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CMOS带隙基准源研究现状
引用本文:幸新鹏,李冬梅,王志华.CMOS带隙基准源研究现状[J].微电子学,2008,38(1):57-63,71.
作者姓名:幸新鹏  李冬梅  王志华
作者单位:1. 清华大学,微电子研究所,北京,100084
2. 清华大学,电子工程系,北京,100084
基金项目:国家自然科学基金 , 北京市科技计划
摘    要:带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流.简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源.

关 键 词:带隙基准源  低电源电压  低功耗  高精度  高PSRR  CMOS  带隙基准源  研究  现状  Sources  Bandgap  Reference  Research  类型  PSRR  精度  低功耗  低电源电压  分析  因素  性能  工作原理  电流  基准电压  电压变化  温度
文章编号:1004-3365(2008)01-0057-07
收稿时间:2007-05-28
修稿时间:2007-08-21

An Overview of the Research on CMOS Bandgap Reference Sources
XING Xin-peng,LI Dong-mei,WANG Zhi-hua.An Overview of the Research on CMOS Bandgap Reference Sources[J].Microelectronics,2008,38(1):57-63,71.
Authors:XING Xin-peng  LI Dong-mei  WANG Zhi-hua
Abstract:Bandgap reference source is an important unit in integrated circuits, which supplied reference voltage or current independent of temperature and supply voltage. The principle of CMOS bandgap reference source was described, and the design challenge was pointed out. Finally, CMOS bandgap reference sources with low supply voltage, low power, high precision and high PSRR were analyzed, respectively.
Keywords:Bandgap reference source  Low supply voltage  Low power  High precision  High PSRR
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