| SOI技术——21世纪的硅集成技术 |
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| 引用本文： | 伍志刚,凌荣堂.SOI技术——21世纪的硅集成技术[J].微电子学,2001,31(1):1-5. |
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| 作者姓名： | 伍志刚 凌荣堂 |
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| 作者单位： | 中国科学院 电子学研究所, |
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| 摘 要： | SOI技术作为21世纪的硅集成技术，越来越受人们的关注。文章从寄人电容、闭锁放应、热载流子效应、体效应及辐射效应等几个方面详细讨论了SOI器件对体硅器件的优势，并讨论了当前SOI技术的研究领域和发展方向。
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| 关 键 词： | SOI SIMOX 硅集成技术 微电子 |
| 文章编号： | 1004-3365（2001） 01-0001-05 |
| 修稿时间： | 0200年3月20日 |
Silicon-On-Insulator |
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| WU Zhi gang,LIN Rong tang.Silicon-On-Insulator[J].Microelectronics,2001,31(1):1-5. |
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| Authors: | WU Zhi gang LIN Rong tang |
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| Abstract: | As a silicon integration technology in the 21st century, silicon on insulator (SOI) has become more and more attractive The superiority of SOI devices over bulk Si devices is analyzed in detail, with regard to parasitic capacitance, latch up effect, hot carrier effect, bulk effect and radiation effect Current research subjects of SOI technology are examined and its development trend in the future is discussed |
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| Keywords: | Silicon on insulator Bulk silicon Separation by Implanted Oxygen Si integration |
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