超晶格量子阱光学双稳态系统的全局分叉与混沌行为

基于超晶格量子阱的双稳态效应,在经典力学框架内,把粒子的运动方程化为了具有阻尼项和受迫项的摆方程.利用Melnikov方法分析了系统的全局分叉与Smale马蹄变换意义上的混沌行为,给出了系统通过级联分叉进入混沌的临界值.结果表明,系统进入混沌的临界条件与它的参数有关,只需适当调节这些参数就可以避免或控制混沌,为光学双稳态器件的设计提供了理论分析.     

离子注入浅结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）和反冲离子注入等。     

离子注入均匀性的工艺控制

叙述了影响离子注入均匀性的几个主要因素,其中包括束流品质,离子束聚焦与扫描以及束流大小选择等。同时介绍了如何控制这些因素来获取优异的注入均匀性,通过这些控制手段,均匀性可以优于１ ％ ,结果令人满意。     

离子注入线结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入线结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布，等离子体浸没离子注入和反冲离子注入等。     

CCD多晶硅离子注入掺杂工艺研究

研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比研究,发现离子注入掺杂制作的多晶硅栅质量优于扩散掺杂制作的多晶硅栅,这有利于CCD输出均匀性的提高.对两种多晶硅掺杂方式的工艺集成条件进行对比,多晶硅掺杂采用离子注入方式其工艺步骤更简单,工艺集成度更高.     

高阻带抑制宽带低损耗声表面波滤波器研究

基于分布间隙纵向耦合五换能器结构,加入谐振器单元,采用41°〖WTBX〗Y X〖WTBZ〗 LiNbO3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232 MHz,3 dB带宽23.2 MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗为-1.9 dB,相对带宽达到10%,矩形系数2.2,阻带抑制大于50 dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。     

半绝缘砷化镓材料的离子注入

概述了ＧａＡｓ材料的离子注入及有关的问题，如损伤退火，掺杂剂激活和载流子分布等。另外，还提出了几种改善掺杂效率的方法。     

离子注入的特殊应用

描述了离子注入的几个特殊应用,其中包括离子束退火效应,增加肖特基势垒高度,注入吸杂效应,合成 SiO_2膜及离子注入材料改性等。     

石英声光开关

该文介绍了一种用于高功率激光器的石英声光开关。该声光开关采用石英晶体作声光介质,铌酸锂晶体作换能器材料,工作波长为1 064 nm,工作频率为68 MHz,光孔径为SymbolFC@4 mm,通过优化设计声光互作用长度,使1级光衍射效率可达95%。该文还测量分析了衍射光的光束质量因子M~2,通过优选晶体材料,提高抛光质量,合理设计散热结构等措施,使衍射光较好地保持了入射光的光束模式。     

光纤陀螺用双Y集成光学相位调制器的设计

对用于光纤陀螺系统的双Y集成光学相位调制器的工作原理和运用进行了分析,讨论了器件的结构设计和工艺方案及其技术难点.通过计算机仿真,对器件的工艺状态和光路进行了模拟,利用模拟结果对器件的工艺和设计进行了优化,给出了实验结果.