离子注入浅结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）和反冲离子注入等。     

离子注入H13钢注入层微观结构的研究

本文利用ＴＥＭ研究了Ｓｉ，Ｔｉ离子注入Ｈ１３钢注入层微观结构。结果表明：Ｓｉ离子注入后，导致表面注入层微晶化及部分非晶化，内注入层多晶化；Ｔｉ离子注入后，表面注入层则完全非晶化，内注入层微晶化。     

（Si,N）离子注入H13钢注入层微观结构和摩擦学性能研究

本文比较了Ｓｉ，Ｎ和Ｓｉ＋Ｎ离子注入Ｈ１３钢后显微硬度和摩擦学性能的改善，结果表明Ｓｉ离子注入效果最佳。结合微观结构的ＴＥＭ研究，发现Ｓｉ离子注入后引起表面注入层部分非晶化及微晶化，内注入层多晶化。     

基于Opera-3D软件的碳化硅离子注入机光路设计与仿真

碳化硅（SiC）离子注入机是碳化硅半导体器件制造的核心装备，其光路设计与仿真是碳化硅离子注入整机研发的关键核心技术。利用Opera-3D软件研究了B+在不同注入能量下经加速、聚焦到靶室的传输包络图和束流截面形状，模拟仿真了B+通过扫描器、平行透镜后的注入均匀性，并与实际验证结果进行了对比。结果表明：现有SiC离子注入机光路在50～350 keV能量范围内具有较好的束流截面形状、离子传输效率和注入均匀性，能够满足SiC离子注入工艺需要。     

离子注入金属材料表面改性

本文着重叙述了最近以来离子注入金属材料改性新的进展。离子注入金属的研究,其研究对象品种繁多,需要高注量,且样品形状复杂,因此离子注入金属中的物理问题比半导体离子注入更加复杂。包括各种离子注入多种金属所出现的溅射腐蚀、倾斜注入、特球形状注入、离子浓度分布、注入条件与金属相变的关系以及离子注入提高耐磨损机理等诸多难题。离子注入金属材料改性研究近年来极为活跃,已发表了不少评论文章。希望这篇评论能对从事离子束材料改性工作的人员有所帮助。     

一台专用强流氧离子注入机的研制

制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了S0I材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别：注氧时间长，注入剂量大，注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温，金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。     

离子束辅助低能碳离子注入工艺原理

离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入，它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度，其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1～2倍。离子束流实行交替变化，有利于保持较低的样品基体温度，且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺，离子注入改性后，40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。     

木马式连续注入靶室

<正> 靶室是离子注入机的关键部件之一,它对于提高注入机的注入速度、注入质量以及使注入机能开展多方面的实验研究,都有一定的影响。我厂研制的T45 200—1/ZK型微控中束流离子注入机靶室是仿日本真空技术株式会社200—DF_4型离子注入机而设计的一种木马式连续注入靶室。下面就该靶室总体情况作简要介绍。     

氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂

通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂，采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法，文中则采用S离子注入方法. 氮化硼薄膜用射频溅射法制得. 实验结果表明，在氮化硼薄膜中注入S，可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂；随着注入剂量的增加，氮化硼薄膜的电阻率降低. 真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高. 在离子注入剂量为1E16cm-2时，在600℃的温度下退火60min后，氮化硼薄膜的电阻率为2.20E5Ω·cm，比离子注入前下降了6个数量级.     

AlGaN-GaN和GaN上的低能Si离子注入工艺

阐述GaN注入掺杂的激活退火一直受到GaN高温分解现象的制约，高温退火的目的是恢复注入造成的晶格损伤，激活注入的原子替代晶格原子。由于在注入过程中提高衬底温度已被证明可有效减少晶格损伤并有助于提高其他半导体材料的激活效率，探讨将这种方法应用于AlGaN/GaN和GaN中的Si离子注入。仿真和实验在Al0.25Ga0.75N/GaN和GaN样品结构中，进行Si离子注入，分析实验结果。     

离子注入对二氧化锡薄膜的改性作用

对溅射沉积制成的氧化锡薄膜进行了钨离子注入、氧离子注入和退火处理，并用X射线衍射(XRD)和x射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜，研究了注入对薄膜相变的影响。发现在室温下溅射沉积形成的非晶态SnO2薄膜，注入氧离子后导致了非晶态SnO2向晶态SnO2的转变；注入钨离子则导致了SnO在非晶态薄膜中的形成。而在已经注入了钨离子的薄膜中再注入氧离子可以形成Sn3O4。实验表明，注入钨离子可减少由氧和锡组成相的氧、锡比率，而注入氧离子则可增加这种比率。     

国外离子注入机发展动态

国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展，为适应中００、０．５μｍ工艺的需求，国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机，现将其现状介绍如下：新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于０．５度。２００ｍｍ晶片内注入...     

