中职学校计算机基础课程有效教学的实践与研究

如今计算机技术已成为人们必须掌握的一门基本技术,计算机应用基础课程是中等职业学校专业基础课的重要学科。提高学生计算机水平和实际操作能力,是中等职业学校计算机教学的根本任务。然而,由于中职生整体素质逐步下降,学习能力和自控能力较差,学习积极性不高,计算机课程教学效率也难以提高。因此,本文就我在计算机应用基础课程中实施有效教学谈谈自己的一点认识。     

VPDN在虚拟校园网的应用

本文主要介绍利用虚拟专用拨号网(VPDN)实现虚拟校园网的技术方案,并讨论了虚拟校园网系统的安全性。     

浅谈网站安全技术

信息安全是网络应用中的一个重要问题。网站是信息的发布中心(Web服务器),其数据库中存放有大量的供用户共享的重要信息,因此,网站的安全是网站建设和运行过程中应该充分考虑的重要问题。本文分析了网站安全隐患的现状,介绍了网站常见的安全漏洞,以及如何提高网站服务器的安全性和稳定性,同时介绍了防火墙(firewall)技术在网站安全中的应用等方面的问题。     

UTM及其在网络安全中的应用

本文分析了网络安全及传统防火墙面临的安全挑战,介绍了UTM工作原理及关键技术,最后给出一个校园网络应用UTM安全设备的实例。     

浅析Web服务器的安全与维护

本文基于Windows2003服务器,介绍一些Web服务器的安全维护方法。     

纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响

以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光(CMP),考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液:一种是传统的铜抛光液;另一种为新型的阻挡层抛光液。通过扫描电镜(SEM)和介电常数测试结果显示,2种抛光液对低k材料,不论是在结构还是电特性方面的影响都不大。经铜抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.08;经阻挡层抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.28。实践证明,这两种纳米二氧化硅抛光液可以应用于集成电路。     

碱性抛光液对铜布线电特性的影响

随着互连电路的规模发展到亚微米级,互连延迟已经成为超过门延迟的重要因素。减小延迟在互连结构中是不可避免的问题。化学机械抛光是最适合在多层铜互连结构中达到平整化目的的手段。出于对整体过程的考虑,我们将考察化学机械抛光对铜晶圆片电特性的影响。在这篇文章中,我们将考察两种抛光液在化学机械抛光中的影响,一种抛光液是酸性抛光液,来自于SVTC,另一种是碱性抛光液,由河北工业大学提供的。着重考察了三个方面的特性,电阻,电容和漏电流。电阻测试结果显示,河北工业大学提供的抛光液抛光后,电阻更小。而被两种抛光液抛光后的电容则相差不多,电容值分别为1.2 E^-10F 和1.0 E^-10F。同样,河北工业大学提供的抛光液抛光后的漏电流是1.0E^-11A,低于SVTC提供的酸性抛光液。结果显示,河北工业大学提供的碱性抛光液会产生小的碟形坑和氧化物损失,优于SVTC提供的酸性抛光液。     

IFM系列电磁流量计在沸石分子筛装置中的选型及应用

介绍了IFM系列电磁流量计在沸石分子筛生产中的应用过程和设计选型的基本原则，并指出设计选型及安装使用过程中必须注意的一些问题。     

铜互连制程中酸碱性抛光液的平坦化效果评估

We observed and analyzed the acid and HEBUT alkaline of Cu chemical mechanical polishing(CMP)slurry to evaluate their effects. Material analysis has shown that the planarity surfaces and the removal rate of alkaline slurry are better than the acid slurry during metal CMP processes. The global surface roughness and the small-scale surface roughness by 1010 m2 of copper film polished by the SVTC slurry are 1.127 nm and2.49 nm. However, it is found that the surface roughnesses of copper films polished by the HEBUT slurry are 0.728 nm and 0.215 nm. All other things being equal, the remaining step heights of copper films polished by the SVTC slurry and HEBUT slurry are respectively 150 nm and 50 nm. At the end of the polishing process, the dishing heights of the HEBUT slurry and the SVTC slurry are approximately both 30 nm, the erosion heights of the HEBUT slurry and the SVTC slurry are approximately both 20 nm. The surface states of the copper film after CMP are tested,and the AFM results of two samples are obviously seen. The surface polished by SVTC slurry shows many spikes.This indicates that the HEBUT alkaline slurry is promising for inter-level dielectric(ILD) applications in ultra large-scale integrated circuits(ULSI) technology.     

ZnO/CNTs复合材料的制备、表征及光催化性能

采用水热法制备了一系列氧化锌和碳纳米管的复合材料(ZnO/CNTs),详细考察了碳纳米管的含量对复合材料光催化性能的影响。利用X射线衍射仪、紫外-可见漫反射吸收光谱、扫描电子显微镜、X射线能谱、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和氮气吸附-脱附等测试手段对样品的结构、形貌和光学性质进行了表征,并用亚甲基蓝溶液模拟污染物,评价了ZnO/CNTs复合材料的光催化性能。结果表明:添加CNTs提高了ZnO的比表面积,增强了ZnO的可见光吸收。ZnO/CNTs复合材料较纯ZnO具有更高的光催化活性,并且随着CNTs含量的增加,ZnO/CNTs复合材料的光催化活性呈先增加后减小的趋势。当CNTs的含量为0.3%(质量分数)时,ZnO/CNTs复合材料的光催化活性最高,经过50 min光照后,亚甲基蓝的降解率达到了96.2%。