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据日本电子材料生产者协会,(EMAJ)统计报告称,1991年日本电子材料总产值比1990年增长了6%,达4450亿日元。其中;金属材料(包括管子、半导体材料、软磁材料,弹性材料、焊接材料,耐腐,耐热材料,电阻材料和特殊材料)和永磁材料的产值分别比1990年增长3%; 相似文献
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第四次国际铁电材料应用会议将于1979年6月13日到15日在美国明尼苏达州明尼阿波利斯市召开。会议将讨论一切铁电材料的应用,但重点是压电材料、热电材料、电光材料、光铁电材料和电介质材料及其器件,如薄膜和记忆显示器件,所讨论的材料应是可做器件的材料。会议预计将收到100篇报告。会议由 相似文献
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面向21世纪的先进电子材料 总被引:1,自引:0,他引:1
张忱 《电子材料(机电部)》1995,(3):1-5
综述了面向21世纪的仿生智能材料、纳米结构材料、笼形团簇材料、超导材料和生物电子材料等五类先进电子材料的最新进展和应用前景。 相似文献
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机头雷达罩是飞机机体的重要组成部分,它的制造材料直接影响到飞机的使用性能.本文对雷达罩所应用的材料,即树脂基体、增强材料、夹层材料、胶膜材料、防静电与防腐蚀材料、吸波材料以及防雷击材料进行了综述,为民用飞机机头雷达罩所用材料的选择提供了方向. 相似文献
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文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键。 相似文献
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1992年在我国举办的第二届国际电子元件与材料学术会议,交流论文171篇,涉及通用元件、介质与结构材料、可靠性,压电、铁电元件及材料,敏感元件、传感器和敏感功能材料,混合集成电路,电子材料的基础研究,光纤光缆等。反映了近两年电子元件与材料的进展。 相似文献
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微电子材料面临的挑战 总被引:1,自引:0,他引:1
从系统及半导体集成电路两个层面上论述微电子材料面临的挑战。重点介绍封装材料的现状及发展。结合一种新颖的封装(SLIM),较详细地介绍涉及到的基底、介质、导体、倒装焊凸点材料、散热材料、集成无源元件材料等,给出不少可供选择的先进材料。指出尽管困难重重,但已有不少突破,本世纪第一个十年可望实现微电子材料的革命性突破。 相似文献
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文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键。 相似文献
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电子陶瓷材料发展现状、展望与思考 总被引:5,自引:1,他引:4
综述了电子陶瓷的现状及发展趋势。重点介绍了基板材料、电阻基体材料、电容器陶瓷介质材料、压电陶瓷材料、微波陶瓷介质材料、热敏陶瓷材料,并对未来发展进行了展望与思考。 相似文献