溅射功率对CIGS吸收层前驱膜成分和结构的影响

采用中频交流磁控溅射方法制备了CuIn、CuGa和CIG合金膜。采用SEM和XRD观察和分析了各种薄膜的表面形貌、成分和组织结构。着重分析了靶功率密度对薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明,通过调节靶功率密度,能精确控制薄膜中CuI、n、Ga比例。制备得到了Cu/(In Ga)原子比接近1,且Ga/(In Ga)比例可调的成分分布均匀的CIG薄膜。CIG前驱膜是以Cu11In9为基础相,Ga原子主要是以替代In原子的固溶体形式存在。当溅射CuIn和CuGa合金靶的功率密度分别为0.26和0.10 W/cm2时,可制备得到由Cu11In9和CuIn两相组成的理想的CIG前驱膜。     

热丝CVD金刚石薄膜制备及碳纳米管形核作用的研究

利用热丝化学气相沉积法（HF－CVD）进行了金刚石薄膜制备和碳纳米管形核作用的研究。获得了制备金刚石薄膜的优化工艺参数。利用碳纳米管作为形核前驱获得了高质量的金刚石薄膜，其沉积速率可达2．5μm/h，晶粒生长完善，而且没有出现聚晶现象。研究了碳纳米管涂料质量对薄膜沉积特性的影响，并对其机理进行了初步探讨。     

退火温度对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响

研究了退火温度对中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2薄膜结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射 仪和原子力显微镜，检测了TiO2薄膜的晶体结构和表面形貌。实验结果显示：沉积态TiO2薄膜为非晶态；低温（700℃以下）退火后，TiO2薄膜出现锐钛矿相，晶粒长大不明显；高温退火（900℃以上）后，薄膜转变为金红石相，晶粒由柱状转变为棱状，并迅速长大至微米量级。     

五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性

本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1～ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度     

双层预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响

采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上依次沉积了Mo、CuIn、CuGa薄膜,制备了CuInGa（CIG）双层预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）吸收层薄膜,考察了CuGa层制备过程中工作气压的改变,对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,改变溅射制备CuGa层的工作气压,所获得的CIG双层预制膜均由Cu11In9、CuIn和CuGa组成。在溅射制备CuGa层的工作气压为1．0Pa的条件下所获得的CIG双层预制膜经过硒化后,获得的CIGS薄膜致密。采用不同结构的双层预制膜,在不同的硒化时间下制备的CIGS薄膜,均具有黄铜矿相结构,薄膜具有（112）面的择优取向。     

CNTs/ Al 2O 3复合材料嵌入型显微结构的设计及影响因素分析

为获得好的强韧化效果 , 提出了适合碳纳米管强韧化陶瓷基复合材料的嵌入型显微结构模型 , 应用杂凝聚法 , 分别采用单壁、 多壁及定向碳纳米管复合 , 制备了具有该种结构特征的复合材料。对比研究了上述三种CNTs/ Al 2O 3复合材料显微结构的差异及对复合材料性能的影响。 结果表明 , 碳纳米管种类、 形态及分散性对嵌入型显微结构的形成有影响 , 细且直的单壁碳纳米管有利于形成嵌入型显微结构。     

离子渗硫模具钢的摩擦磨损机理研究

对模具钢5CrNiMo进行低温离子渗硫处理，表现得到了厚约10μm的渗硫层。在MM－200型摩擦磨损试验机上进行了渗硫层干摩擦条件下的摩擦学试验。利用原子力显微镜（AFM）和扫描电镜（SEM）观察了渗硫层的表面、截面与磨痕形貌；利用X射线衍射仪（XRD）分析了渗硫层的相结构；利用扫描俄歇微探针（SAM）分析了表面元素沿深度的分布。渗硫层表面多孔且不平，由纳米尺度的微粒随机叠嵌而成。渗硫层的纳米结构有利于改善其减摩耐磨性能。摩擦磨损结果表明，模具钢渗硫层的摩擦学性能明显优于未渗表面。     

基体温度对磁控溅射沉积ZAO薄膜性能的影响

利用中频交流磁控溅射方法 ,采用氧化锌铝陶瓷靶材 [w(ZnO) =98%、w(Al2 O3 ) =2 % ]制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜 ,观察了基体温度对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响 ,采用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析 ,采用光学分度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性 ,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率。结果表明 :沉积薄膜时的基体温度对薄膜的结构、结晶状况、可见光透射率以及导电性有较大的影响。当基体温度为 2 5 0℃ ,Ar分压为 0 8Pa时 ,薄膜的最低电阻率为 4 6× 10 -4Ω·cm ,方块电阻为 35Ω时 ,可见光 (λ =5 5 0nm)透射率高达 92 0 %。     

ZBO(ZnO∶B)靶材烧结机理与特征的研究

用常压烧结方法，在1200℃-1350℃烧结不同含B量的掺硼氧化锌（ZBO）靶材。研究了掺杂量、烧结温度对ZBO靶材微观结构的影响。实验表明，随着烧结温度的增加。ZBO陶瓷的晶粒大小和密度逐渐增大。指出了由于B2O3的挥发，造成ZBO靶材的剩余含B量与掺B量的不符，要获得含定量B的ZBO就必须掺入大约2倍所需量的B2O3。     

铜铟镓硒薄膜太阳能电池的发展现状以及应用前景

首先介绍了铜铟镓硒薄膜太阳能电池结构、性能特点以及目前在研究和生产过程中电池的制备方法和工艺;着重阐述了工业发达国家以及相应大公司在铜铟镓硒薄膜太阳能电池方面最新进展以及发展趋势,特别介绍了一些太阳能电池的实验室样品和组件的最高光电转化效率.也对国内在此方面的研究做了简要介绍.文中最后探讨了我国发展铜铟镓硒太阳能电池的可行性和产业化前景.