| 半导体放电管多元胞结构模型 |
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| 引用本文： | 王惠刚,余岳辉,刘凤美,彭昭廉,黄秋芝.半导体放电管多元胞结构模型[J].半导体学报,2000,21(10):1014-1018. |
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| 作者姓名： | 王惠刚 余岳辉 刘凤美 彭昭廉 黄秋芝 |
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| 作者单位： | 华中理工大学电子科学与技术系!武汉430074 |
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| 摘 要： | 在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图 .对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证 ,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和 P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力 ,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据
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| 关 键 词： | 多元胞 半导体放电管 横向电阻 浪涌能力 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)10-1014-05 |
| 修稿时间： | 1999年7月9日 |
Multi-Cell Structure Model for Semiconductor Arrestor |
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| WANG Hui gang,YU Yue hui,LIU Feng mei,PENG Zhao lian and HUANG Qiu zhi.Multi-Cell Structure Model for Semiconductor Arrestor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(10):1014-1018. |
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| Authors: | WANG Hui gang YU Yue hui LIU Feng mei PENG Zhao lian and HUANG Qiu zhi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | multi\|cell semiconductor arrestor sheet resistance surge handling capability |
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