SnO_2薄膜气敏元件

<正> 我们利用自制的S枪溅射系统,在微晶玻璃衬底上运用磁控反应溅射技术制备掺Pd的SnO_2薄膜。S枪是一种高速低温的磁控溅射源,又称锥形环状磁控溅射源。它具有体积小、靶形小、换靶易、靶材料利用率高、功率密度大、溅射速率高等特点。而且金属、高熔点材料、合金、陶瓷等均可作为镀膜材料。在反应气氛     

紫外可见光谱法测量光刻胶的膜厚

在液晶显示器的制造过程中,光刻是极为重要的制造工艺过程之一。将厚的独立的负胶膜或者将光刻胶涂敷在二氧化硅衬底上以后,可以测量其膜厚,因为光刻胶膜厚决定其光刻工艺的工艺条件。能够快速地测量光刻胶的膜厚,是液晶显示器制造过程的先决性工作的一部分。文章提出了测量上述光刻胶膜厚的新方法,即利用紫外可见吸收光谱法中的Beer-Lambert定律来确定膜厚。在我们的研究中,采用acrylic负胶作为基质(resin) ,它分别具有50μm和100μm的膜厚。在350 nm时,50μm的薄膜的最大吸收为0 .728 ,而100μm的最大吸收为1 .468 5。而在正胶的研究中,采用novolac作为基质(resin)。它的膜厚通常是1 ～5μm。在紫外可见吸收光谱测膜厚的实验中,当重氮荼醌的吸收波长为403 .8 nm时,5 .93μm厚的薄膜的最大吸收为1 .757 4 ,其膜厚是由扫描电镜测得的。而另一个正胶薄膜在403 .8 nm的最大吸收为0 .982 3 ,其薄膜厚度计算得到为3 .31μm。利用这些数据,我们得到了这两种光刻胶薄膜的紫外可见吸收光强与其膜厚关系的两个校准曲线。     

Y2O3:Eu电致发光膜的制备与结构表征

采用电子束蒸发和射频磁控溅射技术沉积了Y2 O3 :Eu电致发光薄膜 ,对膜进行了不同温度的大气热处理。用原子力显微镜 (AFM)观察了Y2 O3 :Eu膜的表面形貌 ,用X射线 (XRD)分析了Y2 O3 :Eu膜的结构 ,并对两种Y2 O3 :Eu膜的微结构和表面形貌进行了比较。结果表明 ,射频磁控溅射Y2 O3 :Eu膜与电子束蒸发Y2 O3 :Eu膜相比 ,结构更致密 ,表面更平滑 ,而且 ,在 90 0°C高温热处理后 ,溅射膜呈现单斜晶系结构 ,具有该结构的Y2 O3 :Eu膜适宜于作电致发光膜。     

复合阴极材料电子发射特性的基础研究

在不同的温度、压力、电压条件下,对所开发的阴极材料进行了电发射特性的试验研究。研究结果表明,温度、压力、电压对发射电流均有不同程度的影响。在高温(>800 ℃)条件下,由阴极材料热发射所获得的电流密度比采用常规电晕方式所得到的电流密度至少高两个数量级。发射级具有良好的稳定性,可在高温高压条件下长期使用。     

无电晕式高温静电除尘器新型阴极材料的试验研究

在不同的温度和电压条件下,对新近开发的阴极材料进行了实验研究。研究结果表明,温度和电压对阴极材料的电发射性能均有不同程度的影响。在高温(>850℃)条件下,只需施加较低电压(2 000～3 000 V)就可以获得0.8～1.2 mA/cm2的电流密度,发射极具有良好的稳定性,可在高温条件下长期使用。     

多层介质膜MIM薄膜二极管的I-V特性研究

制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好 I-V特性对称性和较高电流通断比的 MIM薄膜二极管。采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其 Ta2 O5绝缘层。采用原子力显微镜 (AFM)对 Ta2 O5膜进行了表面分析 ,并对 MIM薄膜二极管的 I-V特性进行了测试。AFM分析结果表明 ,电子束蒸发 /反应溅射 /电子束蒸发法工艺制备的绝缘膜表面平整 ,膜层较致密 ;I-V特性测试结果显示 ,MIM-TFD的电流通断比约为 1 0 5,I-V特性曲线的非线性系数为 1 0 ,左右阈值电压分别为 6.3 V和 5 .8V,具有良好的对称性。该 MIM薄膜二极管的性能可以满足有源矩阵液晶显示的要求     

S枪制备的SnO2气敏薄膜分析

本文主要介绍采用S枪磁控反应溅射技术制备SnO_2气敏薄膜材料.运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X衍射仪、俄歇电子能谱仪及X光电子能谱仪进行了SnO_2薄膜表面形貌、晶格结构分析,并与不同工艺条件下的组分分析比较,为选择SnO_2薄膜制备工艺提供了重要的实验依据.     

铝靶脉冲反应溅射沉积氧化铝薄膜中的迟滞回线的研究

采用脉冲磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验 ,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过给出靶面刻蚀区氧化层厚度与氧分压之间的关系 ,解释了薄膜沉积速率变化的原因。     

电阻蒸发Ga2O3薄膜成分和结构的研究

采用电阻蒸发镀膜技术制备了Ga2O3薄膜,并进行了500l℃和800℃的大气热处理。分别用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了它们的成分和晶体结构。实验结果表明：采用电阻蒸发镀膜技术制备的Ga2O3,薄膜呈现非晶结构,薄膜成分沿深度方向的均匀性较差。经过500℃热处理后,薄膜转化为单斜结构(B相),薄膜成份的均匀性得到改善。经800℃热处理后,可以得到成份均匀的β-Ga2O3薄膜。并且,在不同的热处理温度下,薄膜的结晶取向也有所不同。     

成膜与热处理参数对溅射沉积ITO 膜电性能的影响

采用了补氧直流磁控反应溅射工艺制备ITO膜，在不同基片加热温度和补氧流量下获得最低方块电阻值的最佳制备工艺。对制备的ITO薄膜进行了退火热处理，研究不同温度热处理后膜的方块阻值的变化。实验表明，对一定的基片加热温度，ITO膜的方块电阻与溅射气氛中的补氧流量有关，并存在一个最佳补氧的值，在该条件下制备ITO的方块电阻最小，在膜厚为40nm埃时仅有不到100Ω／□。影响溅射沉积ITO透明导电薄膜方阻的，除了溅射沉积时基片的烘烤温度和补氧流量外，还包括后期大气退火热处理的温度。