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本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准14脚蝶型管壳对集成器件进行了封装.封装后的发射模块阈值电流约为20~30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mW,在3V的反向调制电压下消光比约为17dB.我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输实验.经过240km普通单模光纤传输后,在误码率为10-10的情况下功率代价小于0.5dB. 相似文献
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Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点,藕助Schroedinger/Poisson方程及器件方程,进行了Ka波段AlGa/InGaAs低噪声PHEMT用异质层数值计算及CAD优化,确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分、浓度、与厚度、上述优化分析的结果用于器件的实验研制,取得了34.4GHz下噪声系数(NF)1.92dB、相关增益Ga6.5dB的国内最好结果。 相似文献
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本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性进行了改进,并采用标准14脚碟型管壳对集成器件进行了封装。封装后的发射模块阈值电流约为20 ̄30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mV,在3V的反向调制民压下消光比约为17dB。我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输 相似文献
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GaAs1×2Mach-Zehnder波导开关/调制器 总被引:2,自引:0,他引:2
文报道了GaAs1×2MZ波导开关/调制器的研究结果,并分析了该器件的工作原理.这种器件利用Y分支作为3dB耦合器,非对称X结作为干涉器.在波长1.15μm下测试,得到了串音比小于-16dB和开关电压19V的开关特性.预计该器件可广泛应用于GaAs1×。开关列阵及高速光调制等方面. 相似文献
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文报道了GaAs1×2MZ波导开关/调制器的研究结果,并分析了该器件的工作原理.这种器件利用Y分支作为3dB耦合器,非对称X结作为干涉器.在波长1.15μm下测试,得到了串音比小于-16dB和开关电压19V的开关特性.预计该器件可广泛应用于GaAs1×。开关列阵及高速光调制等方面. 相似文献
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概述了InGaAs/GaAs异质结构材料用于制作微波器件的优越性,叙述了材料的MBE生长、输运特性和掺杂分布,以及用于制作Ku波段低噪声高增益HFET的结果:栅长0.5μm,12GHz下噪声系数0.93dB,相关增益9dB。 相似文献
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文章针对Ti扩散LiNbO3波导1.3μm波长偏振器的制作,论述了单模TE波传输的波导偏振器的器件结构设计,理论分析及制作方法。采用的优化结构MgO/Al覆盖波导偏振器其TM波的消光比达40dB以上,TE波附加损耗〈1dB,器件综合消光比〉35dB,结果与理论计算相近。 相似文献
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研究了GaAs功率MESFET的小信号特性,大信号特性和其宽带匹配网络。选用TWT-2型功率器件,设计研制出了单级宽带功率放大器,在6~18GHz的工作频率范围内,小信号增益等于5.0±1.0dB,1dB压缩输出功率等于25.0±0.8dBm,输入输出驻波比小于2.5。 相似文献
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报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。 相似文献
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阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号、小信号和噪声模型参数)。利用PSPICE程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计,并实际制作了用于2.4Gb/s光纤通信的PIN-HEMT前置放大器。实测结果表明放大器3dB带宽达到DC~4.4GHz,增益为18±1dB;加入PIN二极管后的光接收模块的3dB带宽为DC~1.688GHz,满足了2.4Gb/s光纤通信的需要。 相似文献
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dBASEforWindows中文版童爱华十几年来,dBASE深受计算机专家及社会各方面用户的喜爱,现在dBASE在全世界已拥有700多万PC用户,其PC数据库市场占有率达55.8%。Borland公司1995年推出的新一代dBASE——dBASEf... 相似文献
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AMP04为模拟器件公司近年推出的用单+5V电源供电的测量放大器,它功耗低,仅为0.7mA,共模抑制比高达80dB,直流特性好。本文介绍了它的工作特性并给出了应用电路。 相似文献
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