| 五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性 |
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| 引用本文： | 王超,庄大明,张弓,侯亚奇,吴敏生,刘家俊.五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性[J].真空科学与技术学报,2003,23(1):61-63. |
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| 作者姓名： | 王超 庄大明 张弓 侯亚奇 吴敏生 刘家俊 |
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| 作者单位： | 清华大学机械工程系薄膜实验室,100084,北京 |
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| 摘 要： | 本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1～ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度
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| 关 键 词： | 氧化钽 金属绝缘体金属 IU特性 磁控溅射 |
| 文章编号： | 0253-9748(2003)01-0061-03 |
| 修稿时间： | 2002年4月29日 |
Growth of Tantalum Pentoxide Films and Its Current Voltage Characteristics |
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| Wang Chao,Zhuang Daming,Zhang Gong,Hou Yaqi,Wu Minsheng,Liu Jiajun.Growth of Tantalum Pentoxide Films and Its Current Voltage Characteristics[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2003,23(1):61-63. |
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| Authors: | Wang Chao Zhuang Daming Zhang Gong Hou Yaqi Wu Minsheng Liu Jiajun |
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| Abstract: | Electrical properties and microstructures of tantalum pentoxide films,grown on glass substrates by pulsed DC reactive magnetron sputtering,were studied with Auger electron spectroscopy (AES),scanning electron microscopy (SEM) X ray diffraction (XRD) and ellipsometry to evaluate influence of various parameters on the film growth.The results show that oxygen partial pressure strongly affects the stoichiometry of the film.The current voltage characteristics of the Ta/Ta 2O 5/Ta junctions show good symmetry and low leakage current density. |
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| Keywords: | Tantalum pentoxide MIM I U characteristics Magnetron sputtering |
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