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1.
吴正中  幸新鹏  张盛 《微电子学》2018,48(2):197-202
在驱动大尺寸STN-LCD屏时,多行寻址(MLA)LCD驱动方式具有比IAPT驱动方式更优良的对比度和抗串扰能力,功耗更低。基于正交矩阵算法,在分析驱动电路原理的基础上设计了一种8行寻址(MLA-8)LCD驱动电路。基于Maxchip 0.18 μm 18 V CMOS工艺实现了流片。测试结果表明,该8行寻址LCD驱动电路比传统IAPT驱动电路的功耗降低了70%。  相似文献   
2.
一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.  相似文献   
3.
一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.  相似文献   
4.
介绍了一个新型电流模带隙基准源,该带隙基准源的输出基准可以设计为任意大于硅材料的带隙电压(1.25V)的电压,避免在应用中使用运算放大器进行基准电压放大.同时该结构消除了传统电流模带隙基准源的系统失调.该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证.在1.6V电源电压下,该带隙基准源输出1.45V的基准电压,同时消耗27μA的电流.在不采用曲率补偿的情况下,输出基准的温度系数在30℃到150℃的温度范围内可以达到23ppm/℃.在电源电压从1.6变化到3V的情况下,带隙基准源的输入电压调整率为2.1mV/V.该带隙基准源在低频(10Hz)的电源电压抑制比为40dB.芯片面积(不包括Pads)为0.088mm2.  相似文献   
5.
CMOS带隙基准源研究现状   总被引:9,自引:3,他引:6  
幸新鹏  李冬梅  王志华 《微电子学》2008,38(1):57-63,71
带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流.简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源.  相似文献   
6.
介绍了一个新型电流模带隙基准源,该带隙基准源的输出基准可以设计为任意大于硅材料的带隙电压(1.25V)的电压,避免在应用中使用运算放大器进行基准电压放大. 同时该结构消除了传统电流模带隙基准源的系统失调. 该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证. 在1.6V电源电压下,该带隙基准源输出145V的基准电压,同时消耗27μA的电流. 在不采用曲率补偿的情况下,输出基准的温度系数在30℃ 到150℃的温度范围内可以达到23ppm/℃. 在电源电压从1.6变化到3V的情况下,带隙基准源的输入电压调整率为2.1mV/V. 该带隙基准源在低频(10Hz)的电源电压抑制比为40dB. 芯片面积(不包括Pads)为0.088mm2.  相似文献   
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