高压集成电路中的HV MOS晶体管BSIM3 I-V模型改进

针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测量系统对HVMOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻R ds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了R ds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vas参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3 I-V模型模拟HV MOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.     

高压集成电路中的HV MOS晶体管BSIM3 I-V模型改进

针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测量系统对HVMOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻R ds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了R ds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vas参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3 I-V模型模拟HV MOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.     

BSIM射频模型综述

CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术要求模型研究人员持续改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型。美国Berkeley加州大学的BSIM团队对业界标准芯片仿真物理模型BSIM进行了不断的改进与开发。主要介绍BSIM系列模型在RF应用方面的改进。相对于BSIM3v3,BSIM4添加了更多真实器件效应,BSIM5和BSIM6是为了满足射频(RF)和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点。BSIM6可用于低压低功耗的RF和模拟设计。     

BSIM Model Research and Recent Progress

CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSIM团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSIM进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和介绍了最近几年来本人参与其中的BSIM工程的研究和进展情况,包括BSIM5的研究,BSIM4的增强和BSIMSOI的发展.BSIM5是为满足RF和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSIM4是一个成熟的工业标准仿真模型,在衬底电阻网络、隧穿电流、饱和电流原理和应力模型等方面有一系列的功能增强以支持技术进步的需求.BSIMSOI已经发展成可应用于SOI-PD和SOI-FD技术的普适模型,通过有效体电势△Vbi的改变进行器件工作模式的选择,可以帮助电路设计者实现PD和FD共存的设计趋势.     

BSIM模型的研究和最近进展

CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSIM团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSIM进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和介绍了最近几年来本人参与其中的BSIM工程的研究和进展情况,包括BSIM5的研究,BSIM4的增强和BSIMSOI的发展.BSIM5是为满足RF和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSIM4是一个成熟的工业标准仿真模型,在衬底电阻网络、隧穿电流、饱和电流原理和应力模型等方面有一系列的功能增强以支持技术进步的需求.BSIMSOI已经发展成可应用于SOI-PD和SOI-FD技术的普适模型,通过有效体电势△Vbi的改变进行器件工作模式的选择,可以帮助电路设计者实现PD和FD共存的设计趋势.     

一种基于衬底驱动技术的超低压模拟混频器

讨论分析了混频器和衬底驱动MOSFET的工作原理.在此技术基础上设计一个低压模拟混频器.基于TSMC 0.25 μm CMOS工艺BSIM3V3模型,采用Hspice对整个电路进行仿真.仿真结果表明,该混频器在1.2V的单电源电压下,可以实现对2.4GHz正弦信号的混频,转换增益为-12.8dB,三阶输入截止点的值为23dB.     

一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型

提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型.LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型.根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型.模型考虑自加热效应后,经过参数提取,模拟数据可以很好地与实际器件的测试数据相吻合,说明模型可用于LDMOS功率器件的电路仿真.     

77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究

77K低温参数是制冷型碲镉汞红外焦平面探测器读出电路设计与精确仿真的关键点之一。通过研究MOSFET非固有电容的特性,并基于BSIM3通用模型对电容的描述,在77K低温下进行测试提取,得到了相关的模型参数。嵌入SPICE软件仿真对比,证明了参数的准确性。     

BSIM3v3模型关键参数提取的研究

BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放设计为例进行比较,该方法提取的关键参数的手算结果比其他方法更接近仿真结果.     

一个0.9V低电压双端输出第二代电流传输器的设计

介绍一个0.9 V低电压双端输出第二代电流传输器(DOCCⅡ)的设计。输入级采用衬底驱动MOSFET有效地避免了阈值电压的限制;同时采用了局部正反馈技术提高了带宽增益,因此DOCCII获得了更好的电压跟随特性。该设计电路在标准0.18μm CMOS工艺下,采用Cadence Spectre和BSIM3v3模型对其进行了调试和仿真。仿真结果显示该DOCCII具有4.8MHz的带宽,同时具有比较高的线性度和很好的输入输出电阻。     

