Fast Liquid Phase Epitaxial Growth for Perovskite Single Crystals

Semiconductors grown by the solution-processed method have shown low-cost,facile fabrication process and comparable performance.However,there are many reasons why it is difficult to achieve high quality films.For example,lattice constant mismatch is one of the problems when photovoltaic devices made of organ metallic perovskites.In this work,MAPbBr^{MA=CH3NH3^+}perovskites single crystals grown on the surface of MAPbBr2.5 CI0.5 perovskites single crystals via liquid epitaxial growth method is demonstrated.It is found that when the lattice constants of the two perovskite single crystals are matched,another crystal can be grown on the surface of one crystal by epitaxial growth.The whole epitaxy growth process does not require high heating temperature and long heating time.X-ray diffraction method is used to prove the lattice plane of the substrate and the epitaxial grown layer.A scanning electron microscope is used to measure the thickness of the epitaxial layer.Compared with perovskite-based photodetectors without epitaxial growth layer,perovskite-based photodetectors with epitaxial growth layer have lower dark current density and higher optical responsibility.     

基于空间像主成分分析的光刻投影物镜波像差检测技术

基于空间像主成分分析的波像差检测技术是一种原位光刻机投影物镜波像差检测技术。本文对该技术的检测模型和工程技术进行了系统研究。分析了照明条件、检测标记、空间像扫描范围等影响因素对检测精度的影响。研究了空间像传感器模型,并通过仿真和实验验证了传感器模型的有效性。研究了空间像定心误差对检测精度的影响,对比了不同定心方法下波像差检测模型的性能表现。分析了不同降噪方法的空间像降噪效果,并基于空间像噪声模型,提出了一种新的空间像降噪方法。仿真与实验结果表明,在各种影响因素中,照明部分相干因子和F方向采样范围对像差检测精度影响较大。定心方面,在X方向上六项模型定心精度更高,F方向上三项模型与六项模型各有优劣。平均值降噪法可以有效滤除空间像噪声,提高像差求解精度。像差漂移量仿真测试结果表明,该技术可用于校正光刻机的短期像差漂移。本文对该技术还给出了工程应用建议。     

生长温度对纳米氧化锌场发射性能的影响

采用锌粉和银粉为蒸发源,用热蒸发法不同温度下制备了四针状纳米氧化锌,并以单独的锌粉做对照。采用扫描电子显微镜(SEM)观察其形貌,X射线衍射(XRD)谱表征其晶体结构。采用丝网印刷方法将其制备为场致电子发射阴极,将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极结构场致发射显示屏,并进行了场致电子发射特性对比实验。结果表明较高温度制备的氧化锌具有较好的场致发射性能;掺杂银粉的蒸发源制备的样品的发射性能明显优于没有掺杂银粉的样品。实验证明ZnO是一种优良的场致发射冷阴极材料,在真空电子方面具有广阔的应用前景。     

大电流碳纳米管场发射阴极研究

报道了在较大发射面积上获得较大场发射电流的碳纳米管场发射阴极。为了加强场发射电流,在丝网印刷浆料中增加一种金属纳米颗粒,金属颗粒增强了碳纳米管发射体和衬底的接触,提高碳纳米管和衬底的粘附作用。利用改进后的丝网印刷方法制备了大电流碳纳米管场发射阴极,测得最大发射电流为68.0 mA,阴极有效发射面积约1.1 mm2,发射电流密度约6.2 A/cm2;并成功将改进方法制备的大电流场发射碳纳米管阴极应用于场发射真空器件原型。实验证明这种具有较大发射电流和较大发射电流密度的场发射能够满足部分大功率电子器件的需求。收稿日期:; 修订日期:     

利用概率分布计算电子束聚焦状态

世界各国的学者对电子束的聚焦性能已经做了广泛的研究,提出了许多分析电子束聚焦性能的方法,在这些方法的基础上,试图利用概率分布函数来描述电子束的聚焦过程。该方法将电子的发射看做是随机过程,并从轨迹的落点的概率分析了电子束的形状和大小,避免了杂散小峰的影响。     

太赫兹源场致发射电子源

通过粒子模拟(PIC)软件模拟计算了在ps级别下二极与三极结构碳纳米管场致发射的电流密度与电子注聚焦性能。阳极电压在2 kV时,二极结构下电流密度达到1.85 A/cm2;三极结构下,栅压700 V时发射电流密度达到2.3 A/cm2,且在一定的三极结构参数与电极电压下,可以获得较好的电子注聚束效果。通过碳纳米管二极管发射实验,获得了6.6 A/cm2的发射电流密度,总发射电流达到52.1 mA,可以为太赫兹器件提供连续发射的电子注。     

带电粒子光学系统优化问题的研究

对带电粒子光学系统的优化过程进行了研究,提出将象差的优化与透镜场形的优化分离开来。在象差的优化中考虑含光学参数的隐式约束条件。该优化过程只需做简单的积分运算,因此不必花费时间计算电磁场。在透镜场形的优化中,其优化模型与一般电磁系统的优化完全一样,因而可以采用已经研究的很多的电磁场的优化方法来优化透镜的场形。计算了两个优化的实例。     

电子枪发射系统的计算方法

提出一种混合计算方法,当电场精度较低时把电子的发射做为连续过程处理,当电场的精度较高时考虑电子发射的随机性.这种方法在保证计算准确性的前提下,较大程度地缩短了计算时间。     

阴极区热电子发射的数值模拟

在电子束及粒子束器件中,发射系统直接影响整个器件的质量。因此,对发射系统的分析就显得非常重要。对热阴极发射的数值计算方法做了一定的探讨。对常用的平板二极管模型进行了分析,从而了解了由于这种模型而引起的计算误差。针对这些问题,采用了一些其它的处理方法来模拟热阴极的电子发射。     

水热法KTP晶体生长与宏观缺陷研究

本文报道了水热法KTP晶体的生长工艺及晶体生长形态,系统研究了水热法KTP晶体的宏观缺陷,其宏观缺陷主要为添晶、生长脊线、裂隙和包裹体.提出了晶体生长工艺的改进措施,如提高原材料和试剂的纯度、调整籽晶的悬挂方式、减少籽晶的尺寸等,都可以减少晶体的宏观缺陷,提高晶体的质量.//(011)切向的籽晶生长的晶体质量较高,且能很好地应用于激光器件中.