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分析了某钢筋混凝土锯齿形排架结构设计中柱子截面取值偏小导致结构不满足承载力及变形要求的原因。将锯齿形排架与一般排架受力性能进行了对比研究,得出在锯齿形排架结构设计中不能将七字梁部分简化成链杆进行计算。针对工程特点制定了仅加固边柱的经济有效的加固措施。 相似文献
4.
新郑大枣种植区位于河南省中部黄淮平原区西侧,表层土壤以全新统灰黄色亚砂土为主,为冲积-风积堆积物。深部为更新统亚粘土层,为坡积-洪积物。为了查明大枣种植区土壤中的地球化学元素与新郑大枣中元素含量的关联特征,在开展农业地质调查时,在大枣种植区采集了表层土壤样、浅表层土壤样、土壤有效态样和植物样品,分别进行了多种元素分析。查明表层土壤中富K2O、Na2O、SiO2,浅表层与表层土壤地球化学特征基本一致。通过相关分析表明新郑大枣中富含的无机元素与表层土壤无关,与古土壤呈正相关。重金属元素在大枣种植区土壤中基本上处于低背景状态,反映出土地环境质量优良。 相似文献
5.
某商用办公楼,共24层,每层都有如图1所示的对称的2根曲梁(曲梁形状为圆弧形,半径9.4m,曲梁对应圆心角为68°),原设计的钢筋混凝土曲梁截面为1100mm×1200mm。由于曲梁所在空间为各层的综合大厅,要求降低梁高。将曲梁设计成劲性混凝土曲梁和预应力混凝土曲梁两种方案。1方案选择将曲梁设计成劲性混凝土曲梁,由于加入劲性钢骨,增加了曲梁的整体刚度,改善了变形,可满足降低梁高的要求;但为满足“强柱弱梁”的抗震及节点弯矩传递要求需用劲性柱。劲性混凝土施工工艺复杂,进度慢且造价较高。将曲梁设计成预应力混凝土曲梁,对曲梁施加预应力后,产… 相似文献
6.
为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构。计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成。通过与本征态Mo S2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层Mo S2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关。 相似文献
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8.
We have investigated the temperature dependent interfacial and electrical characteristics of p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors during atomic layer deposition(ALD) and annealing of HfO2 using the tetrakis(ethylmethyl) amino hafnium precursor. The leakage current decreases with the increase of the ALD temperature and the lowest current is obtained at 300℃ as a result of the Frenkel-Poole conduction induced leakage current being greatly weakened by the reduction of interfacial oxides at the higher temperature. Post deposition annealing(PDA) at 500℃ after ALD at 300℃ leads to the lowest leakage current compared with other annealing temperatures. A pronounced reduction in As oxides during PDA at 500℃ has been observed using X-ray photoelectron spectroscopy at the interface resulting in a proportional increase in Ga2O3. The increment of Ga2O3 after PDA depends on the amount of residual As oxides after ALD. Thus, the ALD temperature plays an important role in determining the high-k/GaAs interface condition. Meanwhile, an optimum PDA temperature is essential for obtaining good dielectric properties. 相似文献
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4H-SiC junction barrier Schottky(JBS)diodes with four kinds of design have been fabricated and characterized using two different processes in which one is fabricated by making the P-type ohmic contact of the anode independently,and the other is processed by depositing a Schottky metal multi-layer on the whole anode.The reverse performances are compared to find the influences of these factors.The results show that JBS diodes with field guard rings have a lower reverse current density and a higher breakdown voltage,and with independent P-type ohmic contact manufacturing,the reverse performance of 4H-SiC JBS diodes can be improved effectively. Furthermore,the P-type ohmic contact is studied in this work. 相似文献