共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
准连续在功率二维层叠量子阱激光器列阵 总被引:4,自引:1,他引:3
研究了大功率列阵器件的量子阱结构,材料生长,列阵结构,了技术与封装技术,研制了6条层叠GaAs/AlCaAs量子阱激光器列阵,其峰值功率为404W,电-光转换效率高达43.3%。 相似文献
2.
940nm高功率列阵半导体激光器 总被引:2,自引:0,他引:2
利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939 ̄941nm,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。 相似文献
3.
4.
用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度。 相似文献
5.
6.
报导了脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果,激光器阀值电流最低为9mA,典型值为15mA,线性输出光功率大地120mW,微分量子效率典型值为60%,50℃,80mW恒定功率条件下老化实验结果表明;该条件下激光器寿命超过1000小时。 相似文献
7.
8.
9.
GaAs/GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对增益波导型GaAs/GaAlAs垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究,实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达10mA,输出光功率不低于0.3mw,有的可达0.7mw以上,器件单横模、单纵模工作,线宽小于4人。 相似文献
10.
采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导过多次,本文介绍用P-InP衬底研制InGaAsP/InP平面埋层异质结构激光器和DFB-PFBH激光器,同时利用晶体生长和晶向的依赖关系,改进埋区的结构,使器件最高激射温度大于100℃。 相似文献