Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

机载光电雷达它机试飞技术研究

机载光电雷达受平台及大气环境影响较大,而它机试飞能有效规避研制风险,是产品研制的必经阶段。本文介绍了机载光电雷达它机试飞试验系统组成、试验流程和数据处理等内容。经工程验证,实施过程满足任务需求,对其他光电系统的它机及本机试飞具有参考价值。     

高效液相色谱-二极管阵列检测器法测定青霉素亚砜酯含量

建立高效液相色谱-二极管阵列检测器法测定青霉素亚砜酯的含量。采用Agilent Eclipse Plus C18(3.0 mm×100 mm, 3.5μm)色谱柱;柱温30℃;以25 mmol·L~(-1)的醋酸铵水溶液(A)-乙腈(B)为流动相进行梯度洗脱;流速为0.5 mL·min~(-1);检测波长267 nm。青霉素亚砜酯在0.01～0.80 mg·mL-1(R~2=0.999 9)范围内线性较好,精密度RSD为0.15%。方法操作简单,结果准确,特异性强,稳定性好,适用于青霉素亚砜酯的含量测定。     

PAN纤维共聚单体作用机理的光电离质谱研究

本工作以丙烯腈/衣康酸（IA）二元共聚原丝以及丙烯腈/IA/丙烯酸甲酯（MA）三元共聚原丝为研究对象，利用热重分析仪（TG）和热解-同步辐射真空紫外光电离质谱（Py-SVUV-PIMS）对其热稳定化过程进行研究。TG结果表明，氮气气氛下，二元共聚原丝（PAN/IA）和三元共聚原丝（PAN/IA/MA）分别呈现三阶段和两阶段的热分解过程，其中PAN/IA的第一和第二阶段均对应PAN线型分子链的断裂，但前者是由自由基环化反应放热引发的，后者则是由正常温度下的热分解所致，而单体MA的加入显著抑制了自由基环化反应，使得PAN原丝的热稳定化能够以单体IA诱导的离子型环化反应为主较平缓地进行，相应的热失重过程也由两阶段转变为了单阶段。Py-SVUV-MS的实验结果表明，两种共聚PAN原丝在程序升温过程中会生成包括含氮小分子、丙烯腈单体及低聚物、成环化合物在内的三类主要热解产物，对比各类产物的生成趋势和产量，推断单体MA通过降低PAN结构的规整度，使其无定形化，从而增加环化反应的引发点，促进PAN原丝向稳定的预氧丝转变，同时由典型热解产物——甲基丙烯腈的生成路径可知，MA本身并不参与PAN大分子的环化反应，属于中性共聚单体。空气气氛下，CO₂的产量差异也间接证明了MA单体能够有效提升PAN纤维的固碳能力，采用三元共聚方法制得的PAN纤维热稳定性能更佳。     

贯穿位错对铝镓氮/氮化镓光学及电子器件性能的影响

氮化镓薄膜在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等衬底上的异质生长会不可避免的产生高密度的(贯穿)位错(high-density threading dislocation)。本文首先介绍常见的刃型和螺型位错及其表征手段,随之结合国际上的学术研究案例,展开讨论了位错对于氮化镓基器件(如LED和HEMT)的光学性能(非辐射复合)以及电学性能(电荷散射及陷阱能级)的影响机制。     

管线钢专用引伸计的设计与应用

分析测量管线钢矩形试样规定总延伸强度Rt0.5的过程中产生误差的原因,设计开发了管线钢矩形试样拉伸试验测量系统。该系统由球铰式框架结构和光栅传感器组成球铰式光电引伸计,利用光栅传感器测量精度高与球铰式装卡的优势结合,把采集的信号通过数据处理器传递给计算机控制系统,通过系统的模数转换和软件的功能运算,能有效克服测量过程中的误差,保证试验结果的准确性和重复性,具有记录全过程拉伸曲线的功能,满足管线钢相关检验和试验标准要求。     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

美国三大公司激光二极管的最新进展

在美国西部光电博览会高功率二极管激光器会议上，美国的Alfalight公司公布了25℃，22W，970nm连续输出的单发激光二极管。该公司同时报道了他们在美国国防部高级计划研究署（DARPA）超高效率二极管发射源计划中的功率转换效率（PCE）为80％的目标计划进展。他们的最新结果是，带1mm长腔的占空比为20％的半导体条在25℃时的功率转换效率达到71％。