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用半导体放电管保护通信设备 总被引:1,自引:0,他引:1
用半导体放电管保护通信设备彭延凤,郑小鹿半导体放电管是在最近五、六年中发展起来的新型过电压保护器,它是基于可控硅原理和结构的一种二端负阻器件,用于保护敏感易损的集成电路,使之免遭雷电和突波的冲击。本文以美国Teccor电子公司的半导体放电管ISDAC... 相似文献
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提高半导体放电管抗浪涌能力的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件,抗浪涌能力是其最重要的特性参数之一。文中分析了浪涌条件下器件失效的高温物理机制,讨论了器件功耗与传热对抗浪涌能力的影响,指出采用多元胞结构可降低由热量集中造成的最高结温,从而提高了器件的抗浪涌能力。 相似文献
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倾斜结构InGaAsP/InP集成超辐射光源 总被引:1,自引:1,他引:0
为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,在原有的将超辐射发光管 (SLD)与半导体光放大器 (SOA)单片集成的基础上 ,将器件电流注入区中心轴线倾斜 6° ,制得了 1 5 μm倾斜结构的InGaAsP InP集成超辐射光源。发现这种新型结构的单片集成器件具有抑制激射的功能。在较低的电流注入下 ,得到了 38mW的脉冲超辐射输出功率。其光谱宽度 (FWHM )和平行、垂直于结平面的远场半宽分别为 16nm ,15°和 6 4°。同时 ,通过对该集成器件特性的研究 ,发现如何增加SOA部分的入射光功率是提高该集成器件性能的一个十分关键的因素 相似文献
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多元胞半导体电涌吸收器件的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
设计并试制了一种多元胞结构的半导体电涌吸收器件(SSAD),旨在降低器件工作时的最高温度并提高其过浪涌能力。初步实验结果证明器件经历过电涌后,其失效率比单元胞有较显著的降低。 相似文献
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三维全热程热电一体地模拟了 Si BJT微波功率器件 .热场计算包括从芯片的有源区经芯片 -粘接层 -基片 -粘接层 -底座直到固定于 70℃的安装台面的整个散热过程 .在处理热电正反馈时把有源区的 6 0个基本单元 (子胞 )当成 6 0个并联子胞晶体管进行建模 ,子胞模型包括子胞晶体管本身、基区横向扩展电阻、发射区横向扩展电阻 .热电一体分析除了涉及 Vbe随温度变化外 ,还有子胞发射极有效面积随子胞发射极电流上升而下降的效应 (以下称面积效应 ) .与对有源区各点直接进行分析相比 ,子胞建模不仅大大简化了计算 ,而且摸拟结果与器件结构、版图结构、工艺参 相似文献