首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   19篇
  免费   0篇
工业技术   19篇
  2016年   1篇
  2012年   3篇
  2011年   2篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2007年   2篇
  2004年   3篇
  2003年   2篇
  2002年   1篇
  1999年   1篇
  1993年   1篇
排序方式: 共有19条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
超细钡铁氧体粉末制备技术的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文综述了超细钡铁氧体粒子的基本制备方法及其综合方法,如溶胶-凝胶法、有机树脂法、化学共沉淀法、水热法、玻璃晶化法和微乳液法等以及它们的结合法,并对其进行了合理的分析.  相似文献   
2.
目前低压电机绝缘结构已趋于成熟,如何进一步提高绕组整体绝缘结构的机械强度和电气强度成为行业的研究方向.减少浸漆烘焙过程中绝缘漆的流失,提高绕组的挂漆量,有利于提高绕组端部的机械强度和电气强度,可显著提高产品的可靠性.并通过大量的试验数据统计,对提高绕组挂漆量进行了工艺研究,指出了提高绕组挂漆量的切实可行的方法.  相似文献   
3.
概述了磁性聚合物的研究与应用近况,重点讨论了磁性高分子微球的分类、制备方法及其应用,并对磁性聚合物的发展趋势进行了展望.  相似文献   
4.
综述了合成Si—C—N陶瓷前驱体聚硅氮烷的主要方法,即氨/Q解氯硅烷法、硅氮烷低聚物交联法、硅氮烷低聚物与氯硅烷反应法及氯硅氯烷和氯硅烷脱氯编聚法,并介绍了用铝、硼、钛、钇等元素对聚硅氮烷进行改性,以提高Si—C—N陶瓷性能的方法。  相似文献   
5.
Si-C-N陶瓷在雷达吸收方面的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对前躯体法制备的Si-C-N陶瓷粉末在X波段(8.2-12.4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究。通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2SiCl2),得到含苯基聚硅氮烷前躯体,经高温裂解和球磨获得Si-C-N陶瓷粉末。实验结果表明,Si-C-N陶瓷能够吸收X波段的雷达波,并且有机硅单体中Ph2SiCl2的摩尔比对最终的Si-C-N陶瓷吸波性能具有显著的影响。当Ph2SiCl2的含量为5%时,Si-C-N陶瓷对X波段雷达波具有最好的反射损耗,在9.1-12.4GHz的范围内,反射损耗R.L.小于-10dB即吸收带宽为3.3GHz,在10.6GHz处具有的最大反射损耗为-15dB。  相似文献   
6.
聚苯乙烯(PS)在苯溶液中与溴代丁二酰亚胺(NBS)反应,经分离提纯得到了固体溴代聚苯乙烯(PSB)。将所得PSB溶于苯并与低分子量的聚二甲基硅氧烷硅醇锂(PDMSOLi)反应,经分离提纯得到固体的溴代聚苯乙烯接枝聚二甲基硅氧烷(PSB-g-PDMSO),所得PSB-g-PDMSO的结构经^1H-NMR、IR及TEM表征。  相似文献   
7.
利用高沸物二硅烷中的甲基氯二硅烷制备无氯Si-C-N陶瓷   总被引:2,自引:0,他引:2  
直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在1100℃高温裂解后,可得到无氯Si-C—N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si—C—N陶瓷的最经济的方法之一。  相似文献   
8.
在全球经济复苏乏力、欧洲深陷债务危机,美国"双反"步步紧逼的大背景下,我国全力启动国内市场,新能源产业所蕴含的巨大商机,进一步吸引着全球目光。  相似文献   
9.
孟凡君 《电机技术》2011,(5):44-45,47
简要介绍了电动机的防腐要求,油漆涂层配套系统,生产现场常见的典型涂装质量问题及控制方法,涂装现场的组织和人员的管理.  相似文献   
10.
结合襄胡二线新刘家沟隧道实际工程,通过对既有花果隧道的四次爆破振动测试分析及一次爆破验证,说明爆破振动的参数设计是合理的,质点的振动速度能够客观反映现场的地质状况和衰减规律,新建隧道施工爆破对爆心距最小的左边墙影响最大.随着测点与爆心距的增大,质点振速衰减明显,质点振动幅值依次减小.建议在新建隧道洞口段进行分段爆破,限制每次爆破最大段装药量,以保证既有隧道结构的稳定安全和正常运营.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号