用光热光偏转方法测量材料的红外吸收系数

用简单的超高灵敏度光热光偏转方法研究GaAs、NaCl、N型单晶Ge和Si等材料在10.6/μm的吸收特性,测得以上几种材料的吸收系数。实验结果与国内外报道符合得较好。     

InGaAs的电调制反射谱及其组份分析

本工作采用电解液电调制反射谱技术,对n型InGaAs外延片进行了研究.从所测得的光谱中,利用三点法计算出了临界点跃迁能量E_0、E_1,自旋轨道分裂△_0、△_1和线宽参数Γ_0、Γ_1,还研究了临界点能量E_1与含金组分x的关系.所得结果均与国内外报道的理论和实验值符合得较好.     

半导体材料表面光洁度对光吸收表观值的影响

我们采用光声室和压电陶瓷两种检测方式,分别研究了N型单晶锗和硅两种材料表面光洁度对10.6微米光吸收表观值的影响.结果表明,对于弱吸收的材料,随着材料表面光洁度变差,光吸收表观值明显增加,而对于光吸收较强的材料,随着表面光洁度变差,光吸收表观值反而明显减少.     

硅的电调制反射谱的研究

本工作采用电解液电调制反射(EER)谱技术,对N型硅外延片进行了研究,不仅测得了E′_0峰,还成功地测得了E′_1峰和E_2峰。同时,在直流偏压、交流调制电压、调制频率及溶液浓度等方面对半导体-电解液接触层的形成及性质作了初步的探讨。采用传统的EER谱的实验装置,所不同的是将卤钨灯作为光源,并把二极管作为光电倍增管的负载,以获得ΔR/R的比值,这就省去了复杂的氙灯电源及伺服系统。     

光声室低频特性的研究

本文采用气体光声室检测方法,研究了在较低的斩波频率(低于500Hz)下,半导体材料硅、锗、砷化镓和碲化镉的光声频率特性,得出了改进的高灵敏度光声室光声信号的理论表达式,给出了R-G理论的修正项,其理论计算和实验结果符合得较好。     

光声信号与光束在样品上照射位置关系的研究

我们采用压电陶瓷作为光声探测器,研究了单晶硅在10.6μm的光吸收产生的光声信号与光束在样品上照射位置的关系。实验表明,当光束沿着圆形样品的直径扫描,光束照射在两侧时,光声信号随照射位置离开中心距离的加大而减小,与我们进行的理论计算符合得较好。     

天铁5号高炉出铁场电除尘系统的设计与生产实践

对天铁5号高炉出铁场烟尘排放的现状以及出铁场烟尘的特点进行了分析。针对出铁过程中产生的烟尘难以控制的特点，提出了用电除尘器收集二次烟尘的方案，实施后取得了较好的生产效果。     

高炉喷煤系统技术改造

通过对天铁冶金集团有限公司2#高炉喷煤系统技术改造过程中有关问题的解决进行分析,提出对喷煤技术发展方向的见解。     

强散射介质的共焦取像方法研究

近年来，随着激光器和探测器技术的飞速发展，推动了非破坏性的红光和近红外光生物医学成像的发展，这些研究最多的集中在采用时间域或频率域的测量方法，探测生物组织和生物组织模型的吸收和散射系数的变化．由于频率域测量有超过时间域测量的优点；迅速的数据采集时间，可以监控组织的动力学过程，特别是轻便的和紧凑的小型仪器设备，适于在床边使用，以及成本低廉，更适于在我国推广使用，本文研究了强散射介质（生物组织是典型的强散射介质）的强度调制（频率域）扩散光子密度波取像方法．一束强度调制光射人密度无序（强散射）介质，伴…     

单晶硅的光收吸与样品厚度的关系

本文研究用压电陶瓷做声接收器,单硅晶的光声(PA)信号与样品厚度的关系。首先对劈形样品进行实验。将样品竖直粘着在压电陶瓷上,并使压电陶瓷的平面与光束方向平行。当激光束在样品上由薄到厚(或由厚到薄)移动时,测出对应每一厚度位置时的光声信号。最初PA信号随样品厚度增加,在样品厚度为0.5mm处,曲线出现一峰值,然后再随样品厚度的增加,PA信号又逐渐减小。为进一步验证实验结果的可靠性,我们又对厚度不同的均