BR2^＋注入硅分子效应的椭偏谱多层分析

把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成，用以研究BF2^ 的分子效应，我们在1．6－5．0eV光子能量范围内，测量了不同剂量（3×10^13-5×10^15ion/cm^2),147keV BF2^ 分子离子77K注入硅以及相应的B^ 、F^ 注入硅样品的椭偏谱。由实验则得的离子注入样品的椭偏光谱、多层薄膜光学模型、有效介质近似理论（EMA）和计算软件，可分析离子注入硅的损伤分布、表面自然氧化物的非均匀性和界面组份。其分析结果与背散射沟道技术和透射电子显微镜的测定结果相一致。研究中发现，低温BF2^ 注入的损伤层和非晶层都首先在样品表面形成，与B^ 、F^ 注入损伤相比，BF2^ 注入存在显的分子效应。     

LC—4型700KeV高能离子注入机头部装置

一、概述离子注入技术是当代半导体器件的基础工艺。目前生产中用得最多的离子注入机的能量大都在200keV左右。对某些高水平的鬼子器件而言,这种中等能量的离子注入深度达不到工艺要求,一般都需要在注入后进行长时间的热处理,通过热扩散运动使注入的杂质达到工艺要求的深度。但是随着对半导体器件性能要求的提高和图形线宽的减小,这种注入加退火的工艺缺点日益严重。高能离子注入机由于能量高,对某种器件工艺来讲,单靠注入本身即可使注入离子的深度达到要求。这就可以省去或大大缩短热处理时间,使加工周期缩短,成本降     

GaAs中600KeV氧离子注入的实验研究和应用

本文阐述了GaAs中600KeV氧离子注入的绝缘性能、结深,载流子移出分布、电阻率变化等的实验结果。文中附有350KeV氧注入的数据。本文也讨论了GaAs中氧离子注入形成半绝缘层以及绝缘特性随温度和注入剂量变化的机理。给出了600KeV氧离子注入在GaAsMESFET和GaASMMIC上的应用结果。     

氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

报道了氦离子注入技术在提高980nm半导体激光器灾变性光学损伤(catastrophic optical damage,COD)阈值上的应用.p-GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率.在距离腔面25μm的区域内进行氦离子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区.腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值.应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到440.5mW,没有发生COD现象.而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为407.5mW.同常规工艺相比,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术使管芯的最大输出功率提高了8%.     

氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

报道了氦离子注入技术在提高 980nm半导体激光器灾变性光学损伤 (catastrophicopticaldamage,COD)阈值上的应用 .p GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率 .在距离腔面 2 5 μm的区域内进行氦离子注入 ,由此形成腔面附近的电流非注入区 .腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入 ,因此减少了非辐射复合的发生 ,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值 .应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到 44 0 5mW ,没有发生COD现象 .而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为 40 7 5mW .同常规工艺相比 ,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术     

离子注入中的沟道效应控制

离子注入中的沟道效应使注入离子在深度上的控制变得很困难，并使SHEET值的均一性恶化，本文借助计算机模型。对注入剂量，注入能量，硅片基板方位，硅片表面薄膜氧化层厚度变化时，研究分析了注入沟道效应的相应变化。     

适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS

本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模拟器及实验比较,表明FUTIS在精度上有明显改进,在功能上有很大扩展,是一种能适应当今VLSI工艺发展要求的先进的离子注入模拟器。     

离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压

考虑离子注入沟道和沟道深度的影响,提出了精确的离子注入4H-SiC MESFET器件夹断电压的理论计算方法.注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TRIM提取计算.研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激活率对夹断电压的影响.