | [1]西安交通大学微电子所 [2]南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了ＡｌＮ薄膜．用ＡＥＳ方法和ＸＰＳ方法分析了ＡｌＮ膜和ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面．在ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面发现了Ｏ—Ａｌ键，没有发现Ｏ—Ｇａ键或Ｏ—Ａｓ键．本文通过实验证明，ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素在ＡｌＮ淀积过程中从ＧａＡｓ表面转移到ＡｌＮ膜中．这与通过ＰＥＣＶＤ方法淀积ＡｌＮ薄膜形成的ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面完全不同．由于ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素是与Ａｌ结合的，因此有较好的界面特性．这是直流磁控反应溅射方法制备的ＡｌＮ薄膜适用于ＧａＡｓ器件钝化的主要原因 |
| 关 键 词： | 砷化镓 氮化铝 AES XPS 半导体薄膜技术 |
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