| 纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响 |
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| 引用本文： | 胡轶,刘玉岭,刘效岩,王立冉,何彦刚.纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响[J].功能材料,2011(S5). |
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| 作者姓名： | 胡轶 刘玉岭 刘效岩 王立冉 何彦刚 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所; |
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| 基金项目： | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308) |
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| 摘 要： | 以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光(CMP),考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液:一种是传统的铜抛光液;另一种为新型的阻挡层抛光液。通过扫描电镜(SEM)和介电常数测试结果显示,2种抛光液对低k材料,不论是在结构还是电特性方面的影响都不大。经铜抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.08;经阻挡层抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.28。实践证明,这两种纳米二氧化硅抛光液可以应用于集成电路。
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| 关 键 词： | 低介电常数材料 纳米二氧化硅抛光液 介电常数 漏电流 |
Effect of nano-SiO_2 slurry on low-k material(PI) |
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| HU Yi,LIU Yu-ling,LIU Xiao-yan,WANG Li-ran,HE Yan-gang.Effect of nano-SiO_2 slurry on low-k material(PI)[J].Journal of Functional Materials,2011(S5). |
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| Authors: | HU Yi LIU Yu-ling LIU Xiao-yan WANG Li-ran HE Yan-gang |
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| Affiliation: | HU Yi,LIU Yu-ling,LIU Xiao-yan,WANG Li-ran,HE Yan-gang(Institute of Microelectronics,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low-k material nano-SiO2 slurry dielectric constant leakage current |
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