钛合金中富氧α相的鉴定与分析

钛合金在热处理过程中易产生氧污染而形成富氧α相层，富氧α相是一种危害性极大的脆性相。钛合金的种类和组织形态不同，其富氧α相的形貌特征也不同。研究了BT3-1钛合金和TC6钛合金在不同的热处理条件下对其组织形态下中的富氧α相的形貌特征及性能特点，并结合实际生产，提出了能满足某工程用TC6钛合金零件技术要求的热处理工艺。     

氧对四极质谱计离子源污染的考察

在质谱分析技术中,四极质谱计很有前途。但在长期使用中,四极探头的污染可导致仪器灵敏度下降和离子谱的显著变化,这就限制了仪器的应用。对于一个污染严重的四极探头,目前还只能用机械研磨的方法来清洗,这给使用者带来很大困难。因此,研究形成污染的主要因素并寻找较易解决污染的方法是十分必要的。本实验在一个有油真空系统中,观察四极质谱计对氧的灵敏度和离子谱的变化。实验结果表明:在有油情况下,氧可以加速离子源的污染。从污染件的俄歇分析看出,污染物由碳、硅、氧等组成,它可能为二甲基硅氧烷烃环多聚体(Me_2SiO)_n 交织成网状结构形成块状     

表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理

表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多。在厚度d为40nm，表面氧污染的钛膜表面上，重新蒸镀一层极薄的（约1．2nm）清洁钛膜，吸氢、释氢的测量表明其吸氢能力得到恢复。另外，还对其他四块不同厚度的钛膜，在表面清洁及氧污染的条件下，分别进行了吸氢能力实验。实验结果证实：氧污染降低钛膜吸氢能力的原因是使钛膜上氢分子解离的位置减少，而不是扩散阻挡层的作用。     

表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理

表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多，在厚度ｄ为４０ｎｍ，表面氧污染的钛膜表面上，重新蒸镀一层极薄的（约１．２ｎｍ）清洁钛膜，吸氢，释氢的测量表明其吸氢能力得到恢复。另外，还对其他四块不同厚度的钛膜，在表面清洁及氧污染的条件下，分别进行了吸氢能力实验，实验结果证实，氧污染降低钛氢能力的原因是使钛膜土氢分子解离的位置减少，而不是扩散阻挡层的作用。     

污染氧对氢离子辐照前后50%TiC-C薄膜的影响研究

采用离子束混合技术在不锈钢衬底上制备50%TiC-C薄膜,用剂量1×1018ions/cm2、能量5keV的氢离子对薄膜进行辐照.通过X射线光电子能谱对氢离子辐照前后的50%TiC-C薄膜进行组成元素化学结合能谱的分析,着重研究污染氧对薄膜氢离子辐照前后的影响.研究发现氢离子辐照会引入更多的污染氧进入膜内,但污染氧不影响薄膜的阻氢性能.     

μc-Si:H薄膜的激活能特性研究

通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能,结果表明:在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜,晶化处于非晶-微晶相变域附近,激活能都偏低,存在氧污染问题,研究了氧污染解决途径.     

二次离子质谱中的钠信号

一、引言钠正离子和钾正离子在二次离子质谱图中是经常出现的两种元素谱峰。就这一现象,我们对各种样品施以不同的处理工艺后,通过大量的测试,确认它们如同俄歇电子谱检测中总有碳和氧的污染一样,是样品表面和体内的污染与杂质。钠和钾的污染要比碳和氧难去除得多,危险也很大,尤其在半导体工艺中更为突出。人     

表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理

表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多。在厚度ｄ＝４００Ａ，表面氧污染的钛膜上重新蒸镀，使其表面再生一层极薄的清洁钛膜。吸氢，释氢测量表明其吸氢能力得到恢复。     

钯对钛膜吸氢能力的抗污染作用的研究

为寻求一种防止因表面污染而导致钛膜吸氢能力下降的的途径，用表面分析方法检测样品表面状态，用质谱仪测量样品吸氢能力，研究了表面状态和吸氢能力的相互关系。采用在钛膜上淀积钯膜的方法，可使受碳，氧污染的钛膜吸氢能力得以恢复。这种钯／太复合结构在吸氢有力上对碳，氧污染并不灵敏     

氮气净化装置中加氢除氧工艺发展及其技术研讨

随着社会的进步,工业的发展,氮气市场、区域的不断扩大和行业对纯氮气的指标要求的进一步提高,有些区域和场合对用氢有所忌禁或用气气氛要求无氢,采用传统的氮气净化方式很难满足多种要求的用氮场合,在氮气用量小于2000m3/h时,普氮采用加氢除氧的氮气净化方式,设备运行成本相对低廉,由此需要解决自动加氢过程中产生的二次氮气氢污染的问题。     

