纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响

以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光(CMP),考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液:一种是传统的铜抛光液;另一种为新型的阻挡层抛光液。通过扫描电镜(SEM)和介电常数测试结果显示,2种抛光液对低k材料,不论是在结构还是电特性方面的影响都不大。经铜抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.08;经阻挡层抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.28。实践证明,这两种纳米二氧化硅抛光液可以应用于集成电路。     

碱性抛光液对铜布线电特性的影响

随着互连电路的规模发展到亚微米级,互连延迟已经成为超过门延迟的重要因素。减小延迟在互连结构中是不可避免的问题。化学机械抛光是最适合在多层铜互连结构中达到平整化目的的手段。出于对整体过程的考虑,我们将考察化学机械抛光对铜晶圆片电特性的影响。在这篇文章中,我们将考察两种抛光液在化学机械抛光中的影响,一种抛光液是酸性抛光液,来自于SVTC,另一种是碱性抛光液,由河北工业大学提供的。着重考察了三个方面的特性,电阻,电容和漏电流。电阻测试结果显示,河北工业大学提供的抛光液抛光后,电阻更小。而被两种抛光液抛光后的电容则相差不多,电容值分别为1.2 E^-10F 和1.0 E^-10F。同样,河北工业大学提供的抛光液抛光后的漏电流是1.0E^-11A,低于SVTC提供的酸性抛光液。结果显示,河北工业大学提供的碱性抛光液会产生小的碟形坑和氧化物损失,优于SVTC提供的酸性抛光液。     

工业建筑的粗犷与温暖 陕钢10号厂房改扩建项目

<正>现状与策略2002年,陕西老钢厂破产后被改造更新,成为“老钢厂设计创意产业园”。10号厂房是原钢厂的热处理车间,总长148 m,内部空间贯通。为便于租用,甲方以柱跨为单位,以隔墙为界,将其分割为若干段。本次的设计任务是将厂房东端的两跨区域改扩建为一个集展览、艺术沙龙与居住生活为一体的艺术家工作室。待改造区域南北进深30 m,东西面宽12 m,包含高、低两跨区域,其最大空间高度分别为15 m和7 m。为充分保留并有效利用厂房内原有空间尺度,建筑师将展览、艺术沙龙等大尺度公共性空间设置在原厂房内部。同时,在厂房外围进行加建,以容纳画室、卧室、餐厅等小尺度居住生活空间。     

丙烯酰胺与2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵在柠檬酸钾溶液中的沉淀聚合

以(NH4)2S2O8-Na2SO3为氧化还原引发剂,通过非离子单体丙烯酰胺(AM)与阳离子单体2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(DMC)在柠檬酸钾溶液中的沉淀聚合,制备了阳离子聚电解质聚(2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵-丙烯酰胺)[P(DMC-AM)]。利用溶解度参数原理,得知聚合物[P(DMC-AM)]在柠檬酸钾溶液中的溶解量远小于单体的溶解量,同时探讨了聚合物[P(DMC-AM)]在柠檬酸钾溶液中沉淀分离的机理。通过考察单体总转化率的影响因素,得到最佳的反应条件:柠檬酸钾质量分数57%,m((NH4)2S2O8)∶m(Na2SO3)=1∶1,引发剂总质量分数0.10%,单体总质量分数3%,单体配比m(DMC)∶m(AM)=3∶1,反应温度50℃,反应时间2h。在此条件下,DMC和AM的总转化率为86.4%。通过红外光谱分析验证,所得聚合物为[P(DMC-AM)]。     

等离子体引发聚合2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵的研究

研究了等离子体引发聚合2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(DM C)。测定了不同放电时间与放电功率时反应室温度的变化方程,发现反应室温度变化是影响聚合产物P(DM C)性质的主要因素之一。反应室温度低于130℃,P(DM C)为线性,最高特性黏数为420.2 cm3/g;反应室温度为130℃~200℃,P(DM C)为交联性吸水树脂,吸水率为15 g/g。优化了线性产物的反应条件:放电时间60 s,放电功率60W,此时反应室温度为80℃。并经计算验证了等离子体引发聚合DM C理论可行。     

铜互连制程中酸碱性抛光液的平坦化效果评估

We observed and analyzed the acid and HEBUT alkaline of Cu chemical mechanical polishing(CMP)slurry to evaluate their effects. Material analysis has shown that the planarity surfaces and the removal rate of alkaline slurry are better than the acid slurry during metal CMP processes. The global surface roughness and the small-scale surface roughness by 1010 m2 of copper film polished by the SVTC slurry are 1.127 nm and2.49 nm. However, it is found that the surface roughnesses of copper films polished by the HEBUT slurry are 0.728 nm and 0.215 nm. All other things being equal, the remaining step heights of copper films polished by the SVTC slurry and HEBUT slurry are respectively 150 nm and 50 nm. At the end of the polishing process, the dishing heights of the HEBUT slurry and the SVTC slurry are approximately both 30 nm, the erosion heights of the HEBUT slurry and the SVTC slurry are approximately both 20 nm. The surface states of the copper film after CMP are tested,and the AFM results of two samples are obviously seen. The surface polished by SVTC slurry shows many spikes.This indicates that the HEBUT alkaline slurry is promising for inter-level dielectric(ILD) applications in ultra large-scale integrated circuits(ULSI) technology.     

等离子体引发的丙烯酰胺-氯化2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基铵水溶液聚合

研究了等离子体引发水溶液中丙烯酰胺(AM)和氯化2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基铵(DMC)聚合制备线性阳离子型聚电解质的工艺方法。在放电时间40 s,放电功率84 W,反应室压力为133 Pa,单体配比为1:1条件下优化了后聚合条件,较佳结果为:总单体质量分数为30%,聚合时间24 h,聚合温度40℃,pH 值4～4.5。所得聚合物最高为2.28×10~6。并推测了等离子体引发 AM-DMC 的机理。     

“记忆盒子”——以“个人记忆”为主题的设计教学探索

正"记忆盒子"系列课程,是在西安建筑科技大学刘克成教授发起的建筑学教学改革体系下,作为本科学生最后一年的毕业设计课程。教师团队在反思传统文脉课和遗产保护实践项目的基础上,相对于"宏大叙事"的历史主题,提出以"个人记忆"为研究对象的设计教学。目前,课程尚处于初期阶段,难免存在诸多问题,望读者予以谅解与指正。1.为什么研究"个人记忆"?"记忆盒子"课程的设计教学,是围绕"个人记忆"进行的探索实验。为什么要研究"个人记忆"?是我们需要     

甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵与丙烯酰胺聚合研究进展

综述了甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(DMC)与丙烯酰胺(AM)的各种聚合方法,比较了各种聚合方法的优缺点,讨论了不同聚合方法(溶液聚合、乳液聚合、沉淀聚合等)的研究进展,并展望了在盐溶液中利用沉淀聚合制备聚(2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵-丙烯酰胺)[P(DMC-AM)]的前景.