首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   39篇
  免费   0篇
工业技术   39篇
  2012年   1篇
  2005年   1篇
  2001年   2篇
  2000年   1篇
  1999年   2篇
  1998年   2篇
  1997年   5篇
  1996年   4篇
  1995年   5篇
  1994年   8篇
  1993年   3篇
  1991年   1篇
  1989年   1篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有39条查询结果,搜索用时 187 毫秒
1.
层状结构碳材料与Ar离子束的相互作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用XPS分析技术原位研究了层状结构的石墨碳及碳纳米管材料与Ar离子束的相互作用机理,以及对层状碳材料电子结构的影响。研究结果表明,Ar离子束与层状碳材料作用后,构成层状结构的以sp2杂化为基础的C-C共轭π键被Ar离子束打断,形成了新的C-C键。原有的层状结构也被破坏,形成了无定形结构。Ar离子束的作用是通过与C-C共轭π键作用,促进C-C共轭π键的断裂,而不仅仅是单纯的剥离作用。  相似文献   
2.
研究了三种方法制备的氮化硅薄膜的组成、表面结构、热氧化稳定性以及抗离子束损伤等性能。研究发现APCVD法制备氮化硅薄膜的Si3N4含量最高,PRSD法制备的薄膜次之,而PECVD法制备的薄膜Si3N4含量最低。在PRSD薄膜中没有N-H键存在,仅有少量的Si-H键存在,薄膜的热氧化稳定性和抗离子束损伤性能最好。APCVD薄膜中含有少量的N-H和Si-H键,虽然膜层的热稳定性很好,但由于膜层具有较多的缺陷,因此其抗氧化性较差,抗离子束损伤性能也不好。对于PECVD薄膜,由于其形成温度较低,膜层中含有大量的N-H和Si-H键,因此膜层的热稳定性和抗离子束损伤性能最差。此外,还发现XPS获得的N/Si原子比和膜层的真实成分校一致,而RBS和AES由于离子束损伤效应,其结果偏低。氮化硅薄膜热稳定性差和离子束损伤的本质均因氯化硅的脱氮分解。热氧化的本质是膜层中自由硅和气氛中残余氧的氧化反应。  相似文献   
3.
俄歇化学位移影响因素分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
对几种硅化物及金属氧化物的俄歇化学位移作了实验研究。基于现有的化学位移的两个理论模型(电荷势模型和弛豫能模型),提出了俄歇化学位移的半经验计算关系式。概括了俄歇化学位移与元素的化合价、相邻原子的电负性差以及极化能(离子有效半径)之间的关系,实验结果与理论计算相一致。  相似文献   
4.
5.
利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反应产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与SiO2的反应,其还原反应产物是CrSix和Cr2O3物种。界面还原反应的速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向SiO2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能为72.5kJ/mol(约0.75eV)。  相似文献   
6.
用变角X-射线光电子谱(VAXPS)分析了模型催化剂Rh/TiO_2体系在还原气氛下的特点。观测到几何效应无论是其强度还是相互作用的范围,都在很大程度上依赖于TiO_2基底的表面结构。在XPS谱上,于34.52eV处发现一个新的特征峰,这很可能是Rh与被部分还原的TiO_2之间的键合所致,这处峰可以认为是Rh/TiO_2体系中电子相互作用的重要特征之一。  相似文献   
7.
运用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)以及卢瑟福背散射谱(RBS)研究了Ti/Si(100)样品在快速热退火(RTA)过程中的界面反应机理及物种分布。研究结果表明,Ti/Si(100)样品在600℃快速热退火10s后,界面上的钛和硅就发生了明显的界面反应,形成了TiSi_2金属硅化物相。在750℃RTA后,TiSi_2相已基本形成完善,再提高RTA温度,TiSi_2相增加甚少。快速热退火过程不同于一般的慢退火过程,主要通过TiSi_2晶格传递Si,从而促使界面处的钛和硅的继续反应。界面扩散的速度很快,TiSi_2物相的形成速度由Ti和Si的反应速度限制,不受Si扩散效应的影响。此外,俄歇线形分析还揭示了,在硅化物的形成过程中,钛硅物相在各界面层中的存在形式。  相似文献   
8.
运用扫描俄歇探针、X射线光电子谱等表面分析技术对47Ni6Cr玻封合金表面,特别是对其表面氧化膜结构进行了系统的分析,观测到合金基片在加工过程中所形成的表面缺陷是生成“白粒”、形成“黄粉”的基础;有关元素金属氧化物在膜层中的适当的结构比例是保证玻封质量的关键。  相似文献   
9.
本文用程序升温脱附方式对自制GR-50扩4工业銀催化剂表面上氧吸附、脱附特性作了实验考察。在20—330℃温度范围內,取得了其特征峰峰顶温度分別为120℃(Ⅰ)、230℃(Ⅱ)和300℃的TPD图谱。这三个特征峰各自对应氧分子的弱化学吸附(O_2)、活化的非解离吸附(O_2~-)及非活化的解离吸附(O~-)。同时,作了平行的反应动力学实验。通过研究二氯乙烷和助剂铯对TPD图谱中I、Ⅱ两个特征峰的影响以及对乙烯氧化性能的影响,确认TPD图谱上I、Ⅱ两个特征峰大小的变化和(O~-2/O~)之比以及催化反应选择性这三者之间的平行关系。  相似文献   
10.
镍—磷非晶镀层的表面研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用XRD、AES和XPS研究了晶态和非晶态Ni-P镀层的表面结构和体相结构。结果表明:Ni-P非晶态镀层的形成与电镀工艺条件有关,碱式碳酸镍的使用对非晶态的形成和镀层耐蚀的提高起着重要作用。样品表面的磷以两经学态,分别为Ni-P合磷和磷酸根的磷,为了形成蜚 晶态镀层,Ni-P原子比应控制在3.36以上,此外,Ni-P非晶态合金镀层的腐蚀实验还表明,非晶态合金镀层的耐蚀性能要比晶态镀层高得多。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号