AR“S”系列微波功率放大器在无线通信测试中的应用

文章介绍了微波功率放大器在无线通讯测试中的应用,详细阐述了可能对此类测试造成影响的3IM、IP3、IMD3等关键参数的原理及其测试方法,介绍了AR＂S＂系列微波功率放大器在此类测试中的独特设计和技术优势。     

设计3GIP网络的策略

从工程实施的角度分析了当前3G网络的设计模式,指出当前设计模式的不足之处。根据摩托罗拉向全IP演进的实施经验,提出了3GIP网络的设计原则与目标；对于网络的演进作了适当的分析；最后对于IP地址的设计原则给出了建议。     

移动通信网单通串话故障的成因分析及排查预防

文章比较系统地研究了移动通信网中的单通串音问题及其成因，对排查方法进行了探讨。提出了建立长效预防机制的若干建议。文章的主要价值在于提出了处理客户投诉时的3W3H原则和四单原则，以及排查和预防的系统表，对移动通信运营商整治单通串话有借鉴意义。     

灾害医学救援中应把握的几个要点

制备了具有不同Al2O3含量的(Ca0.7Nd0.3)(Ti0.7Al0.3)O3微波介质陶瓷,并通过XRD、SEM、能谱分析(EDS)及材料介电性能测试结果的分析研究了Al2O3对陶瓷体烧结性能、介电性能和显微结构的影响.结果发现,添加Al2O3后体系主晶相未发生改变,仍为正交钙钛矿结构.Al2O3的添加促进了晶粒的生长,有效地降低了体系的烧结温度,材料的介电常数不随Al2O3的添加发生明显变化,但其品质因数与对应频率的乘积(Q×f)值则随添加量的增大呈先上升后减小的趋势,最高可达25 153 GHz.     

全业务运营下的电信品牌管理与传播

3G牌照发放为电信运营商带来新的希望,并促成全业务运营环境的形成.三大运营商纷纷推出各自的3G品牌并花大力气进行推广.本文将着眼于运营商品牌管理传播的所作所为,探讨全业务运营环境对运营商品牌传播管理的挑战.     

3GPP关于3G演进（LTE）的工作情况

随着新技术的不断出现以及移动通信理念的变革,为了把握新一轮的技术浪潮,保持在移动通信领域的领导地位,2004年底3GPP启动了关于3G演进型系统,即LTE的研究与标准化工作,并且计划在2007年发布第一个版本的系统规范。目前,该项目已经进行了将近一年的时间,各个方面的研究都取得了一定的进展。本文简要介绍了该项目的背景情况,目前的进展和相关的趋势。     

BaSnO_3/BaBiO_3复相陶瓷的显微结构及电性能

以BaCO3、SnO2和Bi2O3为原料,采用传统固相反应法制备了具有NTC特性的BaSnO3/BaBiO3复相陶瓷。借助XRD、SEM和R-t特性测试仪,研究了该陶瓷的相结构、断面形貌及n(BaBiO3)对其电性能的影响。结果表明:随着r(BaBiO3∶BaSnO3)从0.1∶1.0增大到0.9∶1.0,样品的B25/85值从4400K降低到3000K,同时室温电阻率ρ25从106Ω·cm降低到103Ω·cm。     

(ZnxMg1-x)TiO3微波介电性能及其TiO2掺杂研究

调节不同的r(Zn/Mg)值,用普通固相合成法制备了(ZnxMg1-x)TiO3(x=0.1~0.5(摩尔比)微波陶瓷基料,研究了r(Zn/Mg)及预烧温度对其微波和烧结性能的影响,并通过TiO2和CaSiO3玻璃掺杂改善了(ZnxMg1-x)TiO3基料的微波性能,最终获得了可在1 170℃烧成的相对介电常数rε=26~28,品质因数与频率之积Q.f>70 000(10 GHz),谐振频率温度系数τf<±10×10-6/°C的微波陶瓷。     

新型热释电材料及其在红外探测器中的应用

以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料.概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和0.42Pb(In1/2Nb1/2)...