分段压缩平面共腔条形激光器

本文报道了一种新型结构激光器——分段压缩平面共腔条形激光器的制造与特性.这种激光器易于实现较稳定的基横模和单纵模运行.     

出纤功率30W的激光二极管线列阵光纤耦合器件

用一根柱透镜对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向进行准直 ,准直后的光束耦合到光纤列阵中 .大功率半导体激光二极管线列阵的输出功率为 4 0 W,线列阵有 19个发光单元 ,每个发光单元的发光区面积为10 0μm× 1μm .大功率激光二极管线列阵耦合后出纤功率为 30 W,耦合效率为 75 % ,光纤的数值孔径为 0 .11     

激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合

利用一段数值孔径(NA)较小的多模光纤作为一个低成本的微透镜,对激光二极管线列阵的大数值孔径方向准直,将激光二极管线列阵的输出光束耦合到多模光纤列阵中.激光二极管线列阵每个发光单元的光分别耦合到光纤列阵的单根光纤中.总的耦合效率和输出光功率分别为75%和15W.     

量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响

计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合．     

小设置引起大故障

笔者的电脑配置为:技嘉GA-M55SoeS3主板、250GB的SATA接口硬盘,明基DVD光驱和华硕1814BLT光雕刻录机(SATA接口),最近从网上下载了新版的主板驱动,采用默认的安装方式重启后,突然出现了如图1、2所示的蓝屏     

低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器

本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm~2,最低达675A/cm~2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。     

Low Threshold GaAs/AlGaAs Double Quantum Well Lasers

ＬｏｗＴｈｒｅｓｈｏｌｄＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤｏｕｂｌｅＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌＬａｓｅｒｓ￥ＸｕＺｕｎｔｕ（徐遵图），ＺｈａｎｇＪｉｎｇｍｉｎｇ（张敬明），ＹａｎｇＧｕｏｗｅｎ（杨国文），ＸｕＪｕｎｙｉｎｇ（徐俊英），ＸｉａｏＪｉａｎｗｅｉ（肖建伟...     

低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器

本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．     

连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵

采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。     

980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析

本文介绍了提高980nm半导体激光器可靠性的几种方案，并做了综合评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。