氧等离子体处理对氧化铟锡表面化学状态影响的ADXPS研究

利用变角X射线光电子谱对氧等离子体处理前后氧化铟锡ITO薄膜的表面化学状态进行了表征,实验发现用溶剂清洗之后的ITO薄膜表面存在一层厚度大约为0．7nm的非导电碳氢化合物污染层,氧等离子体处理方法可有效地消除C污染,而残存的少量污染C被部分氧化形成含羰基和基的化学物种,氧等离子体处理不仅提高了约5．0nm深度范围内的ITO薄膜表层中O的总体含量,更重要的是提高了膜层中O2－离子氧种的含量,改变了膜层化学结构,使得ITO薄膜表面的导电性能降低,同时改善了整个表面层化学结构的均匀性。     

氧的今天与明天

本文回顾了氧的发现与制氧的发展与应用。介绍了氧的商品化生产的三个阶段:布赖因法→汉普逊、林德、克劳特法→大型制氧。氧主要用于炼钢,此外应用于高温燃烧、化学工业和呼吸,并指出它的发展——应用于水处理、污染控制、煤气化、油合成、基本化学品制造。     

氧等离子体处理对氧化铟锡表面化学状态影响的ADXPS研究

利用变角X射线光电子谱对氧等离子体处理前后氧化铟锡ITO薄膜的表面化学状态进行了表征.实验发现用溶剂清洗之后的ITO薄膜表面存在一层厚度大约为0.7nm的非导电碳氢化合物污染层.氧等离子体处理方法可有效地消除C污染,而残存的少量污染C被部分氧化形成含羰基和羧基的化学物种.氧等离子体处理不仅提高了约5.0nm深度范围内的ITO薄膜表层中O的总体含量,更重要的是提高了膜层中O2-离子氧种的含量,改变了膜层化学结构,使得ITO薄膜表面的导电性能降低,同时改善了整个表面层化学结构的均匀性.     

制取中纯氧的大型空分设备与转炉炼钢用氧

<正>在众多的工业氧用户中,为了满足不同的需要,有的只要求中等纯度气氧,如高炉富氧鼓风,只要求98%纯度的氧。这种情况,究竟采用空气与氧混合的方法,还是直接从空分设备中制取中等纯度氧,就应从经济角度来决定。     

好氧颗粒污泥膜生物反应器的研究进展

好氧颗粒污泥膜生物反应器(AGMBR)是一种将好氧颗粒污泥与膜技术相结合的复合式膜生物反应器(MBR)工艺,具有高质出水和低膜污染的特点.综述了AGMBR的典型构型和好氧颗粒污泥(AGS)的特性研究、AGMBR对有机物与营养元素的去除效能、膜污染的控制以及运行参数优化等方面的研究进展,并展望了AGMBR的应用前景和面临的挑战.     

VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜氧污染研究

通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究。结果表明:在不同功率、不同气压沉积条件下沉积的微晶硅薄膜,激活能偏低,薄膜在沉积过程中被氧杂质污染;随着沉积功率的增大和沉积气压的增大,沉积速率随着提高,样品的激活能升高,通过提高沉积功率和沉积气压可以有效的抑制氧污染。     

钛膜吸氢与释氢特性的研究

在SKL－12型多功能谱仪的预处理室中，采用超高真空镀膜的方法，得到了表面清洁的钛膜。对表面清洁及有一定量氧污染的钛膜进行了吸氢、释氢实验，并用理论模型拟合实验数据。结果表明：表面氧污染使钛膜吸氢能力降低，其原因在于氧原子占据了钛膜表面的吸附位置，使氢解离为原子的几率降低。     

绿色化学与工业炸药

绿色化学是当今国际化学的前沿，其核心是用化学原理从根本上减少或消除对环境的污染，绿色化学主要特点的原子经济性要求充分利用资源。文中对绿色化学和原子经济性进行了介绍。根据绿色化学和原子经济性的要求，引进新概念爆炸产物的单位质量生成热和单位质量比容，对工业炸药的原材料、配方、爆轰产物进行了分析。结果表明，工业炸药配方应设计为零氧平衡，且应选择氢、氧、碳元素含量较高的物质作为工业炸药的原材料，以提高炸药性能，减轻对人类生存环境的破坏。     

臭氧预处理蛋白质对聚醚砜超滤膜污染行为的影响研究

本研究选用牛血清蛋白(BSA)代表超滤膜典型污染物,通过考察臭氧预处理前后污染层结构特征、污染物在膜面吸附累积及作用力变化特征,结合宏观膜污染行为,解析臭氧预处理对不同孔径超滤膜BSA污染行为的影响机制.结果 表明,臭氧预处理后,无论BSA尺寸大于、小于或接近膜孔尺寸,膜污染速率以及不可逆污染幅度皆明显加剧,说明臭氧氧...     

钛膜吸氢与释氢特性的研究

在ＳＫＬ－１２型多功能谱仪的预处理室中，采用超高真空镀膜的方法，得到了表面清洁的钛膜。对表面清洁及有一定量氧污染的钛膜进行了吸氢、释氢实验，并用理论模型拟合实验数据。结果表明：表面氧污染使太膜吸氢能力降低，其原因在于氧原子占据了钛膜表面的吸附位置，使氢解离为原子的几率降低。