双光路光纤探头式浓度检测系统

本文介绍了一种双光纤探头式浓度检测系统的工作原理和结构设计。该系统利用双光路比较电压的测量和单片机控制的数据处理系统进行浓度的实时性测量。实验结果表明，该系统具有精度高、速度快等特点，在浓度测试中具有良好的应用前景。     

光参量振荡器在CARS测温技术中的应用

通过理论分析和实验结果，叙述了在宽带单脉冲相干反斯托克斯拉曼散射（ＣＡＲＳ）光谱测温技术中，利用光参量振荡器（ＯＰＯ）代替常用的染料激光器作为斯托克斯光源的可行性问题。理论分析指出，测温范围在２２００Ｋ以内，用ＯＰＯ作斯托克斯光源是可行的，并利用该实验装置实测酒精灯火焰中的温度分布，其结果与辐射温度计测量结果比较，误差在５％以内。     

超低频信号的记录与回放

介绍一种经济实用的用普通磁带记录与回放超低频信号的方法，该方法在地质，建筑工程和医疗等行业中有一定的实用价值。     

光纤传感器原理在浓度检测中的应用研究

本文介绍了一种根据光纤弯曲损耗检测液体浓度的工作原理和系统结构设计，该检测系统采用弯曲光纤探头作为传感器件，使用单片机进行控制和数据处理，实现了浓度测量的智能化，系统浓度试精确度达到２．５％，非线性误差小于０．２％。     

p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性。     

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA)，将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构，避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品3在80～125mA电流范围内，获得了偏振灵敏度≤0．6dB．最小可达0．1dB；较大的电流范围内FWHM值为40nm。     

俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响

通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率.     

Ⅱ型超晶格InAs/GaInSb红外探测材料

综述了近年来对InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系.InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3～25μm,有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe.     

张应变GaAs层引入使InAs/InP量子点有序化排列的机理研究

采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术,在（００１）ＩｎＰ衬底上生长的ＩｎＡｓ／ＩｎＰ自组装量子点是无序的。为了解决这个问题,在ＩｎＰ衬底上先生长张应变的ＧａＡｓ层,然后再生长ＩｎＡｓ层,可得到有序化排列的量子点。本文对张应变ＧａＡｓ层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析,为生长有序化、高密度,均匀性好自组装量子点提供了依据。     

新型绿色、智能机房环境监测系统开发

为了实现机房运维的流程改善、节能减排,达到绿色智能的目的,设计了一套机房环境监测系统。其中PDU(机柜内电源分配单元)的使用解决了数据机房内终端供电无法监测的难题,为进一步深度挖掘数据提供了硬件支持,PUE(电源利用率)智能分析为机房的运维人员提供了准确、智能的机房电力分配信息,为合理调配电力资源提供了保障。文中详细介绍了机房环境监测系统的结构、工作原理、系统优势。具体应用表明,该系统已全面实现了各项功能。